CTIMES - 搜尋：SBD

ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用

東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域

ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品

ROHM SiC SBD成功應用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（總公司：日本京都市）開發的第3代SiC蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）已成功應用於Murata Power Solutions的產品上。Murata Power Solutions是擅長電子元件、電池、電源領域的日本著名製造商—村田製作所集團旗下的企業

Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體提高效率和高溫可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣佈推出首款碳化矽（SiC）蕭特基勢壘二極體（SBD）。產品組合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一項650V額定電壓（4A、6A、8A和10A）的產品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V額定電壓（2A、5A和10A）產品

新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。

羅姆推出小型PMDE封裝二極體助力應用小型化 (2022.04.11)
ROHM為滿足車電裝置、工控裝置和消費性電子裝置等各類型應用中，保護電路和開關電路的小型化需求，推出了PMDE封裝（2.5mm×1.3mm）產品，此次又在產品系列中新增了14款機型

Microchip推出3.3 kV SiC MOSFET和SBD 實現高性能與可靠性 (2022.03.23)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出業界最低導通電阻RDS（on）3.3 kV碳化矽MOSFET和市場上最高額定電流的碳化矽SBD，讓設計人員可以充分利用其耐固性、可靠性和性能

ROHM擴大車電小型SBD RBR/RBQ產品線增至178款 (2021.08.11)
半導體製造商ROHM研發出小型高效蕭特基二極體（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款產品，適用於車電、工控和消費性電子裝置等電路整流和保護用途。目前該二個系列的產品線總計已達178款

ROHM內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」

擴大SiC功率元件產能 ROHM Apollo環保新廠房完工 (2021.01.13)
面對全球的能源短缺問題，節能將是開發未來電子元件的重要考量，尤其在電動汽車與工業4.0領域，SiC SBD與SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成為電動車和工業裝置的關鍵元件

Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案，同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項

Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today. The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products

Microchip推出低電感SiC功率模組與可程式設計柵極驅動器套件 (2020.09.01)
從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，全球交通電氣化轉型仍在加速，各國紛紛採用效率更高、技術更創新的交通方式。Microchip今天宣佈推出AgileSwitch數位可程式設計柵極驅動器和SP6LI SiC功率模組套件

Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽（SiC）的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量，協助工程師研發創新的電源解決方案；這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等

新款200V耐壓蕭特基二極體有效降低功耗並實現小型化設計 (2019.08.27)
近年來，在48V輕度混合動力驅動系統中，將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢，而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率超低IR[1]蕭特基二極體[2]（簡稱SBD）之需求也日益增加

ROHM開發車電超小型MOSFET RV4xxx系列 (2019.07.25)
半導體製造商ROHM研發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」，該系列產品可確保零件安裝後的可靠性，且符合車電產品可靠性標準AEC-Q101，是確保車規級品質的高可靠性產品

Microchip宣佈推出全新碳化矽（SiC）產品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi（美高森美）宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性，以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。它們將與Microchip各類微控制器和類比解決方案形成產品的互補優勢，加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合，滿足了電動汽車和其它大功率應用領域迅速發展的市場需求

ROHM推出1700V全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」在高溫高濕環境下實現可靠性 (2018.12.05)
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter)，研發出實現可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」

看準SiC低耗能、高效率羅姆將其用於賽車逆變器 (2018.10.04)
羅姆於碳化矽製程以有18年的經驗，除了常見的將碳化矽元件使用於新能源及電動車上之外，羅姆於2016年也與Venturi Formula E團隊合作，將SiC功率元件使用於賽車的逆變器中