帳號：
密碼：
相關物件共 1 筆
(您查閱第 頁資料, 超過您的權限, 請免費註冊成為會員後, 才能使用!)
Vishay發表新型20V P通道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay發表採用其新型p通道TrenchFET第三代技術的首款元件，該20V p通道MOSFET採用SO-8封裝，具最低的導通電阻。 新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時）、2.5mΩ（在4.5V時）和3.9mΩ（在 2.5V時）的超低導通電阻


  十大熱門新聞
1 意法半導體推出新款智慧型功率開關，具備小巧外型、高效率與高度可靠性
2 意法半導體推出全方位參考設計，專為低壓高功率馬達應用打造
3 新唐科技全新18 瓦 D 類音頻放大器具有降噪功能和低功耗
4 ROHM推出高功率密度新型SiC模組 助力車載充電器OBC實現小型化

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2025 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw