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富士通開發全新FRAM具有4 Mbit記憶容量 (2016.03.01)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司宣布，富士通成功開發具有4 Mbit記憶容量的全新FRAM（鐵電隨機存取記憶體）產品─MB85RQ4ML，此產品是以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體，於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有高密度，並開始以樣本量供貨 |
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[專欄]記憶體撞牆效應誰來解？ (2014.12.15)
電腦系統的效能精進，在近年來遭遇一些問題，例如處理器的時脈撞牆（Clock Wall）問題，即運作時脈難以超越4GHz，2011年第4季Intel推出第二代的Core i7處理器達3.9GHz，至今Intel所有的處理器均未超過3.9GHz |
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美高森美太空產品長期促動羅塞塔號探測器任務 (2014.12.03)
美高森美太空產品逾一萬五千個部署於長達十年的羅塞塔號探測器任務
美高森美公司（Microsemi）祝賀歐洲太空總署（ESA）、美國國家航空暨太空總署（NASA）和其合作夥伴的羅塞塔號（Rosetta）探測器成功達到了觀測67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任務目標 |
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Ramtron非揮發性狀態保存器通過汽車標準認證 (2009.05.21)
非揮發性鐵電記憶體(F-RAM)和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，其兩款非揮發性狀態保存器(nonvolatile state saver)FM1105-GA和FM1106-GA已經通過AEC-Q100 Grade 1認證 |
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Ramtron在V系列增添串列512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列產品中的第二款串列元件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列周邊介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
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Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100，是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性 |
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新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory;NVM）技術中脫穎而出，並取代目前主流的SRAM，成為終極的通用型記憶體解決方案 |
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Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體 (2008.09.18)
Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10，是100萬位元（Mb）、2.0至3.6V、具有串列外設介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，其特點是快速存取、無延遲（NoDelay技術）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
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Ramtron委任貝能國際擴大FRAM中國銷售管道 (2008.08.18)
Ramtron International將進一步增強中國市場滲透的措施，委任貝能國際（Burnon International）在中國內地及香港地區分銷其全系列產品。
過去七年半以來，Ramtron在中國市場的銷售大幅度成長，現在中國市場銷售額占該公司亞太地區銷售額超過三分之二 |
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08年Q2全球記憶體銷售 三星依舊稱王 (2008.08.11)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，根據統計資料，今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼，市場佔有率已超過了30%，持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位 |
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其陽選擇Ramtron的FRAM用於遊戲機解決方案 (2008.08.08)
台灣應用工業計算平台製造商其陽科技（Aewin Technologies），已在其以Intel為基礎的 GA-2000及以AMD為基礎的GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16 400萬位元FRAM非揮發性記憶體 |
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Energy Optimizers選擇FRAM用於管理插頭 (2008.07.25)
Ramtron宣佈，英國的 ZigBee和藍牙智慧節能設備設計和製造商Energy Optimizers已將Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串列F-RAM記憶體，設計用於其Plogg系列無線能量管理插頭中。F-RAM所提供的無延遲（NoDelay）寫入、幾乎無限的耐用性及低功耗特點 |
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Ramtron串列F-RAM達汽車電子AEC-Q100標準 (2008.05.28)
Ramtron International擴展其符合AEC-Q100標準要求的F-RAM記憶體產品，FM24CL64 64Kb串列F-RAM已通過認證，可在-40至+85℃的Grade 3汽車溫度範圍內使用。FM24CL64是Ramtron不斷擴充的通過Grade 1（+125℃）和Grade 3 AEC-Q100認證的汽車記憶體產品的一部分 |
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Ramtron串列F-RAM應用於工業自動化設計 (2008.05.26)
FRAM產品開發商及供應商Ramtron International宣佈，中國壓力傳送器與電磁流量計供應商上海威爾泰工業自動化公司已將Ramtron的FM25L16 16Kb串列F-RAM記憶體設計用於其2000S安全壓力傳送器中 |
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IBM成功開發自旋電子Racetrack Memory (2008.04.22)
IBM正式發表自旋電子技術的新型非揮發性記憶體Racetrack Memory。據了解，這種記憶體同時具備高性能、高穩定性等半導體優點，以及成本低、容量大等硬碟的特色。IBM表示，Racetrack Memory可在行動終端上儲存50萬首樂曲或3500部電影，相當於現有行動終端可儲存容量的約100倍 |
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Ramtron推出首款2Mb串列FRAM記憶體 (2008.04.21)
Ramtron成功開發業界首款200萬位元（Mb）、採用8腳TDFN（5.0×6.0mm）封裝的串列F-RAM記憶體。FM25H20以130奈米CMOS製程生產，是一款高密度的非揮發性F-RAM記憶體，它以低功耗操作，並且具有高速串列周邊介面（SPI） |
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Ramtron推出FRAM增強型系統管理解決方案 (2008.03.25)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體（FRAM）和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，推出64Kb、3V的Processor Companion產品FM3135，它結合了非揮發性FRAM記憶體與增強型即時時鐘/日曆（RTC）及整合式32kHz時鐘晶振之優點 |
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Ramtron升級FM31x Processor Companion系列 (2008.01.28)
Ramtron宣佈升級其FM31x Processor Companion系列，納入更高效的連續補充充電器和僅需標準12.5pF外部時鐘晶振的即時時鐘（RTC）。新型FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非揮發性F-RAM記憶體、高速雙線介面及高度整合的支援與外設功能，適用於基於處理器的先進系統 |
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東芝成功開發MRAM專用之新TMR元件 (2007.11.09)
東芝成功開發可達1Gbit以上儲存容量的MRAM新型TMR元件。據了解，東芝透過自旋注入反磁化方式（簡稱自旋注入方式），以及可大幅減小元件體積的垂直磁化技術。東芝並於美國佛羅里達州Tampa所舉辦的第52屆磁學與磁性材料年會（Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials；MMM）上發表這項研究成果 |
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非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探 (2007.10.26)
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。鐵電結構是基本的RAM設計，電路讀取和寫入簡單而容易。FRAM不需要定期更新，即使在電源消失的情況下，仍能儲存資料 |
