 |
四大技术争夺EV充电桩主流标准 (2023.09.23)
各国正重点推广电动车，车厂也纷纷公布了应对的策略。随着电动车的普及，意味着汽车的动力来源已从补充汽油的形式，传换补充电力的形式，这也使得充电站的普及变得非常重要 |
 |
东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等 |
|
经济部发表最新研发成果 领先三星推出最快磁性记忆体 (2022.09.14)
经济部技术处SEMICON Taiwan科技专案成果主题馆於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展览馆一馆四楼N0662摊位正式登场！共展出33项创新技术！首先最吸睛的技术，是由工研院携手多家台湾大厂，完成世界最快的SOT-MRAM阵列晶片，达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写的高耐受度，效能领先南韩大厂20% |
|
瑞萨推出新一代用於电动汽车逆变器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布开发新一代矽绝缘栅双极电晶体（Si-IGBT），以提供低功率损耗且小型的封装。针对新一代电动汽车（EV）逆变器的AE5 IGBT将於2023年上半年开始在瑞萨位於日本那??市工厂的200和300毫米产线上生产 |
|
下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
|
东芝新款碳化矽MOSFET双模组适用于工业设备 (2022.01.27)
东芝(Toshiba)推出两款碳化矽(SiC)MOSFET双模组：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的MG600Q2YMS3；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的MG400V2YMS3。此为东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成1200V、1700V和3300V元件的阵容 |
|
800V架构渐近 2025年电动车对6吋SiC晶圆需求将达169万片 (2021.12.01)
电动车市场对于延长续航里程及缩短充电时间有着极大需求，整车平台高压化趋势愈演愈烈，对此各大车企已陆续推出800V高压车型，例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等 |
|
【东西讲座】活动报导：功率模组就是电子驱动系统的心脏 (2021.11.14)
由CTIMES主办的【东西讲座】，上周五（11/12）举行了「让电动机车跑得更快、更远」讲题，由工研院电光系统所组长张道智博士担任讲师。他以电动载具应用的电子电力技术作为主轴，剖析功率元件对于电动载具的驱动和电控性统的重要性 |
|
马达变频器内的关键元件: 功率半导体 (2021.04.20)
全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高，未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。 |
|
ROHM SiC功率元件获车电系统厂UAES采用 助EV充电系统提升供电效率 (2020.03.17)
半导体制造商ROHM的SiC功率元件（SiC MOSFET）获得中国车界Tier1供应商-联合汽车电子有限公司（United Automot]ive Electronic Systems Co., Ltd.；UAES）采用，将应用於电动车充电器（On Board Charger；OBC）上 |
|
英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ，并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列，即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列 |
|
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充 |
|
英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案 |
|
美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
|
大联大品隹集团推出英飞凌1200 V碳化矽MOSFET技术 (2018.04.17)
致力於亚太区市场的领先零组件通路商大联大控股今日宣布，旗下品隹集团将推出英飞凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技术。
此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现，并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求，进一步提升可靠性和降低系统成本 |
 |
英飞凌SiC MOSFET新技术 让功率转换设计效能再创高峰 (2016.05.11)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本 |
|
ROHM将SiC-SBD和SiC-MOSFET包在1颗封装中，降低变流器的功率损耗 (2012.07.03)
ROHM日前推出适合工业装置及太阳能发电系统功率调节器等装置的变流器、转换器使用，耐压可达1200V第二代SiC MOSFET「SCH2080KE」。由于其低损耗与高可靠性等特性，因此可适用于各种应用领域，有效协助各种装置实现低耗电．小体积目标 |
