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ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路,推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體(SBD)「YQ系列」。 二極體的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用於各種應用
東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝(Toshiba)推出TRSxxx65H系列碳化矽(SiC)蕭特基二極體(SBD),這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片,用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域
ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半,為實現無碳社會,如何提高其效率已成為全球性的社會問題,而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體(簡稱SiC SBD)已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品
Littelfuse擴展eFuse保護IC系列 滿足多樣化和高標準應用需求 (2023.03.21)
Littelfuse宣佈公司的電子保險絲(eFuse)保護IC產品系列最新推出四款多功能電路保護元件。 最新推出的電子保險絲保護IC產品採用了創新設計,是3.3V至28V廣泛電源輸入應用的理想選擇,具有高度整合的保護功能
ROHM SiC SBD成功應用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM(總公司:日本京都市)開發的第3代SiC蕭特基二極體(以下簡稱 SBD)已成功應用於Murata Power Solutions的產品上。Murata Power Solutions是擅長電子元件、電池、電源領域的日本著名製造商—村田製作所集團旗下的企業
以降壓穩壓器解決電流迴路發送器功耗問題 (2022.10.27)
本文介紹如何使用 100 mA高速同步單晶片降壓型切換穩壓器取代LDO穩壓器,為電流迴路發送器設計精巧型電源。文中評估其性能,並選擇符合嚴格的工業標準的元件。並提供效率、啟動和漣波測試資料
HOLTEK推出6V/2A/1.2MHz同步降壓轉換器IC--HT74153 (2022.07.04)
盛群(Holtek)新推出同步降壓轉換器IC--HT74153,輸入電壓範圍2.5V至6V,可應用於3至4節乾電池及單節鋰電池的產品;2A的輸出電流能力,可提供穩定的電壓,能驅動低壓直流馬達及雷射二極體等大電流負載的應用,適用於攜帶式產品如按摩器、玩具及雷射投線儀等
羅姆推出小型PMDE封裝二極體 助力應用小型化 (2022.04.11)
ROHM為滿足車電裝置、工控裝置和消費性電子裝置等各類型應用中,保護電路和開關電路的小型化需求,推出了PMDE封裝(2.5mm×1.3mm)產品,此次又在產品系列中新增了14款機型
Diodes推出反向放電理想二極體控制器 提高保護電路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保護系統,免遭反向放電的理想二極體控制器產品。DZDH0401DW控制器驅動P通道MOSFET來模擬理想二極體,在高達40V的系統中,提供阻斷反向電流所需的高側導軌絕緣
HOLTEK推出新款低功耗200mA同步升壓轉換器--HT77xxFA (2021.11.29)
盛群半導體(Holtek)新推出一款高效同步升壓轉換器IC,HT77xxFA。適用於遙控器、無線滑鼠、血糖儀、電動剪及溫濕度計等產品。內置蕭特基二極體的設計可減少佈局面積,對於行動裝置的設備具有幫助
Littelfuse新增1700 V碳化矽蕭特基阻障二極體提供更快和低損耗開關 (2021.08.17)
Littelfuse公司今(17)日宣佈擴充其碳化矽(SiC)二極體產品組合,新增1700 V級產品適用於資料中心、建築物自動化和其他高功率電子應用。LSIC2SD170Bxx系列碳化矽蕭特基二極體採用TO-247-2L封裝,可選擇額定電流10A、25A或50A
ROHM擴大車電小型SBD RBR/RBQ產品線 增至178款 (2021.08.11)
半導體製造商ROHM研發出小型高效蕭特基二極體(SBD)「RBR系列」、「RBQ系列」各12款產品,適用於車電、工控和消費性電子裝置等電路整流和保護用途。目前該二個系列的產品線總計已達178款
Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品
ROHM內建SiC二極體IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」 損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」
英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飛凌科技推出具 650 V 阻斷電壓,採獨立封裝的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體
電源元件市場高成長 激化品牌創新與縱橫合作 (2020.12.02)
再生能源、智慧運算與無線互聯的科技願景當前,尋獲最適的新興材料、元件架構與系統設計,成為全球電源元件供應大廠爭相追求的火種—迸發創新的束束火光,已然在全球前沿電力電子市場發散熱力
Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球,電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽(SiC)等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽(SiC)蕭特基二極體(SBD)功率元件,為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案,同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項
貿澤供貨Microchip AgileSwitch相腳功率模組 整合MOSFET和二極體優點 (2020.10.16)
半導體與電子元件、授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布即日起供貨Microchip Technology最新的AgileSwitch相腳SiC MOSFET模組。此模組體積輕巧且具高整合度,整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二極體,將兩種裝置的優點結合到同一個解決方案之中
針對汽車嚴苛環境設計 完善電源供應系統佔小空間、省電及低EMI (2020.04.08)
本文探討汽車電源供應器規格的關鍵要求,以及因應汽車規範的解決方案,內容並提供多個範例解決方案,來一一說明高效能元件的組合如何輕易地解決以往無法克服的汽車電源難題
Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽(SiC)的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量,協助工程師研發創新的電源解決方案;這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等


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