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東元建構綠色移動事業版圖 跨足快充電樁、改裝車電氣化市場 (2024.04.17)
2024年台灣國際智慧移動展今（17）日揭幕，東元電機今年以「綠色移動夥伴-東元電動載具高效動力生態系」為主題，展出可供12m巴士使用的新產品「SiC高效直驅系統」，與打入美國改裝肌肉車的130kW二合一動力，以及其他可對應船舶、機具車等不同應用的模組化動力系統 |
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「科技始之於你」首屆ST Taiwan Tech Day聚焦四大趨勢 展示創新成果 (2023.10.31)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）將於11月2日在台北文創舉辦首屆ST Taiwan Tech Day。該活動旨在為客戶和合作夥伴提供創新和成功所需之產品和解決方案的相關資訊。
本次活動以「科技始之於你」為主題，針對四大趨勢：智慧出行、電源與能源、物聯網與連接，以及感知世界等方向規劃多場演講，同步展示多達40個精心策劃的解決方案 |
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SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中，由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要，只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫，才能得到廣大的車廠認可，而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範 |
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投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。 |
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東元電機首季營收創13年來新高 續推業界首款SiC車用驅動器 (2023.04.12)
即使面臨2023年全球經濟疫後下滑、通膨加劇，依東元電機最新公布Q1（1~3）月合併營收，仍創下13年來新高，又以機電系統暨自動化事業群扮演主要動力之一。在今（12）日開幕的台灣國際智慧移動展中，東元更首度曝光台灣業界首款自主研發、設計、製造的SiC（碳化矽）高功率直驅電動車用驅動器 |
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PI推出符合汽車產業標準的IGBT/SiC模組驅動器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 該驅動器適用於原創、再製和新型 SiC 變體，適用目標為電動車輛、混合動力和燃料電池車輛 (包括公車和卡車) 以及建築、採礦和農業設備的大功率汽車和牽引變頻器 |
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科銳推出新系列SiC功率模組 助電動車快充和太陽能加速量產 (2021.01.21)
碳化矽技術大廠科銳(Cree)宣佈推出Wolfspeed WolfPACK功率模組，擴展其解決方案，提升電動車快速充電、可再生能源、儲能和各種工業電源應用的性能。通過採用1200V Wolfspeed MOSFET技術，該新型模組成功在簡單易用的封裝內實現效率最佳化，幫助設計人員開發出尺寸更小、擴展性更好、效率和性能皆顯著提升的電源系統 |
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科銳與ABB宣佈SiC元件合作 供汽車和工業領域解決方案 (2019.11.21)
全球碳化矽（SiC）技術領先企業科銳（Cree）與ABB電網事業部宣佈達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的採用。協定內容包括在ABB種類齊全的產品組合中，將採用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將有助科銳擴大客戶基礎，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場 |
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電力資源正危急 讓我們明智使用它 (2019.10.16)
我們管理電力的方式必須改變，這有兩個原因：我們需要每瓦特功率做更多，以及需要為一切工作產生更多的功率。 |
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看準SiC低耗能、高效率 羅姆將其用於賽車逆變器 (2018.10.04)
羅姆於碳化矽製程以有18年的經驗，除了常見的將碳化矽元件使用於新能源及電動車上之外，羅姆於2016年也與Venturi Formula E團隊合作，將SiC功率元件使用於賽車的逆變器中 |
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「Formula E 電動方程式賽車」使用ROHM全SiC功率模組 (2017.12.03)
ROHM於12月2日開幕的世界最高等級電動車賽事「FIA Formula E 電動方程式賽車2017-2018（第4季）」中，再次提供全SiC（碳化矽）功率模組予合作夥伴VENTURI車隊，讓車輛的性能取得更好的表現 |
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英飛凌全SiC模組開始量產 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系統成本：這些都是碳化矽 (SiC) 電晶體的主要優點。英飛凌科技(Infineon) 於去年PCIM展會發表的全SiC模組EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡PCIM展會上，英飛凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模組平台和拓樸，將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界 |
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擴增全碳化矽功率模組陣容 協助高功率應用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封裝在IGBT模組市場中成功擴增涵蓋100A到600A等主要額定電流範圍的全SiC模組陣容，可望進一步擴大需求。 |
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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗 |
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科銳新型碳化矽功率模組較尖端技術矽模組 (2013.05.16)
科銳公司為業界帶來首顆以業界標準45 mm封裝的商用化碳化矽(SiC)六單元(six-pack)功率模組。在相同矽模組額定電流值下，科銳的六單元碳化矽(SiC)模組可降低功率損耗達75%，散熱片尺寸可以立即減少70%或提高功率密度50% |
