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英特爾加速製程與封裝創新 驅動領導力產品路線 (2021.07.28)
英特爾首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案 |
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3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。 |
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益華電腦與GLOBALFOUNDRIES發表28 奈米超低功率製程ARM Cortex-A12處理器晶片設計定案 (2014.03.17)
益華電腦(Cadence Design Systems Inc.)於2014年美國矽谷舉辦的CDNLive大會中，與格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)共同宣布，已經將具備ARM Cortex-A12處理器的四核心測試晶片設計定案。以高達2 |
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ARM與聯華擴大28奈米IP合作 鎖定平價行動與消費性應用 (2014.01.14)
IP矽智財授權廠商ARM與晶圓專工大廠聯華電子今（14）宣布擴大合作協議，將提供ARM Artisan實體IP與POP IP供聯電28HLP製程使用。
針對鎖定智慧手機、平板、無線與數位家庭等各式消費性應用的客戶，聯華電子與ARM將透過本協議，提供先進製程技術與全方位實體IP平台 |
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2013行動裝置晶片處理器大匯串 (2013.01.15)
一年一度的CES 2013消費者電子展已完美落幕，各家廠商無不奮力展示自家極具創新的技術與產品。可以預見的是，2013絕對還是行動裝置設備的大時代，連一向統治PC領域多年的Intel，也不得不對臣服於這波『行動裝置勢力』狂潮 |
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三星14nm製程技術 Tape Out完成 (2012.12.23)
即使三星電子最近被採用Exynos系列處理器之行動裝置產品疑似存在著安全漏洞問題搞的烏煙瘴氣，但在邁向14奈米製程技術之路一樣沒有任何懈怠。繼格羅方德半導體以及英特爾後，三星也向外界宣布採用14奈米製程技術之行動晶片測試成功，該行動晶片不管是針對動態功耗以及漏電率方面皆有明顯改善 |
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GLOBALFOUNDRIES 矽晶片驗證 28nm AMS 生產設計 (2012.06.18)
GLOBALFOUNDRIES 日前擬利用高介電常數金屬閘極 (High-k Metal Gate, HKMG) 展示其 28nm 超低功率 (SLP) 技術的強化矽晶片驗證設計流程。透過最新的設計自動化技術，該設計流程為進階類比／混合訊號 (AMS) 設計提供了全面可靠的支援 |
