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斷鏈風險驟升 業者與政府需審慎應對地緣政治 (2024.02.19)
少逾46個國家將舉辦各類選舉。除了台灣,日本、印度、印尼、俄羅斯、歐盟、非洲、墨西哥和美國等國家,未來一年內都將舉辦舉世關注的國家大選,牽動國際情勢甚鉅
巨磁阻多圈位置感測器的磁體設計 (2023.12.27)
本文說明設計磁性系統時必須考慮的一些關鍵因素,以確保在要求嚴苛的應用中也能可靠運行;並且介紹一種磁性參考設計,方便早期採用該技術。
創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)用來作為底層快取(LLC),目前面臨了三項挑戰;imec在2022年IEEE國際電子會議(IEDM)上提出一套創新的SOT-MRAM架構,能夠一次解決這些挑戰
2023.3月(第376期)神經網路-為晶片加速! (2023.02.24)
神經網路神複製人腦架構, 可將人類解決問題的過程公式化或模組化, 如此可以賦能電腦解決更為複雜的問題。 儘管全球研究人員正積極開發類神經網路技術, 但普及與實用化的進程還是相當遙遠
低碳電動車需求增加 馬達永磁材料為目前關鍵用途 (2023.02.17)
本次東西講座特別邀請中技社科技暨工程研究中心組長芮家瑋博士擔任講者,剖析關鍵材料的科技應用與風險管理。
產學合作創新機 廣達首推金屬機殼5G多天線通訊系統 (2020.06.05)
廣達電腦集結產學研發能量,開發出業界第一個結合金屬機殼的5G多天線通訊系統,結合創新的多天線(massive MIMO)技術及材料與製程技術,發展次世代高屏占比高速傳輸筆記型電腦,解決現今筆記型電腦無法同時達到高屏占比與高速Gbps傳輸之問題,並獲得經濟部技術處「A+企業創新研發淬鍊計畫」補助
結合吹風機之多功能裝置 (2018.10.08)
本作品是以吹風機為主體進行改良,使其除了保留以往的功能,還能擁有更多用途,而造就了這些功能的主因,是加裝了Wifi、Bluetooth與手機連結,做資料傳輸,因有兩種傳輸方式
Lab4MEMS專案獲歐洲創新大獎 (2016.12.09)
歐洲電子元件與系統領先計畫(Electronic Components and Systems for European Leadership,ECSEL)企業聯合會在義大利羅馬歐洲奈米電子論壇期間宣佈,Lab4MEMS 專案榮獲該組織2016年度創新獎
監控攝影機中的步進馬達應用和驅動器 (2015.12.22)
步進馬達可被看作是無需換向的電動馬達。通常的情況下,馬達中的所有繞組是定子的一部分,轉子是個永磁體,在可變磁阻馬達中,轉子是一些軟磁材料的齒塊。所有換向必須由馬達控制器在外部處理,通常情況下,馬達和控制器經由設計,令馬達可保持在任意固定位置,及向一個方向或另一個方向旋轉
美科學家展示自旋電子新進展 (2013.05.13)
物聯網(IoT)催生出了一個物物相連,所有設備都搭載資料處理和連線能力的龐大網路,但如何讓電子設備以最少的能源提供強大運算效能?一項科學研究可望為未來的電子技術發展奠定基礎,美國德拉瓦大學(University of Delaware)的科學家們證實了過去僅存在於科學理論中,迄今從未確切證實的由電子產生的磁場
稀土永磁材料產品鏈---用於鎳氫電池和電動車-稀土永磁材料產品鏈---用於鎳氫電池和電動車 (2011.07.05)
稀土永磁材料產品鏈---用於鎳氫電池和電動車
汽車應用中的磁電阻感應器 (2008.02.15)
磁電阻效應可應用於多種汽車內的感應器,主要是應用於測量機械系統的速度與角度。如此一來,磁場感應器就成為電子元件、磁性元件和機械元件所組成的複雜系統中的一部分
MRAM──更具行動應用前景的新世代記憶體 (2004.11.04)
MRAM擁有存取速度高、存取次數多、耗電量低及小體積、可嵌入式等特性,較現有的其他記憶體在可攜式電子產品的應用上更具優勢;本文將由MRAM的技術發展趨勢與廠商現況等面向,為讀者介紹此一新世代記憶體的應用前景
降低EMI干擾技術綜觀 (2004.09.03)
掌上型設備數目不斷成長,包括手機、PDA、數位相機等,對於有效和經濟的EMI遮罩設備的需求亦相應增長。在技術和功能大幅提高之下,所要求的遮罩保護技術將會更高。這些設備需要EMI防護,因此設計人員必須對差動方式發送信號、電源問題、佈局選擇和遮罩方案予以周詳考慮,全力將這些干擾減至最小
MRAM為我國磁儲存產業發展重點 (2003.08.20)
中央社報導,工研院光電所副所長黃得瑞於台灣磁性技術協會所主辦的研討會中指出,台灣目前磁性產業產值約為台幣100至200億元,且未來仍有發展空間,未來發展重點則是在磁儲存技術領域,尤其是MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)技術的研發
電子變壓器的市場與產業發展趨勢 (2000.02.01)
參考資料:


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