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英飞凌新一代CoolGaN电晶体系列采用8 寸晶圆制程 (2024.07.11)
根据Yole Group预测，氮化??（GaN）市场在未来五年内的年复合成长率将以46%成长。英飞凌科技推出两款新一代高电压（HV）与中电压（MV）CoolGaN产品，让客户可以在更广泛的应用领域中，采用 40 V 至 700 V 电压等级的GaN装置，推动数位化与低碳化进程 |
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记忆体应用发展的关键指标 (2024.07.01)
记忆体发展轨迹是随着越来越庞大的运算与感测功能而亦步亦趋，其应用发展的关键指标就会以容量、速度为重点来观察。当容量与速度越来越大、越来越快，可靠度也是未来发展的关键指标 |
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FlexEnable柔性显示技术创新产品目前已出货 (2024.06.18)
开发和生产用於有源光学和显示器的柔性有机电子产品供应商FlexEnable宣布，全球首款采用有机电晶体技术的量产消费电子产品已开始出货。这款名为Ledger Stax的装置是由法国市场领导者Ledger 开发的安全加密钱包 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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不断进化的电力电子设计：先进模拟工具 (2024.03.22)
电力电子设计领域正在快速演进，引领着高速、高效元件的新时代；而突破性的模拟工具，重新定义了工程师对电力系统进行概念化、设计及验证的方式。在虚拟原型设计中运用模拟工具，带来了设计流程的重大变革 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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GE科学家展示超高温SiC MOSFET产品效能 (2023.06.02)
来自通用电气研究（GE Research）的科学家们创造了一项新记录，展示可以承受超过温度 800 ℃的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）。这相较於之前已知的该技术演示高出 200℃，对於极端操作环境中未来应用深具潜力 |
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ICAA：以交流平台链结产业上下游夥伴 共谋智慧新未来 (2023.03.31)
近来ChatGPT引爆科技应用的无限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主导的新时代翩然到来。迎合新一阶段的智慧化浪潮，智慧产业电脑物联网协会(ICAA)与大联大控股世平集团透过「智慧物联 连接未来」交流会 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手机电池保护电路模组 (2023.03.03)
为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组 |
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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
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TI：以V2G的愿景展现电动车实力 (2022.09.29)
老化的电网正在面临全球前所未有的充电需求，而且这种压力可能只会随着汽车电气化而加剧。不过，如果电动车可以将电力送返电网来减轻负担，又会是什麽样的情境？
这个概念称为Vehicle to Grid (V2G)，设想电动车能够提供有助於加强电网的电池电力，尤其是在需求尖峰期间 |
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大联大友尚推出基於onsemi和GaN System产品之PD快充电源方案 (2022.09.20)
大联大控股宣布，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化??系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。
以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具 |
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大联大诠鼎推出高效超薄型200W LED驱动电源方案 (2022.09.15)
大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基於英诺赛科（Innoscience）INN650D01场效应晶体管的高效超薄型200W LED驱动电源方案。
随着人们对灯具品质的要求越来越高，传统的LED驱动器已经无法满足小而薄的灯具设计 |
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安森美於新罕布什尔州碳化矽工厂落成 提供客户必要供应保证 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美国时间8月11日举行了剪彩仪式，厌祝其位於新罕布什尔州哈德逊（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工厂的落成。
该厂区将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数也将成长近四倍 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来，功率半导体以矽为基础，但碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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三菱电机将推出商用双向无线电用的新型RF高功率MOSFET模组 (2022.07.14)
三菱电机株式会社宣布将於8月1日推出一款50W矽射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模组，用於商用双向无线电的高频功率放大器。该模组提供先进的763MHz至870MHz频段内功率输出50W，整体效率可达到40%，将有助於扩大无线电通信范围并降低功耗 |
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东芝与Farnell合作加强供应链 扩大新品及创新范畴 (2022.06.15)
东芝电子欧洲销售和行销子公司东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）扩大与Farnell的全球合作夥伴关系，Farnell为全球电子元件、产品和解决方案经销商，在欧洲以Farnell、北美的纽瓦克和在亚太地区的e络盟（element14）进行交易 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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自动对焦相机有效提升PCBA检测效率 (2022.04.21)
电子代工制造厂通过自动对焦相机进行影像撷取，实现PCBA电路板组装的即时检测，并标示出瑕疵，淘汰不合格的电路板，有效提升检测效率。 |
