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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18)
因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求，筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」，此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案，邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用，探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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安森美完成收購GT Advanced Technologies 強化碳化矽實力 (2021.11.02)
安森美(onsemi)，於美國時間11月1日宣佈，已完成對碳化矽(SiC)生產商GT Advanced Technologies（「GTAT」）的收購，確保和增加SiC供應的能力。
安森美的客戶將受益於GTAT在晶體生長方面的豐富經驗，及其在開發晶圓就緒的SiC方面令人嘆服的技術能力和專業知識 |
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報告：SiC將在電動公共汽車市場高速成長 (2021.01.12)
碳化矽(SiC)技術正在滲入電動公共汽車市場。技術開發商Cree|Wolfspeed功率產品市場與應用高級總監Guy Moxey先生表示：「從全球的角度來看，純電動汽車(BEV)預計在2025年將占汽車產量的7% |
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Cree與StarPower助客車廠商開發SiC電機控制器系統解決方案 (2020.06.10)
宇通客車（宇通集團）於日前宣佈，其新能源技術團隊正在採用基於科銳（Cree, Inc.）1200V SiC元件的Stare半導體功率模組，開發更高效率，更快，更小，更輕，更強大的電機控制系統，各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業化應用 |
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IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計 |
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IR iP2005A縮小40%封裝且降低功率耗損和EMI (2008.03.05)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出iP2005A全面優化功率級解決方案，適用於為遊戲、電腦運算和通訊應用而設的高電流同步降壓多相位轉換器。
這款iP2005A的體積較前一代的元件小百分之四十，但能夠提供高達1.5MHz的效率作業，讓設計人員可透過盡量減少輸出電容器和電感器的數值，進一步減少佔板面積 |
