 |
電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。 |
|
半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
 |
工研院歡慶電光50周年 百位半導體及光電業者齊聚 (2024.12.27)
適逢2024年工研院推動半導體技術邁入半世紀！由電光所日前舉辦的「電光50紀念餐會」，匯聚國內外多家知名企業和超過百位產業界重量級人士共襄盛舉。包括史欽泰、徐爵民、陳良基等10位歷任所長也齊聚一堂，共同回顧見證台灣半導體產業從無到有的奮鬥故事 |
|
Quobly與意法半導體建立策略合作關係 加速量子處理器製造 (2024.12.19)
尖端量子運算新創公司 Quobly宣布與服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）進行轉型合作，以生產規模化的量子處理器單元（QPU） |
|
VSMC十二吋晶圓廠於新加坡動土 預計2027年開始量產 (2024.12.05)
由世界先進積體電路（VIS）與恩智浦半導體（NXP）共同成立的合資公司VSMC（VisionPower Semiconductor Manufacturing Company），於2024年12月4日在新加坡淡濱尼舉行其首座十二吋晶圓廠動土典禮 |
|
SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
|
巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年 (2024.10.24)
巴斯夫和Fraunhofer 光子微系統研究所近日共同慶祝在光子微系統領域的合作達10周年。雙方一直致力於半導體生產和晶片整合領域的創新和客製化解決方案，合作改進微晶片的互連材料 |
|
先進封測技術帶動新一代半導體自動化設備 (2024.09.27)
因應近年來人工智慧熱潮推波助瀾下，科技巨頭無不廣設資料中心，備妥「算力軍火庫」。因此帶動龐大AI先進製程晶片需求，卻也造就台灣半導體代工產業鏈產能缺口，分別投入矽光子等先進封裝製程布新局 |
|
進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
|
英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
|
世界先進和NXP核准成立VSMC合資公司 將興建十二吋晶圓廠 (2024.09.04)
世界先進（VIS）和恩智浦半導體（NXP）已取得相關單位的核准，依計畫進行注資，正式成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合資公司，朝興建VSMC首座十二吋（300mm）晶圓廠穩步邁進 |
|
xMEMS發表毫米級全矽主動散熱晶片 支援AI世代行動裝置創新 (2024.08.21)
xMEMS Labs（知微電子）於今（21）日宣布發表其最新革命性產品xMEMS XMC-2400 μCooling，則強調為有史以來首件微型氣冷式全矽主動散熱晶片，相當適用於整合超便攜裝置（ultramobile device）與下一代人工智慧（AI）解決方案 |
|
100％綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式 |
|
imec矽基量子位元創下最低電荷雜訊 成功導入12吋CMOS製程 (2024.08.04)
比利時微電子研究中心（imec）展示高品質的12吋晶圓矽基量子點自旋量子加工技術，元件在1Hz頻率下的平均電荷雜訊為0.6μeV/OHz，且數值達到統計顯著性。就雜訊表現而言，這些數值是目前在12吋晶圓相容製程中所取得的最低雜訊值 |
|
英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程 (2024.07.11)
根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）市場在未來五年內的年複合成長率將以46%成長。英飛凌科技推出兩款新一代高電壓（HV）與中電壓（MV）CoolGaN產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用 40 V 至 700 V 電壓等級的GaN裝置，推動數位化與低碳化進程 |
|
小晶片大事記：imec創辦40周年回顧 (2024.07.02)
1984年1月，義大利自行車手Francesco Moser創下當時的世界一小時單車紀錄；美國雷根總統正式宣布競選連任；蘋果史上第一台Mac上市。而比利時正在緊鑼密鼓籌備一重大活動，於1月16日正式成立比利時微電子研究中心（imec） |
|
紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件 (2024.06.25)
紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產 |
|
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景 |
|
ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
|
世界先進與NXP合資興建12吋晶圓廠 主攻類比電源晶片應用 (2024.06.05)
世界先進積體電路股份有限公司和恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今（5）日宣布，計畫於新加坡共同成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合資公司，以興建一座十二吋（300mm）晶圓廠 |
