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100%绿电运营 英飞凌启用全球最大8寸SiC功率半导体晶圆厂 (2024.08.08) 英飞凌科技宣布,其位於马来西亚的新厂一期建设正式启动运营。建设完成後,该厂将成为全球最大且最具竞争力的8寸碳化矽(SiC)功率半导体晶圆厂。马来西亚总理拿督思里安华、吉打州务大臣拿督思里莫哈末沙努西与英飞凌执行长 Jochen Hanebeck 一同进行启用仪式 |
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德州仪器与台达电子合作 推动电动车车载充电技术再进化 (2024.07.03) 德州仪器(TI)与台达电子展开长期合作,共同开发次世代电动车车载充电与电源解决方案。这项合作将於双方在台湾平镇的创新联合实验室进行,结合双方在电源管理与电力传输方面的研发量能,共同推动功率密度、效能与尺寸最隹化,加速实现更安全、充电快速和实惠的电动车 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01) 威世科技(Vishay Semiconductors)推出16款新型第三代1200 V碳化??(SiC)肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流,有助於提升开关电源设计能效和可靠性 |
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测试用出版档案 (2024.06.28) 系统测试用 |
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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26) 随着人工智慧(AI)处理器对功率的要求日益提高,伺服器电源(PSU)必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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TI首款GaN IPM问世 实现更小更具能源效率的高电压马达设计 (2024.06.26) 德州仪器 (TI) 推出适用於 250W 马达驱动器应用的 650V 三相 GaN IPM(Intelligent Power Module)。这款全新 GaN IPM 能协助工程师克服在设计大型家用电器以及暖通空调(HVAC)系统时常面临的多数设计与性能的问题 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24) 意法半导体(STMicroelectronics,ST),将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽(SiC)功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂,意法半导体将打造一个碳化矽产业园区,达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20) 电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋,激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求,安森美采取了战略举措,宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂 |
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CML Ka波段GaN功率放大器用於商用卫星通讯终端设备开发 (2024.06.18) CML Micro推出Ka波段氮化??(GaN)功率放大器CMX90A705,这是一个商用卫星通讯终端设备,并具有高成本效益的构建元件。CMX90A705是一款封装两级GaN线性功率放大器,可提供+37.4 dBm(5.5 W)饱和功率,覆盖27.5至31GHz频率范围,小讯号增益为16.5 dB |
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Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13) Littelfuse公司推出低侧SiC MOSFET和IGBT闸极驱动器IX4352NE,这款创新的驱动器专门设计用於驱动工业应用中的碳化矽(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极电晶体(IGBT)。IX4352NE的主要优势在於其独立的9A拉/灌电流输出,支援量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12) 安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组,与其他同类产品相比,该模组的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术,带来出色的效能表现,有助於降低系统成本并简化设计 |
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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11) Nexperia宣布650V、10A 碳化矽(SiC)肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q,并采用真正的双引脚(R2P) DPAK (TO -252-2)封装,适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外,为了扩展 SiC 二极体产品组合,Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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Microchip全新车载充电器解决方案支援车辆关键应用 (2024.06.11) 因应节能减碳排放的迫切需求,电池电动汽车(BEV)和??电式混合动力电动汽车(PHEV)市场持续增长。车载充电器是电动汽车的关键应用之一,将交流电转换为直流电,为汽车高压电池充电 |
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吉利汽车与ST签署碳化矽长期供应协定 共同推动新能源汽车转型 (2024.06.05) 吉利汽车与ST成立创新联合实验室 推动新能源汽车转型
签署碳化矽长期供应协定
· 意法半导体第三代SiC MOSFET协助吉利汽车集团纯电车型提升电驱效能
全球半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics;ST)与全球汽车及新能源汽车车商吉利汽车集团宣布,双方签署碳化矽(SiC)元件长期供应协议,加速碳化矽元件的合作 |
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英飞凌发布高能效AI 资料中心电源供应单元产品路线图 (2024.05.24) 人工智慧(AI)的发展推升全球资料中心的能源需求,并凸显伺服器对於高效率及可靠的能源供应的重要性。英飞凌科技(Infineon)宣布在AI系统的能源供应领域开启新篇章,并揭示针对AI资料中心当前和未来能源需求的特定设计电源供应单元(PSU)路线图 |
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Power Integrations收购Odyssey 为GaN技术的持续发展提供支援 (2024.05.08) Power Integrations这家节能型电源转换领域的高压积体电路领导厂商,宣布收购垂直氮化?? (GaN) 电晶体技术开发者 Odyssey Semiconductor 的资产。这项交易预计将於 2024 年 7 月完成,之後 Odyssey 的所有重要员工预期会加入 Power Integrations 的技术组织 |
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A+计划补助电动车产业 驱动系统、晶片和SiC衍生投资3亿元 (2024.04.30) 为提升当前电动车主快充体验与满足长续航里程等需求,关键系统技术正持续进步。经济部也在近期「A+企业创新研发淬链计画」决审会议中通过3项计画,分别从电动车驱动系统、半导体晶片制程技术和碳化矽(SiC)元件的品质控制方面创新技术和提升产业 |
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罗姆旗下SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供货协议 (2024.04.29) 罗姆与意法半导体(STMicroelectronics,ST)宣布,双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal现有之6寸碳化矽(SiC)基底晶圆多年长期供货协定基础上,继续扩大合作。根据新签订的长期供货协议,SiCrystal将对意法半导体扩大德国纽伦堡产的碳化矽基底晶圆供应,预计总金额不低於2.3亿美元 |
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智慧充电桩百花齐放 (2024.04.29) 电动车产业在经历疫情与全球竞逐净零碳排目标下已逐渐成熟,包含充电桩等客制化、模组化终端产品甚至由下而上,驱动制造业加速转型升级。 |
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充电站布局多元商业模式 (2024.04.29) 基於当前电动车普及化已成消费主流趋势,常造成各充电站一位难求,甚至是被燃油车占用,既影响发挥充电车位最大效益,甚至可能冲击电动车能否驶入大众市场。因此纷纷透过政策与企业整并,衍生出多元充电场域和商业模式 |