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超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程，愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體，實現5G毫米波頻段的功率放大應用。 |
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用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用，愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。 |
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5G推升需求 2020年GaAs射頻元件成長動能可期 (2019.07.08)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出，由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料，加上隨著5G布建逐步展開，射頻元件使用量較4G時代倍增，預料將帶動GaAs射頻元件市場於2020年起進入新一波成長期 |
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是德科技與三安集成策略合作推出HBT、pHEMT製程設計套件 (2016.05.03)
是德科技軟體和服務可協助三安集成加速完成HBT和pHEMT製程PDK的開發製作可靠、高功率的先進pHEMT及HBT元件，縮短產品上市時間。
是德科技（Keysight）日前宣佈與中國廈門三安集成簽署合作備忘錄（MoU），雙方將以是德科技先進設計系統（ADS）軟體為基礎，共同合作開發適用於三安集成的HBT和pHEMT製程的先進製程設計套件（PDK） |
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Microchip推出新型5GHz功率放大器模組 (2015.03.23)
Microchip 公司（美國微芯科技）推出採用IEEE 802.11ac 超高資料速率Wi-Fi標準的新型SST11CP22 5 GHz 功率放大器模組 （PAM）。新型PAM在1.8%動態EVM（誤差向量振幅）、MCS9 80 MHz頻寬情況下的線性輸出功率為19 dBm |
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Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡-Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡 (2010.12.09)
Ku波段InGaP-GaAs HBT的單片壓控振盪器和微分拓撲與平衡 |
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ADI推出新款中頻增益區塊放大器 (2010.01.25)
美商亞德諾（Analog Devices，ADI）上週五（1/22）宣佈，發表兩款新的中頻（IF）增益區塊放大器。 ADL5535和ADL5536增益區塊放大器具有由內部匹配的中頻增益區塊，該區塊結合最高等級的線性度和雜訊度效能，因此可提供最高的動態範圍 |
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安捷倫推出適用高頻寬示波器之新一代晶片組 (2009.12.26)
安捷倫科技（Agilent）於週二（12/22）宣佈，新一代高頻寬示波器因成功啟用採磷化銦（InP）技術的前端晶片組，而提供了突破性的功能。新款晶片組使安捷倫得以在2010上半年，推出類比頻寬高於16 GHz的示波器 |
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實現無線存取功能之半導體元件 (2009.02.05)
不論是可攜式設備還是WLAN卡應用中，多媒體存取的發展趨勢不斷成長，這要求訊號鏈路能具有以下的特點：佔位面積小、功耗低和提供多模多頻帶性能。而能滿足上述所有要求的解決方案無疑就是矽半導體製程，比如矽鍺（SiGe） |
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WCDMA HBT功率放大器模組 (2007.10.08)
本文介紹一款在3mmx5mm2的緊湊型封裝中、整合有GaAs HBT MMIC PA和Si BiCMOS DC電源管理IC的WCDMA功率放大器模組。這種多合一的方案適用於手機應用。它採用一種閉環控制DC-DC降壓轉換器，讓電源管理IC能夠自我調整優化PA集極電壓，可當作輸出功率函數，從而降低後移工作的耗電量 |
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RFMD針對化合物半導體的成長需求宣布擴產 (2007.10.04)
針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices，Inc.宣佈計劃擴展其化合物半導體之製造產能，以支援該公司蜂巢式及多重市場產品事業群的成長預期 |
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RFMD延展GaN寬頻功率放大器產品線 (2007.06.12)
RF Micro Devices，近日宣佈其已開始出貨氮化鎵（GaN）RF3822 PowerIC寬頻功率放大器（PA）至一線軍事供應商。RFMD的RF3822 PowerIC提供0.1GHz至1GHz頻率範圍的功率效能，且非常適合多頻和寬頻應用，例如針對軍事通訊之軟體定義無線電（SDR） |
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砷化鎵的磊晶技術與應用市場 (2007.04.04)
砷化鎵早年主要是應用於國防太空工業，以及高速電腦元件、高頻測量儀器等特定應用領域。隨著冷戰時代的結束、軍事管制的解除及個人通訊的快速發展，以微波頻率為主的無線通訊已可廣泛用於個人通訊、衛星通訊及光纖通訊等民生用途上 |
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半導體料材技術動向及挑戰 (2006.11.23)
半導體製造技術能否持續突破，材料一直扮演著重要的角色，從過去最早初的鍺（Germanium；Ge），到之後普遍運用的矽（Silicon；Si），而近年來又有更多的新樣與衍生，以下本文將針對此方面的新用材、新趨勢發展，以及現有的技術難度等，進行一番討論 |
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淺談RF及無線通訊系統量測技術 (2006.08.07)
無線電頻率(Radio Frequency；RF)已經出現一個世紀以上，RF本身已經變成和無線及高頻訊號的同義詞，RF的測量方法可以大致區分為三種主要類別──頻譜分析（spectral analysis）、向量分析（vector analysis）以及網路分析（network analysis） |
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RFMD擴充晶圓廠設備 預期將帶動營收及利潤成長 (2006.04.11)
無線通訊應用領域專用射頻積體電路(RFIC)供應商RF Micro Devices, Inc.，近日宣佈一項達8千萬美元之晶圓設備擴充計畫。此擴充位於該公司的Greensboro園區，預計將增加RFMD的晶圓製造產能最可高達40%–使得應用RFMD領導市場的GaAs HBT及GaAs pHEMT製程技術之無線市場能持續健全成長 |
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手機射頻系統整合的不歸路 (2006.01.25)
整合，似乎是一條不歸路。只要整合了舊的功能、有了多的空間，就會有新的功能和元件想放進來。 |
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淺談無線通訊功率放大器矽鍺技術之應用 (2006.01.05)
SiGe 技術已經應用於高功率放大器產品，如CDMA和GSM手機。由於這種半導體可以整合更多電路，它將在未來功率放大器與無線射頻（RF）電路的整合方面發揮重要作用。 |
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RFMD單階RF3807和RF3809預驅動功率放大器問世 (2005.03.29)
無線通信應用領域的領先專用射頻積體電路(RFIC)供應商RF Micro Devices,Inc.公司推出兩款針對蜂窩基地台應用的新型砷化鎵異質結構雙極電晶體(GaAsHBT)預驅動功率放大器(PA) |
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RF MD推出RF5198放大器模組 (2005.02.23)
無線通信應用領域的專用射頻積體電路(RFIC)供應商RF Micro Devices公司推出針對WCDMA 手機應用的RF5198 高功率、高效率線性功率放大器(PA)模組。尺寸.3×3×0.9 毫米的RF5198 是包含片上功率檢測器的全球最小的線性PA 模組 |
