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英飛凌推出新一代 ZVS 返馳式轉換器晶片組 (2024.03.22)
隨著 USB-C PD 充電技術逐漸普及，帶動整體消費市場對相容性強的充電器的需求提高。因此使用者需要功能強大而又設計精簡的適配器。英飛凌科技（Infineon）推出二次側控制 ZVS 返馳式轉換器晶片組 EZ-PD PAG2，由 EZ-PD PAG2P 和 EZ-PD PAG2S組合，並整合USB PD、同步整流器和 PWM 控制器 |
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高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）率先推出通過USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）規範認證的整合化數位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP為ST-ONE系列中的第三款控制器，其輸出電壓為28V，可簡化最高額定功率140W的充電器和電源轉接器的開發設計 |
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意法半導體新款隔離式降壓轉換器晶片靈活可變 (2023.06.06)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新款10W隔離降壓轉換器晶片L6983i，具備高效能、小包裝，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。
L6983i採用隔離降壓拓撲結構，需要的外部元件相較傳統隔離式返馳式轉換器少，並且不需要光耦合器，進一步節省物料清單成本和PCB面積，適合於需要隔離式DC-DC轉換器應用 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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英飛凌以8.3億美元收購GaN Systems 強化電源系統領導地位 (2023.03.03)
英飛凌與GaN Systems宣布．兩家公司已簽署最終協議，英飛凌將以8.3億美元的價格收購GaN Systems。GaN Systems是開發基於氮化鎵的電源轉換解決方案的全球技術領導者，總部位於加拿大渥太華，擁有200多名員工 |
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意法半導體推出HVLED101返馳式控制器 提升LED照明性能 (2023.03.01)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之HVLED101返馳式控制器適用於最高180W的LED燈具，其整合了各種功能、控制專利技術，並提供初級感測穩壓支援，助於提升照明性能並可簡化燈具電路設計 |
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意法半導體ST-ONEMP數位控制器 簡化高效能雙埠USB-PD轉接器設計 (2023.02.10)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的高整合度、高效能ST-ONE系列USB供電（USB-PD）數位控制器新增一個支援雙埠的ST-ONEMP晶片。
ST-ONEMP數位控制器採用市面第一個ST-ONE架構，在一個封裝內整合ArmR CortexR-M0+微控制器、高效能非互補有源鉗位返馳式控制器和USB-PD 3.1介面 |
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ROHM推出隔離型DC/DC轉換器 助力xEV應用實現小型化 (2022.12.14)
ROHM推出二款隔離型返馳式DC/DC轉換器「BD7F105EFJ-C」和「BD7F205EFJ-C」，非常適用於xEV（電動車）的主驅逆變器、車載充電器、電動壓縮機以及PTC加熱器等配備閘極驅動器的驅動電源 |
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英飛凌推出單級返馳式控制器 可電池充電應用實現擴展設計 (2022.12.09)
採用電池供電的電器是業界增長最快的市場區塊之一，此類應用需要節能、穩健和高性價比的電池充電方案。為了滿足這一需求，英飛凌推出了適用於返馳式拓撲結構的ICC80QSG單級PWM控制器，進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產品陣容 |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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英飛凌HFB控制器XDP與CoolGaN IPS 實現高功率密度 (2022.08.04)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。這一趨勢也為工程師帶來一道「難題」：如何在更小的尺寸內實現更高的功率水準，同時滿足散熱要求 |
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大聯大品佳推出Infineon 60W高效率超低待機功耗電源方案 (2022.06.02)
大聯大控股宣佈，其旗下品佳推出基於英飛淩（Infineon）ICE5GSAG器件的60W高效率超低待機功耗電源方案。
近年來，隨著全球用電設備的激增，電源技術也在不斷地創新迭代 |
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安森美推出USB PD應用方案 確保負載範圍內最佳能效 (2022.05.13)
安森美（onsemi），推出用於USB供電（PD）設計的全新三件套組產品。新的控制器和驅動器提供創新的功能，能顯著減少高能效AC-DC電源的物料清單（BOM）含量，尤其是在100 W以上的負載範圍 |
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ST VIPerGaN50功率電源轉換器 優化效能與小型化 (2022.04.12)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新款VIPerGaN50能簡化最高50W的單開關反激式功率電源轉換器設計，並整合一個650V氮化鎵（GaN）功率電晶體，優化電源的效能與小型化 |
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Power Integrations推出採750V GaN切換開關的高效率準諧振PFC IC (2022.03.22)
Power Integrations宣佈推出整合了 750 V PowiGaN 氮化鎵切換開關的 HiperPFS-5 系列功率因數修正 (PFC) IC。新款 IC 的效率高達 98.3%，無需散熱片即可提供高達 240 W 的功率，並且可以實現優於 0.98 的功率因數 |
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Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高壓切換開關 IC (2022.02.15)
Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了兩款符合 AEC-Q100 標準、額定電壓為 1700 伏特的 IC。這些新裝置是業界首款採用碳化矽 (SiC) 一次側切換 MOSFET 的汽車級切換電源供應器 IC |
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Power Integrations推超小型Type C轉換器InnoSwitch3-PD參考設計 (2021.11.11)
Power Integrations推出一個全新設計參考，其所描述的 USB Power Delivery (PD) 充電器具有高效能且所需元件極少。以 Power Integrations 的全新 InnoSwitch3-PD PowiGaN 返馳式切換開關和 HiperPFS-4 PFC 控制器 IC 為基礎 |
