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ROHM推出實現業界頂級放射強度的小型表面安裝型近紅外LED (2025.03.25)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出小型頂部發光型表面安裝近紅外 (NIR)*1 LED新產品，非常適用於VR/AR*2設備、工業光學感測器、人體感應感測器等應用。
近年來，在VR/AR設備和生物感測設備等領域，對使用近紅外（NIR）的先進感測技術需求不斷增加 |
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香港大學研發可伸縮有機電化學電晶體 開啟穿戴科技新紀元 (2025.03.19)
根據.embedded.com的報導，香港大學研究團隊在穿戴式科技領域取得突破性進展，成功研發出可伸縮的有機電化學電晶體（OECTs）。這項創新技術結合了彈性、微型化和即時運算能力，有望徹底改變穿戴式裝置的舒適性和功能性 |
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感測，無所不在 (2025.03.14)
從自動駕駛汽車到智慧家居，從工業機器人到無人機，越來越多的應用需要機器能夠感知和理解周圍的環境。而實現這一目標的關鍵，便是環境感知技術及其核心零組件。 |
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2奈米製程競爭白熱化 台積電領先、三星追趕、英特爾奮力 (2025.03.13)
在全球半導體產業中，2奈米製程技術的發展正成為各大晶圓代工廠爭相追逐的焦點。台積電、三星和英特爾三大廠商，皆計劃在2025年實現2奈米製程的量產。
台積電在先進製程方面持續領先 |
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貿澤電子與NXP攜手推出全新電子書 提供關於電動車馬達控制的專家觀點 (2025.03.11)
推動創新、領先業界的新產品導入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣佈與NXP Semiconductors合作出版全新電子書，書中探討工業和汽車等系統的電氣化對於馬達控制技術進步與創新的高依賴度 |
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意法半導體發表 STM32U3 微控制器，進一步推動超低功耗創新 適用於遠端、智慧與永續應用 (2025.03.05)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），推出全新 STM32U3 微控制器（MCU），採用先進的節能技術，有助於智慧連網技術的應用推廣，特別適用於遠端環境 |
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3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能 |
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應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25)
電子束成像一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統，幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束（eBeam）技術結合先進的AI影像辨識，能夠提供更精準、快速分析先進晶片的奈米級缺陷 |
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科林研發新型導體蝕刻機台具備新穎電漿處理技術 (2025.02.25)
Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術，可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能，助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰 |
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乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案 |
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CTIMES編輯群解析2025趨勢 (2025.01.10)
每年的一月，CTIMES編輯群們針對自身所關注的領域，提出各自對於科技產業的觀察心得與看法。今年AI應用在各產業所發揮的影響力更甚於以往，為產業增添許多的新變數，並持續為產業造就出更多的樣貌 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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IEEE公布2024十大熱門半導體文章 揭示產業未來趨勢 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精選了2024年最受歡迎的十大熱門半導體文章，作為回顧一整年的總結，同時也展望2025的新發展，以下就是其精選的內容：
1. 兆級電晶體GPU: 台積電預測十年內單個GPU將容納一兆個電晶體 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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奈米科技助陣 微晶片快篩時代即將來臨 (2024.12.17)
全球面臨各種健康威脅，快速、可靠的居家診斷測試需求日益迫切。紐約大學坦登工程學院研發出突破性微晶片技術，可望實現多疾病同步檢測、數據即時傳輸，將居家診斷推向新紀元 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
