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ROHM超高速奈秒级闸极驱动器IC可大幅发挥GaN元件性能 (2023.10.19)
近年来在伺服器系统等应用领域，由於物联网（IoT）设备的需求渐增，关於电源部分的功率转换效率提升和设备小型化已成为重要课题，要求功率元件需不断进行优化。另外，不仅在自动驾驶、工控设备和社会基础建设监控等应用领域中也非常广泛的LiDAR，也需要透过高速脉冲雷射光照射来进一步提高辨识精度 |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品 |
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ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称日立安斯泰莫）使用於电动车（以下简称EV）逆变器。
在全球实现减碳社会的过程中，汽车的电动化进程持续加速，在此背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路 |
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德州仪器与群光电能合作 将GaN解决方案导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器（TI）宣布与群光电能（群电）於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??（GaN、Gallium nitride）解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET，群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ，并提升电源转换效率至高达 94% |
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SiC牵引逆变器降低功率损耗和热散逸 (2022.08.25)
本文说明如何在EV牵引逆变器中驱动碳化矽（SiC）MOSFET，透过降低电阻和开关损耗来提高效率，同时增加功率和电流密度。 |
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以碳化矽MOSFET实现闸极驱动器及运作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驱动方式与传统的矽MOSFET和绝缘闸双极电晶体（IGBT）不同，本文叙述在碳化矽应用进行闸极驱动时，设计人员如何确保驱动器具备足够的驱动能力。 |
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TI 30A闸极驱动器 减少SiC MOSFET功率损耗和热散逸 (2022.08.11)
随着电动车（EV）制造商之间为了开发成本更低、续航里程更长的车型所进行的竞争日益激烈，电力系统工程师必须设法藉由降低功率损耗和提高牵引逆变器系统效率，来提升续航里程并增加竞争优势 |
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ROHM SiC技术助力SEMIKRON eMPack功率模组 打造次世代电动车 (2022.07.15)
SEMIKRON和半导体制造商ROHM在开发碳化矽（SiC）功率模组方面已经有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被运用於SEMIKRON车规级功率模组「eMPack」，开启了双方合作的全新里程碑 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙（WBG）元件碳化矽/氮化??（SiC/GaN）的需求。这类元件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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东芝五款MOSFET闸极驱动器IC新品采用超小型封装 (2022.06.09)
东芝电子元件及储存装置株式会社（简称东芝）为其TCK42xG系列MOSFET闸极驱动器IC 产品系列增加适用於穿戴式装置等行动装置的五款新品。该系列的新产品配备过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的闸极电压 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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英飞凌推出EiceDRIVER 2EDN闸极驱动器晶片 提升功率性能 (2022.03.31)
英飞凌科技股份有限公司近日推出新一代EiceDRIVER 2EDN闸极驱动器晶片系列。新元件是对现有2EDN驱动器晶片产品线的补充，可减少外接元件的数量，并节省设计空间，从而实现更高的系统效率、卓越的功率密度和持续的系统稳健性 |
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英飞凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V单通道闸极驱动器系列 (2021.12.22)
英飞凌科技，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极（SG）HEMT的性能，但也相容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用，包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、伺服器、机器人、无人机、电动工具以及 D 类音讯放大器等 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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采用LCC拓扑的二相输入300W交直流LED电源供应器 (2021.05.26)
本文探讨如何利用半桥式无引脚晶片载体（LCC）谐振转换器的数位控制功能，搭配同步整流，来打造300W电源供应器。 |
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ST推出低压专用闸极驱动器IC 改善无刷马达控制设计 (2021.01.20)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出一款75V以下低压工业应用高整合度三相半桥驱动器IC，这是一个节省空间、节能高效的马达控制解决方案，适用於控制电动自行车、电动工具、泵、风扇、轻型机械、游戏机和其他设备内的三相无刷马达 |
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降低开关损耗 儒卓力供货Rohm节能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽闸结构(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35% |
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英飞凌推出具备 TDI且超高功率密度的超小型闸极驱动器IC (2020.04.20)
每当 SMPS 内的功率 MOSFET 导通或关闭时，寄生电感会产生地准位浮动，可能造成闸极驱动 IC 的误触发。为避免这样的结果，英飞凌科技旗下具成本效益且尺寸精巧的 EiceDRIVER 1 EDN TDI (真差分输入) 1 通道闸极驱动器系列新推出一款装置 |
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英飞凌CoolSiC肖特基二极体系列新增D2PAK正2引脚封装 (2020.04.06)
英飞凌科技扩展其CoolSiC肖特基二极体1200V产品组合，新推出六款采用D2PAK正2引脚封装的产品。新产品采用SMD封装，助力打造体积更精简，更符合成本效益的设计。此外，新款D2PAK 2引脚封装移除了中间的引脚，爬电距离达到4.7mm，间距达到4.4mm |
