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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置,除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率
貿澤與NXP合作新版電子書 為汽車電動化設計挑戰提供解方 (2023.11.08)
貿澤電子(Mouser Electronics)與NXP Semiconductors合作出版最新的電子書《7 Experts on Designing Vehicle Electrification Solutions》(7位專家聯手獻策:設計汽車電動化解決方案)。NXP不斷突破汽車、工業和IoT、行動和通訊基礎架構市場的極限,同時提供解決方案,推動更有永續發展性的未來
英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今,3.3 kW的開關式電源(SMPS)透過採用圖騰柱PFC級中的超接面(SJ矽)功率MOSFET和碳化矽(SiC)功率MOSFET,以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵(GaN)功率開關等最新技術,使得功率密度可以達到100 W/inch3
關於台積電的2奈米製程,我們該注意什麼? (2022.07.29)
台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖,有什麼重要性?又會帶出哪些半導體製造技術的風向球?本文就從技術演進,以及市場競爭與成本的角度來切入分析。
評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。
英飛凌EiceDRIVER F3增強型系列閘極驅動器 提供全面短路保護 (2022.03.11)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出EiceDRIVER F3(1ED332x)增強型系列閘極驅動器,進一步壯大其EiceDRIVER增強型隔離閘極驅動器的產品陣容。 該系列閘極驅動器能夠提供可靠且全面的保護,防止短路故障的發生,讓包括IGBT在內的傳統功率開關以及CoolSIC寬能隙元件得到有效保護
意法半導體全新兩款雙通道閘極驅動器簡化電路設計 (2022.02.21)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)新推出兩款雙通道電氣隔離IGBT和碳化矽(SiC)MOSFET閘極驅動器,能在高壓電力轉換和工業應用中節省空間,簡化SiC和IGBT開關電路設計。 IGBT驅動器STGAP2HD和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD利用意法半導體最新的電氣隔離技術,並採用SO-36W寬體封裝,可承受6kV瞬態電壓
英飛凌發表 30 W- 500 W 功率級應用的 CoolGaN IPS 系列產品 (2021.05.06)
採用氮化鎵 (GaN) 這類寬能隙 (WBG) 材料製成的功率開關憑藉其優異效率及高速切換頻率,開啟了功率電子的新時代。因應此一發展,英飛凌科技推出整合功率級 (IPS) 產品 CoolGaN IPS 系列,成為旗下眾多 WBG 功率元件組合的最新產品
英飛凌EiceDRIVER Compact新系列 快速整合高切換頻率設計 (2020.12.24)
英飛凌科技針對旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔離閘極驅動器系列,推出新一代產品X3 Compact (1ED31xx)系列。此閘極驅動器採用DSO-8 300 mil封裝,提供單獨的輸出選項,並具備主動關斷和短路箝制功能
英飛凌推出新款雙通道隔離閘極驅動器 IC 系列產品 (2018.11.28)
英飛凌科技股份有限公司推出全新雙通道隔離式 EiceDRIVER IC 系列,適用於高效能電源轉換應用。新款閘極驅動器 IC 系列產品是高壓 PFC 與 DC-DC 級以及伺服器、電信及工業切換模式電源供應器 (SMPS) 中的同步整流級的理想選擇
ADI與Microsemi推出用於 SiC功率模組的高功率隔離閘極驅動器板 (2018.03.07)
亞德諾(ADI)與Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半橋SiC功率模組的高功率評估板,該評估板在200kHz開關頻率時可提供最高1200V電壓及50A電流。隔離板旨在提高設計可靠性,同時減少創建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本並縮短上市時程
Silicon Labs推出基於CMOS隔離技術的客製化固態繼電器解決方案 (2016.09.26)
Silicon Labs (芯科科技) 近日推出基於CMOS技術的突破性隔離型場效電晶體(FET)驅動器系列產品,使開發人員能夠自行選擇特定應用和高容量之FET來替代過時的機電繼電器(EMR)和基於光耦合器的固態繼電器(SSR)
芯科推新隔離閘極驅動器 為IGBT提供先進監測 (2016.09.12)
Silicon Labs(芯科科技) 近日推出ISOdriver產品系列之新型Si828x隔離閘極驅動器系列產品,其專為保護電源逆變器和馬達驅動應用中敏感的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)而設計。Si828x ISOdriver系列產品提供了工業隔離等級(5kVrms)和最佳的特性整合,包括選配式DC-DC轉換器、業界最快速的去飽和檢測、良好的時序特性以及卓越的雜訊和瞬變抑制能力
運用數位隔離器技術強化工業馬達控制效能 (2016.05.04)
系統設計人員在傳統上傾向選擇以光耦合器為基礎的解決方案,而數位隔離器則是一種以磁能為基礎的方法,本文著眼於這兩種方案的隔離要求,特別著重以磁能為基礎的隔離,在測量延遲時間所提升的性能
Silicon Labs隔離閘極驅動器推動高速電源系統發展 (2016.03.02)
Silicon Labs(芯科實驗室)推出新型隔離閘極驅動器系列產品,滿足最新電源系統的關鍵需求。新型Si827x ISOdriver系列產品基於Silicon Labs的數位隔離技術,提供閘極驅動器市場中高抗雜訊能力
Silicon Labs針對高功率數位音訊設計推新音訊驅動器 (2010.11.15)
芯科實驗室(Silicon Laboratories)於日前宣佈,推出Si824x隔離閘極驅動器系列產品,其主要針對高功率D類音訊系統而設計,輸出功率可達30W~1000W。新推出的Si824x D類音訊驅動器
英特爾宣佈突破性電晶體技術 (2007.01.28)
英特爾(Intel)宣佈一項重大的基礎電晶體設計突破,以兩種全新材料製作45奈米 (nm) 電晶體絕緣層 (insulating wall) 和開關閘極(switching gate)。下一代Intel Core 2 Duo(Intel 酷睿 2 雙核心處理器)、Intel Core 2 Quad(Intel 酷睿2 四核心處理器)和Xeon多核心處理器系列,將使用上億個這種超小型電晶體(或開關)


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