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為嵌入式系統注入澎湃動力 開啟高效能新紀元 (2024.10.07)
嵌入式系統正變得越來越複雜，對高效能、高精度和安全性的需求也日益增加。為應對這些挑戰，Microchip Technology 不久前也推出全新dsPIC33A系列數位訊號控制器（DSC），以滿足嵌入式系統日益增長的複雜性和高效能要求 |
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Diodes推出首款極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司發佈特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同級產品中實現了極高的電流密度，以低順向壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的可攜式、行動和穿戴式設備克服了設計難題 |
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Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件 (2023.12.28)
Transphorm與Weltrend Semiconductor（偉詮電子）合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝（SiP）SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A，在准諧振反激式（QRF）拓撲中可實現92.2%的效率 |
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愛德萬測試瞄準NAND Flash/NVM市場 推出記憶體測試產品生力軍 (2023.12.19)
愛德萬測試 (Advantest Corporation)宣布旗下記憶體測試產品線再添三大生力軍。新產品瞄準NAND Flash和非揮發性記憶體 (NVM) 元件而設計，這類元件往往承受須壓低測試成本及測試區的總持有成本 (COO) 的龐大壓力 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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ST推出射頻整合被動元件 全面提升STM32WL MCU性能 (2023.03.28)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出九款針對STM32WL無線微控制器（MCU）優化的射頻整合被動元件（RF IPD，RF Integrated Passive Device）。新產品整合天線阻抗配對、巴倫和諧波濾波電路 |
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TI透過抗輻射和耐輻射塑膠封裝技術 擴展航太級產品組合 (2022.11.29)
德州儀器 （TI） 宣佈擴大航太級類比半導體產品組合，推出採用高度可靠的塑膠封裝產品，並適用於各種太空任務。TI 開發一種被稱為太空等級塑膠 （SHP） 的新裝元件篩檢規範，其可適用於抗輻射產品，並推出符合 SHP 認證的新型類比轉數位轉換器 （ADC） |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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Littelfuse推出全新TVS二極體系列 提供高可靠性及電壓保護 (2022.11.03)
Littelfuse公司宣佈推出全新5.0SMDJxxS-HRA TVS二極體系列。這些高可靠性TVS二極體經過精心設計、製造和篩選，提供強大的過電壓保護功能，初期故障率更低，並且在連續浪湧事件中達到零衰減 |
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認識線性功率MOSFET (2022.10.18)
本文針對MOSFET的運作模式，元件方案，以及其應用範例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢，與方案選擇的應用思考。 |
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西門子與聯電合作開發3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30)
西門子數位化工業軟體近日與聯華電子（UMC）合作，為聯華電子的晶圓對晶圓堆疊（wafer-on-wafer）及晶片對晶圓堆疊（chip-on-wafer）技術提供新的多晶片 3D IC 規劃、組裝驗證，以及寄生參數萃取（PEX）工作流程 |
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EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同 |
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ST推出成本敏感的新太空衛星應用經濟型輻射硬化晶片 (2022.03.29)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）簡化新一代小型低軌道（Low-Earth Orbit，LEO）衛星的設計和量產。低成本又可靠的低軌道衛星可以從低地球軌道提供地球觀測和寬頻網路等服務 |
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中央大學攜手是德 建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）攜手國立中央大學光電科學研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G基建及電動車創新之步伐 |
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導入低溫焊接LTS製程 宜特助客戶降低封裝Warpage變形量 (2021.07.27)
有鑑於近期異質整合晶片上板後的翹曲狀況頻率提升，導致後續可靠度因空冷焊而造成早夭現象，為協助客戶克服此一品質問題，宜特今宣布，導入低溫焊接LTS製程(Low Temperature Soldering |
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愛德萬測試針對高速掃描與軟體功能性測試開發創新方法 (2021.07.02)
愛德萬測試 (Advantest Corporation) 針對次世代解決方案進行先導測試，運用先進IC現有之高速串列I/O介面，在V93000平台同時執行高速掃描測試與軟體驅動功能元件測試。此全新方法能使在新的測試架構上的掃描測試結果與既有的方式相互吻合、同時能啟動且執行晶載測試軟體 |
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Mentor高密度先進封裝方案 通過三星Foundry封裝製程認證 (2020.12.01)
Mentor, a Siemens business宣佈其高密度先進封裝（HDAP）流程已獲得三星Foundry的MDI（多晶粒整合）封裝製程認證。Mentor和西門子Simcenter軟體團隊與三星Foundry密切合作，開發了原型製作、建置、驗證和分析的參考流程，提供先進多晶粒封裝的完備解決方案 |
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意法半導體推出薄型表面黏著包裝肖特基二極體提升功率密度和效能 (2020.08.24)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出26款採用薄型SMA和SMB扁平封裝、額定電壓25-200V、額定電流1-5A的肖特基二極體。
此款二極體的厚度1.0mm，相較標準SMA和SMB封裝產品薄50％，讓設計人員能夠在提升功率密度的同時節省空間 |
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意法半導體推出高整合度電源管理IC 滿足高整合系統的複雜功率需求 (2019.12.23)
橫跨多重電子應用領域半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出STPMIC1電源管理晶片（Power-Management IC；PMIC），其整合四個DC/DC降壓轉換器、一個DC/DC升壓轉換器和六個低壓降穩壓器（Low-Dropout Regulator；LDO），可滿足應用處理器之高整合系統的複雜功率需求 |
