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揮別續航里程焦慮 打造電動車最佳化充電策略 (2024.04.29)
隨著電動車持續發展，300英里成為標準，續航里程焦慮開始消散。
各國已制定不同的電動車標準，以因應不同的需求和應用。
透過實驗室模擬，才是驗證電動車和充電樁互通性的最佳方法 |
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化 |
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ST碳化矽數位電源方案被肯微科技採用於高效伺服器電源供應器 (2024.03.22)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作，設計及研發使用ST領先業界的碳化矽（SiC）、電氣隔離和微控制器的伺服器電源參考設計技術 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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Microchip 3.3 kV XIFM 隨插即用mSiC 柵極驅動器上市 (2024.02.23)
碳化矽（SiC）技術在交通、電網和重型商用車等中高壓應用領域的採用日漸廣泛。Microchip今日推出採用Augmented Switching專利技術的3.3 kV XIFM 隨插即用mSiC柵極驅動器。該驅動器採用預配置模組設置，開箱即用，可大幅縮短開發人員設計和評估時間，幫助部署SiC解決方案並快速推進開發流程 |
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意法半導體碳化矽技術為致瞻提升電動汽車車載空調控制器效能 (2024.01.30)
意法半導體（STMicroelectronics；ST） 宣布與聚焦於碳化矽（SiC）半導體功率模組和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為其電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽（SiC）MOSFET技術 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2024.01.02)
隨著全球能源需求於2030年預計將增長30%，同時碳排放量目標擴大至減少45%（控制全球暖化在攝氏1.5℃以內），再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前，人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭，但現在人們轉變思維，更注重人類在地球上的永續生存方式 |
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碳化矽電子保險絲展示板提升電動汽車電路保護效能 (2023.12.25)
電動汽車開發設計人員現在正專注於增強高壓保護電路的效能，並且提高可靠性，而電子保險絲作為電路保護解決方案不斷發展，成為優先採用的方法。 |
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ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2023.12.18)
再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前，人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭，但現在人們轉變思維，更注重人類在地球上的永續生存方式。 |
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ROHM與Toshiba合作製造功率元件 強化日本半導體供應鏈 (2023.12.12)
隨著汽車電氣化的快速發展，更高效、更小巧的電動動力總成持續發展。而在工業應用領域，為了支持日益成長的自動化和高效率要求，使得電源供應和管理的重要零件—功率元件的穩定供應和特性改進成為要項 |
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「科技始之於你」首屆ST Taiwan Tech Day聚焦四大趨勢 展示創新成果 (2023.10.31)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）將於11月2日在台北文創舉辦首屆ST Taiwan Tech Day。該活動旨在為客戶和合作夥伴提供創新和成功所需之產品和解決方案的相關資訊。
本次活動以「科技始之於你」為主題，針對四大趨勢：智慧出行、電源與能源、物聯網與連接，以及感知世界等方向規劃多場演講，同步展示多達40個精心策劃的解決方案 |
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四大技術爭奪EV充電樁主流標準 (2023.09.23)
各國正重點推廣電動車，車廠也紛紛公佈了應對的策略。隨著電動車的普及，意味著汽車的動力來源已從補充汽油的形式，傳換補充電力的形式，這也使得充電站的普及變得非常重要 |
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博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀... |
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Diodes新款碳化矽MOSFET符合車規 可提升車用子系統效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET—DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列N通道MOSFET產品可滿足市場對SiC解決方案不斷成長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器(OBC)、高效DC-DC轉換器、馬達驅動器及牽引變流器 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體 |
