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東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品 |
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ROHM SiC SBD成功應用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（總公司：日本京都市）開發的第3代SiC蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）已成功應用於Murata Power Solutions的產品上。Murata Power Solutions是擅長電子元件、電池、電源領域的日本著名製造商—村田製作所集團旗下的企業 |
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ROHM內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」 |
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擴大SiC功率元件產能 ROHM Apollo環保新廠房完工 (2021.01.13)
面對全球的能源短缺問題，節能將是開發未來電子元件的重要考量，尤其在電動汽車與工業4.0領域，SiC SBD與SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成為電動車和工業裝置的關鍵元件 |
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Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案，同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項 |
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Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽（SiC）的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量，協助工程師研發創新的電源解決方案；這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等 |
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Microchip宣佈推出全新碳化矽（SiC）產品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透過其子公司Microsemi（美高森美）宣佈推出一系列SiC功率元件。該系列元件具有良好的耐用性，以及寬能隙(wide-bandgap)半導體技術優勢。它們將與Microchip各類微控制器和類比解決方案形成產品的互補優勢，加入Microchip不斷壯大的SiC產品組合，滿足了電動汽車和其它大功率應用領域迅速發展的市場需求 |
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ROHM推出1700V全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」 在高溫高濕環境下實現可靠性 (2018.12.05)
半導體製造商ROHM（總公司：日本國京都市）針對以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業裝置用電源逆變器(Inverter)和轉換器(Converter)，研發出實現可靠性的保證額定值1700V 250A的全SiC功率模組「BSM250D17P2E004」 |
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看準SiC低耗能、高效率 羅姆將其用於賽車逆變器 (2018.10.04)
羅姆於碳化矽製程以有18年的經驗，除了常見的將碳化矽元件使用於新能源及電動車上之外，羅姆於2016年也與Venturi Formula E團隊合作，將SiC功率元件使用於賽車的逆變器中 |
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馬達控制技術趨勢 (2018.05.31)
馬達控制IC的應用範圍越來越廣，不論是在工廠或是居家用品，都能看見它的身影，整合度高、驅動能力強為近年的設計要點。 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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ROHM於福岡增建新廠房 擴大SiC功率元件產能 (2018.04.19)
半導體製造商ROHM決定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）的筑後工廠增建新廠房，以因應日漸升高的SiC功率元件生產需求。
該新廠房為地上3層建築，總建築面積約11,000平方米 |
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美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD)，進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合 |
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「Formula E 電動方程式賽車」使用ROHM全SiC功率模組 (2017.12.03)
ROHM於12月2日開幕的世界最高等級電動車賽事「FIA Formula E 電動方程式賽車2017-2018（第4季）」中，再次提供全SiC（碳化矽）功率模組予合作夥伴VENTURI車隊，讓車輛的性能取得更好的表現 |
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電源需求方興未艾 羅姆打造全方位電源方案 (2017.11.16)
從物聯網、無線充電到電動車，
各領域市場對於電源供應的需求呈現多元與複雜化，
而羅姆也以自家技術，打造全方位電源方案來應戰。 |
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車電首重功能安全 需符合ISO26262規範方可上路 (2017.10.17)
有鑑於IoT正帶起一波聯網產品的風潮，羅姆（ROHM）LSI產品開發本部應用工程部部長山本勳指出，針對IoT的電源需求大致上可以分為兩大類，一類是在與機器通訊的過程中，必須盡可能減少電力的耗損，另一類則是高壓的供電需求 |
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擴增全碳化矽功率模組陣容 協助高功率應用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封裝在IGBT模組市場中成功擴增涵蓋100A到600A等主要額定電流範圍的全SiC模組陣容，可望進一步擴大需求。 |
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高突波電流耐受量SiC蕭特基二極體能大幅度改善運轉時效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率 |
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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗 |
