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西门子Solido IP验证套件 为下一代IC设计提供端到端矽晶品质保证 (2024.05.22)
西门子数位工业软体发布全新的 Solido IP 验证套件（Solido IP Validation Suite），这是一套完善的自动化签核解决方案，可为包括标准元件、记忆体和 IP 区块在?的所有设计智慧财产权（IP）类型提供品质保证 |
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美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
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SEMI：2024年首季全球矽晶圆出货总量下滑5% (2024.05.03)
SEMI国际半导体产业协会旗下矽产品制造商委员会 (SMG) 发布最新晶圆产业分析季度报告指出，2024年第一季全球矽晶圆出货量较上一季减少5.4%，降至2,834百万平方英寸 (MSI)，较去年同期3,265百万平方英寸同比下跌13.2% |
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A+计划补助电动车产业 驱动系统、晶片和SiC衍生投资3亿元 (2024.04.30)
为提升当前电动车主快充体验与满足长续航里程等需求，关键系统技术正持续进步。经济部也在近期「A+企业创新研发淬链计画」决审会议中通过3项计画，分别从电动车驱动系统、半导体晶片制程技术和碳化矽（SiC）元件的品质控制方面创新技术和提升产业 |
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运用能量产率模型 突破太阳能预测极限 (2024.04.17)
能量产率模型（Energy Yield Model）由欧洲绿能研究组织EnergyVille成员比利时微电子研究中心（imec）和比利时哈瑟尔特大学（UHasselt）所开发，该模型利用由下而上设计方法，精准巧妙地结合太阳能板的光学、温度及电气动力学，正在为太阳能预测带来全新气象 |
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以霍尔效应电流感测器简化高电压感测 (2024.03.27)
在电动车（EV）充电和太阳能逆变器系统中，电流感测器会透过监测分流电阻器中的压降，或是流过导体电流所产生的磁场来量测电流。这些高压系统使用电流资讯来控制与监测电源转换、充电与放电 |
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台积扩资本支出达280~300亿元 补助供应商加速减碳 (2024.02.19)
农历年节过後，受益於人工智慧（AI）热门话题带动台湾半导体产业股价屡创新高，又以台积公司身为晶圆代工龙头角色，更早在今年初1月18日法说会上，即宣告将加码资本支出280~320亿美元，扩及上中游半导体设备供应链厂商也可??受惠，能否加入的关键，则在其是否符合永续标准 |
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Ansys推出2024 R1 透过AI技术扩展多物理优势 (2024.02.19)
Ansys推出最新版本Ansys 2024 R1，旨在透过AI提升数位工程生产力。2024 R1结合开放式架构，简化工程工作流程，促进更强的协同合作及即时互动，并提升专案的成果。
新一代产品正在变成越来越复杂的系统，包括整合式电子产品、嵌入式软体和无所不在的连线能力 |
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英飞凌与 Wolfspeed 扩展多年期碳化矽 6 寸晶圆供应协定 (2024.01.25)
随着产业供应链对碳化矽产品的需求持续增加，英飞凌科技与Wolfspeed 公司共同宣布扩大於 2018 年 2 月所签署的长期 6 寸碳化 （SiC） 矽晶圆供应协定，并且延长期限。双方扩展的合作范围，包括一个多年期的产能预订协定，进而稳定英飞凌整体供应链，以因应汽车、太阳能、电动车应用及储能系统等领域对於碳化矽半导体需求成长 |
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台湾研究团队开发双模二维电子元件 突破矽晶圆物理限制 (2024.01.15)
在国科会「A世代前瞻半导体专案计画」支持下，清华大学电子所蔡孟宇博士、研发长邱博文教授、中兴大学物理系林彦甫教授和资工系吴俊霖教授等共同组成的研究团队，成功开发出新颖的双模式二维电子元件，不仅突破了传统矽晶圆的物理限制，还为高效能计算和半导体制程简化开启了新的方向 |
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英飞凌与SK Siltron CSS签订新碳化矽晶圆供应协议 (2024.01.14)
英飞凌科技宣布，与碳化矽（SiC）供应商 SK Siltron CSS 签订协议。根据协议，SK Siltron CSS 将提供高品质的 6寸 SiC 晶圆，用以支援 SiC 半导体的生产。在後续阶段，SK Siltron CSS 将在协助英飞凌过渡到 8 寸晶圆方面扮演重要角色 |
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长庚、明志跨校研发太阳能电池有成 获第20届国家新创奖 (2024.01.05)
由长庚大学吴明忠教授与明志科技大学??教授黄裕清组成的跨校研发团队，深耕「高效率半透明钙??矿太阳能电池技术」有成，丰硕研发成果在「第20届国家新创奖」中获得「学研新创奖」荣誉，并且为迎来好兆头，展现强强联手的丰沛研发能量 |
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日本强震影响半导体业可控 惟曝露供应链风险 (2024.01.03)
刚度过2024年跨年假期，日本石川县便在元旦当天下午发生规模7.6强震，让台日半导体业者在假期不平静，包括矽晶圆、MLCC及多间半导体厂停工检查。依半导体供应链业者初步了解 |
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经济部加强引进半导体材料设备投资 全球三巨头齐聚台湾 (2023.12.28)
为了维持台湾半导体产业长期竞争优势，经济部除了长期投资次世代半导体晶圆制造等先进技术研发外，亦着重建构先进半导体设备及高阶材料在台发展的能量。於今（28）日宣布近5年已投入近NT.65亿元，补助台湾设备及材料业者投入研发初见成效，至今共促进约137项自制产品，进入半导体国际供应链 |
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雷射辅助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台湾厂商还具备过去多年来於矽基半导体产业累积的基础，且有如工研院等法人单位辅导，正积极投入建立材料开发、雷射辅助加工制程等测试验证平台和服务，将加速产业聚落成型 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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EV GROUP将革命性薄膜转移技术投入量产 (2023.12.12)
EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剥离系统，这是首款采用EVG革命性NanoCleave技术的产品平台。EVG850 NanoCleave系统使用红外线（IR）雷射搭配特殊的无机物材质，在透过实际验证且可供量产（HVM）的平台上，以奈米精度让已完成键合、沉积或增长的薄膜从矽载具基板释放 |
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TI：扩大低功率GaN产品组合 实现AC/DC电源供应器体积缩小50% (2023.12.04)
德州仪器（TI）扩大其低功率氮化?? (GaN) 产品组合，旨在协助提升功率密度、最大化系统效率，以及缩小 AC/DC 电源供应消费电子和工业系统的尺寸。TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN 场效应电晶体 (FET) 整体产品组合，可解决常见的散热设计挑战，让供应器维持低温，同时以更小的体积推动更大功率 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM记忆体 为生成式AI应用提供更隹解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 记忆体，采用 32Gb 单片晶粒，以高达 8,000 MT/s 的同类最隹效能支援当前和未来的资料中心工作负载。此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计，包含人工智慧（AI）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等 |
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新思科技与台积电合作 在N3制程上运用从探索到签核的一元化平台 (2023.11.02)
新思科技近日宣布扩大与台积公司的合作，并利用支援最新3Dblox 2.0标准和台积公司3DFabric技术的全面性解决方案，加速多晶粒系统设计。新思科技多晶粒系统解决方案包括3DIC Compiler，这是一个从探索到签核一元化的平台，可以为产能与效能提供最高等级的设计效率 |
