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Ampleon推挽式整合型Doherty电晶体 Sub-6GHz频段减少布局工作 (2022.02.25)
埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS电晶体技术，推出B11G3338N80D推挽式3级全整合型Doherty射频电晶体，该电晶体是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有Sub-6GHz频段。
这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的大型基地台 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用於各种工业、消费和专业??饪射频能量应用；由於它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW，因此具有非常高的功率与封装比 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω输入/输出250W双级2.4GHz模组 简化集成的复杂度 (2018.11.08)
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出小尺寸双级250W LDMOS射频功率模组BPC2425M9X2S250-1。 该高效率模组专为工作在2,400MHz至2,500MHz频段的大功率连续波（CW）工业、科学和医疗（ISM）应用而设计，尺寸为72mm×34mm，并整合了温度感测器（可简化其温度的监控）、内建散热器的最先进的多层板，以及一流的LDMOS技术 |
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Ampleon获得再融资以推动增长 (2018.11.02)
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布其最近获得了再融资方案。在全球协调者?丰银行（HSBC）的带领下，2018年10月5日，五家西欧银行联合商定了4亿美元的优先信贷额度，其中一部分包括??圈信贷额度 |
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200W LDMOS输入/输出匹配放大器模组加速433MHz系统开发 (2018.04.11)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模组该模组适用於各种电浆照明、工业加热、医疗、射频??饪和除霜应用。这款小巧轻便的pallet，其工作频率范围为423MHz至443MHz，尺寸仅为125mm×33mm，重量为85g，并可在脉冲波和连续波模式下工作 |
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埃赋隆半导体推出面向射频能量应用的ISM讯号产生器IC (2018.04.09)
埃赋隆半导体（Ampleon）宣布推出BLP25RFE001小讯号产生器IC，它提供一个可程式频率合成器，可产生位於433、915和2,400MHz ISM频段内的讯号。该器件特别设计用於各种射频能量应用，例如工业加热、解冻和??饪以及电浆照明 |
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埃赋隆半导体叁加EDI CON 2018大会 (2018.03.07)
埃赋隆半导体（Ampleon）宣布其叁加3月20日至3月22日在中国北京举行的电子设计创新大会（EDI CON）的详细资讯。
埃赋隆半导体所在的630号展位，位於中国国家会议中心的4楼，将会布置一系列的热门产品和演示 |
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安谱隆SOT502 ISM频段小型射频功率放大器 可提供600W功率 (2018.02.09)
安谱隆半导体（Ampleon）推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器电晶体。
这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS制程的射频能量电晶体该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化 |
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安谱隆半导体 投资者结构更新 (2017.12.06)
安谱隆半导体（Ampleon）最近对新股东奥瑞德光电股份有限公司的股权转让，所带来的现状进行澄清，目前正在履行正常的财务手续，待批准後，预计将於2018年中期完成。北京建广资产管理有限公司（JAC）目前正在管理所有股东，并将继续进行管理 |
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Ampleon建立全球射频电源合作伙伴 (2015.12.08)
Ampleon公司宣布，北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务之后，建立了Ampleon公司全球业务运作。 Ampleon公司即日起负责全部的射频（RF）电源业务活动，包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支援 |
