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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18)
因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求，筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」，此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案，邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用，探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
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ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27)
半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台灣台達電子（Delta Electronics）的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高產品性能和可靠性的同時，更實現了小型化 |
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Littelfuse超小型包覆成型磁簧開關適用於空間受限設計 (2024.02.27)
Littelfuse公司推出59177系列超小型包覆成型磁簧開關，為設計人員提供高度靈活性，滿足空間受限的應用需求。憑藉緊湊型設計和低功耗，59177系列磁簧開關為各類高速開關應用提供可靠的解決方案 |
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ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升，對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用 |
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ROHM推出LiDAR用120W高輸出功率雷射二極體 (2023.10.31)
半導體製造商ROHM推出一款高輸出功率半導體雷射二極體「RLD90QZW8」， 非常適用於搭載測距和空間識別用LiDAR的工控設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車） 和服務機器人、消費性電子領域的掃地機器人等應用 |
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ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域，由於物聯網（IoT）設備的需求漸增，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題，要求功率元件需不斷進行優化。另外，不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度 |
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矽光子發展關鍵：突破封裝與材料障礙 (2023.08.21)
最終的光電融合是3D共封裝光學，即三維整合。可以毫不誇張地說，基於矽光子的光電子融合，將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。 |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05)
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
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ROHM高性能650V耐壓GaN HEMT開始量產 (2023.05.18)
半導體製造商ROHM已開始650V耐壓氮化鎵（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，此二款產品適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。
據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的重要課題 |
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ROHM確立超高速驅動控制IC技術 更大程度發揮GaN性能 (2023.03.22)
ROHM確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC（負責GaN元件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題 |
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ROHM SiC SBD成功應用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（總公司：日本京都市）開發的第3代SiC蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）已成功應用於Murata Power Solutions的產品上。Murata Power Solutions是擅長電子元件、電池、電源領域的日本著名製造商—村田製作所集團旗下的企業 |
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三菱電機將建設新晶圓廠 增進SiC率半導體產能 (2023.03.14)
因應快速增長的電動汽車對於碳化矽（SiC）功率半導體需求，三菱電機（Mitsubishi Electric Corporation）宣布，至2026 年 3 月的五年內，將投資計畫增加達到約 2600 億日元，主要用於建設新的晶圓廠增加碳化矽（SiC）功率半導體的產量 |
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立錡科技與宜普電源轉換合作推出小型化140W快充解決方案 (2023.01.18)
宜普電源轉換公司（EPC）和立錡科技（Richtek）?手推出新型快充參考設計，使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204，可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉換?5 V~20 V的穩壓輸出電壓，並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流 |
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賀利氏針對先進封裝製程推出多款創新產品 提升半導體裝置效能 (2022.09.14)
在規模持續擴大的半導體市場中，5G、人工智慧和高效能運算等應用推動材料解決方案的發展，以應對先進封裝領域日益增長的需求和挑戰。半導體與電子封裝領域材料解決方案領導廠商賀利氏於 2022 台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）推出多款提升裝置效能的創新產品，包含散熱、微小化、消除缺陷和電磁干擾（EMI）等全方位解決方案 |
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無橋圖騰柱功率因數校正控制器 實現AC-DC 功率轉換效益 (2022.06.25)
隨著電源開關頻率不斷提高的發展趨勢，開關器件中的動態損耗會產生更大的影響。本文舉例說明如何使用無橋圖騰柱功率因數校正控制器，進而實現出色的 AC-DC 功率轉換效率 |
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V (2021.04.14)
半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路，將150V GaN HEMT（GaN元件）的閘極耐壓（閘極-源極額定電壓）提升至8V。
近年來，在伺服器系統等設備中，由於IoT裝置的需求日益增長，功率轉換效率的提升和裝置小型化已成為開發重點 |
