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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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DC充电站：ST在功率与控制层面所遇到之挑战 (2021.04.23)
预计到2027年，全球电动汽车充电站市场规模迅速扩展，而亚太地区电动汽车销量的迅速成长推动了全球电动汽车充电站市场的成长。意法半导体（ST）产品可支援此一市场／应用 |
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马达变频器内的关键元件: 功率半导体 (2021.04.20)
全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高，未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。 |
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TRENCHSTOP IGBT7：工业驱动器的理想选择 (2020.09.30)
变速驱动器（VSD）相较于以机械节流进行的定速运作，能够节省大量电力。 IGBT7适合需要高效率和功率密度的变速驱动器使用。 |
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安森美高能效乙太网路供电方案 解决100W功率需求挑战 (2020.06.30)
网路规模的激增使得相应设备对功率的需求显着增长。乙太网路是这技术生态系统的关键一环。新的乙太网路供电(PoE)通用标准(IEEE 802.bt)提供高达90瓦的功率，安森美半导体的PoE-PD方案不仅支援新标准的功率限制 |
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Littelfuse推出经扩展的碳化矽肖特基二极体产品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四个隶属於其第2代产品家族的1200V碳化矽（SiC）肖特基二极体系列产品，该产品家族最初於2017年5月发布。
LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A，并采用主流的TO-220-2L封装 |
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简化高电压、高电流变频器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 变频器，探讨在降低成本的同时，提高系统效率及功能安全性的未来趋势。 |
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Littelfuse推出超低正向压降肖特基势垒整流器 (2016.03.17)
力特公司（Littelfuse）的功率半导体产品组合再添新成员—专为超低正向压降（VF）设计的矽肖特基器件。
DST系列肖特基势垒整流器非常适用于高频应用（如开关式电源）以及直流应用（如太阳能电池板旁路二极体和极性保护二极体），其设计目的是为了满足商业和工业应用的要求 |
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Littelfuse新型功率半导体适用于高频开关式电源和直流-直流转换器应用 (2016.03.15)
力特公司（Littelfuse）在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列：MBR系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于矽肖特基二极体技术的最新器件；DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度 |
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ST的二极体专利技术可大幅缩减充电器尺寸，并可加快充电速度 (2014.07.01)
意法半导体的新系列场效应整流二极体（FERD，Field-Effect Rectifier diodes） 完美解决了低正向压降（VF）与低漏电流（IR）之间不可兼得的矛盾关系，让充电器和笔记型电脑转换器（adaptor）等设备的设计人员在不使用成本更高的同步整流二极的前提下满足要求最严格的能效标准 |
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英飞凌于 PCIM 展展出 650V TRENCHSTOP 5 (2013.05.17)
英飞凌科技股份有限公司于德国纽伦堡举行的 PCIM Europe 2013 展会期间展出 650V TRENCHSTOP 5。自 2012 年秋季推出这款新一代薄晶圆绝缘闸双极性晶体管 (IGBT) 后，TRENCHSTOP 5 就获得了广大的市场瞩目，被视为改变游戏规则的技术 |
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安森美半导体推出突破性电源产品 (2012.03.07)
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 持续开发创新技术及产品，使公司能够为市场提供丰富的电源半导体方案 |
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安森美推出沟槽型低正向压降肖特基整流器 (2012.01.03)
安森美半导体（ON Semiconductor）近日推出新系列的100伏特沟槽型低正向压降肖特基整流器（LVFR），用于笔记本电脑适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流（DC-DC）转换器等应用 |
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Diodes推出一对崭新600V整流器 (2011.11.04)
Diodes公司针对功率因子校正（Power Factor Correction）升压二极管应用，推出一对崭新的600V DiodeStar整流器，以扩展其DiodeStar产品系列。DSR6V600P5和DSR6U600P5使用Diodes专有的powerDI5 封装 |
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ST推出新的高效能系列功率整流二极管 (2010.03.28)
意法半导体（ST）于日前宣布，推出新的高效能系列功率整流二极管 STPS50U100C，可协助产品制造商达到效能标准，如80 PLUS。节能已成为电源厂商和计算机厂商的主要卖点。为提高电源效能所提出的80 PLUS奖励计划，可透过减少能源浪费降低二氧化碳排放量 |
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NXP推出全新FlatPower封装MEGA Schottky整流器 (2008.10.15)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器。NXP此项新产品的正向压降（forward voltage-drop）表现，可以允许超过50安培的高锋值电流（high peak current），并且达到1W的Ptot功率耗散 |
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安森美推出新微型封装的晶体和二极管 (2008.08.13)
安森美半导体(ON)扩充离散组件封装系列，推出新微型封装的晶体管和二极管。新的封装技术能配合今日空间受限的便携设备的严峻设计需求。
安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：「对我们的可携式产品客户来说，小尺寸、低高度且同时具备功率密度都是设计流程中相当关键的参数 |
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Vishay推出高性能45V肖特基二极管 (2008.07.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出最大结温高达+175°C的业界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提升汽车及其他高温应用中的功率密度 |
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Vishay推出适用高温应用的第5代高性能二极管 (2008.01.31)
Vishay宣布推出适用于高温应用的新型高性能Schottky二极管第5代硅平台，以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。
Vishay新型Schottky二极管系列采用亚微米沟槽技术，最大结温为+175°C，适用于汽车及其它高温应用 |
