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DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
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SoIC引領後摩爾定律時代：重塑晶片計算架構的關鍵力量 (2025.12.09)
SoIC不僅象徵後摩爾定律時代的技術方向，也代表台灣在全球技術競局中持續領先的關鍵力量。當全球算力需求加速成長，SoIC 將是推動未來十年半導體產業變革的核心引擎 |
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中國正嘗試以DDR5替代傳統由HBM主導的AI記憶體市場 (2025.11.19)
中國在記憶體領域正在悄然發動一場變革。據報導，部分中國記憶體製造商正積極推進 DDR5 在AI加速器中的應用，並期望以 DDR5 替代傳統由HBM主導的市場。
在傳統架構中，HBM 由於其極高的記憶體頻寬與低功耗特性，一直是大型 AI 推理與訓練加速器的首選 |
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新思科技與台積電合作帶動下一波AI與多晶粒創新 (2025.11.18)
新思科技（Synopsys）擴大與台積電（TSMC）在先進製程、封裝與設計賦能（design enablement）上的合作，藉由完整的 EDA 工具、AI 驅動設計平台以及廣泛的基礎與介面 IP，協助全球半導體客戶加速 AI 與多晶粒晶片的創新與量產 |
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台灣機械設備業挺進先進封裝生態鏈 (2025.11.12)
對於台灣機械設備與材料產業而言，這既是被動應對全球變動的必要策略，也是主動從「設備／材料出口」轉型為「高階封裝整合生態系統供應商」的千載機會。 |
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CMP Slurry市場迎成長動能 半導體製程驅動材料新契機 (2025.11.04)
隨著半導體製程技術不斷朝向更細、更複雜的節點演進，對高性能晶圓拋光材料的需求正快速攀升。根據最新市場報告顯示，化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）Slurry 市場規模預計至 2035 年將達約 61 億美元，年複合成長率約為 5.7% |
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3D晶片新型「雙面PI-Ni」TSV技術 實現超低漏電 (2025.10.27)
3D晶片整合的關鍵技術「矽穿孔」(TSV) 有了新的突破，《Microsystems & Nanoengineering》期刊日前發布一項研究，揭示一種新型「雙面PI-Ni」TSV製程。此技術透過創新的雙面加工流程 |
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邊緣AI拚整合 工研院秀創新異質封裝與記憶體技術 (2025.09.14)
AI運算有兩大路線，一個大型雲端服務商搶佔的生成式AI，另一個則是在終端裝置上實現的邊緣AI，而後者將會滲透入百工百業，是AI技術影響層面最大的技術。而在今年的 SEMICON Taiwan展中 |
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台灣供應鏈突圍與全球先進封裝競局 (2025.09.08)
本文聚焦台灣供應鏈如何化解卡點，並延伸至HBM4／HBM4e技術節點與美日韓擴產後的全球競局。 |
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封裝決勝未來：半導體的黃金引擎 (2025.09.08)
先進封裝突破製程微縮瓶頸，透過異質整合與高密度互連，成為推動多項應用邁向新世代的關鍵推手。 |
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以先進封裝重新定義運算效能 (2025.09.04)
在過去近六十年的時間裡，半導體產業的發展軌跡幾乎完全由摩爾定律所定義，即積體電路上可容納的電晶體數目，約每18至24個月便會增加一倍，帶來處理器效能的翻倍成長與成本的相對下降 |
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AI熱潮推升HBM需求 SK海力士登上全球DRAM收入冠軍 (2025.09.03)
AI運算浪潮持續升溫，高頻寬記憶體（HBM）也成為推動產業轉型的關鍵核心。根據最新市場調查，HBM 在資料中心 AI 伺服器與先進 GPU 應用需求的帶動下，出現前所未有的成長 |
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揭密TGV製程中的隱形殺手：EBSD如何破解應力難題 (2025.08.14)
在材料分析領域裡，電子顯微鏡技術叫做EBSD。而在TGV製程中，晶粒排列與應力分布的微小差異，往往決定了產品的可靠度。 |
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三星Q2獲利大幅下滑 仰賴Tesla訂單與HBM策略重振榮光 (2025.08.01)
2025 年第二季，Samsung公布財報顯示，其營業利潤年減 55%，其中以晶片部門表現最為低迷，已連續四季呈現虧損，凸顯全球記憶體市場與先進製程壓力尚未完全緩解。不過，隨著 AI 應用快速擴張，Samsung 也找到了潛在轉機：近期正式與 Tesla 達成總值高達 165 億美元的晶片代工協議，預計將成為公司半導體事業的重要支撐 |
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HBM4加速AI創新發展 美光12層堆疊HBM4送樣多家客戶 (2025.06.12)
隨著生成式 AI 蓬勃發展，推動資料中心與雲端運算能力不斷向上突破，高頻寬記憶體（HBM）扮演的角色變得前所未有地關鍵。美光科技12層堆疊、容量36GB的HBM4記憶體已送樣給多家客戶，標誌著AI運算架構進入全新里程 |
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SK海力士展示HBM4技術 預計2025下半年量產 (2025.04.28)
韓國SK海力士公開展示12層HBM4及16層HBM3E技術。此次展示的HBM4容量最高可達48 GB，頻寬為2.0 TB/s，I/O速度為8.0 Gbps，並預計於2025年下半年開始量產。
同時亮相的還有全球首款16層HBM3E，其頻寬達到1.2 TB/s |
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意法半導體打造矽光子技術 引領資料中心與AI運算 (2025.04.01)
在高效能運算與人工智慧應用快速發展的背景下，資料中心對高速、低功耗的光學互連技術需求日益提升。意法半導體描繪了對未來科技的願景。 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展，記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案，以即時處理海量數據。因此，記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |
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應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式 (2024.11.21)
為加速推進高效能、低功率的AI晶片新封裝技術，應對次世代節能運算需求。應用材料公司近日於新加坡主辦高峰會，除集結超過20多位半導體產業頂尖的研發領袖，並鼓勵設備製造商、材料供應商、元件廠商與研究機構之間聯盟合作，並採用專為加速先進晶片封裝技術商業化而設計的新合作模式，宣布推動全球EPIC創新平台擴展計畫 |
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巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年 (2024.10.24)
巴斯夫和Fraunhofer 光子微系統研究所近日共同慶祝在光子微系統領域的合作達10周年。雙方一直致力於半導體生產和晶片整合領域的創新和客製化解決方案，合作改進微晶片的互連材料 |
