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尔必达考虑于台湾设立DRAM新厂 (2006.07.20)
根据报导，日本DRAM制造厂尔必达（Elpida）考虑将计划中的先进工厂设在台湾。该公司将和在日本国内设厂的优劣进行比较之后，再作出最后决定。
据了解，尔必达计划的新厂设备可制造加工宽度只有70奈米的DRAM半导体回路线，预定月产10万片，同时也计划生产下一代的半导体PRAM |
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需求未浮现 DDR2价格续下跌 (2006.07.04)
DRAM供给端季底作帐行情在上周结束，本周起对市场放货压力大减，让DRAM现货价大部份均呈现持平走势，不过个人计算机市场虽然逐步进入旺季，但因供给商端库存周转率已由二周拉长至三周，实质需求又还没正式回笼，所以价格上涨无力 |
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90奈米制程微缩顺利 DRAM业者乐观 (2006.07.04)
第二季以来DRAM市场供需平衡未有太大变化，DRAM价格也维持在一定区间之内，这个市况对于DRAM厂来说，却可有效控制成本，并尽力拉高营收及毛利率，如国内DRAM厂力晶、茂德、南亚科等，第二季营收创下历史新高，毛利率也较第一季大跃进 |
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半导体设备需求喊停 设备商谨慎评估下半年 (2006.06.27)
继奇美日前告知设备商延后生产设备的交货日期，台积电近期亦通知欧、日设备大厂，将原订2006年中交机的大型设备往后延。设备业者表示，目前仍在观察此现象是否透露台积电扩产动作将转趋保守，现阶段唯独DRAM业者对于设备需求持续上涨，面板及半导体厂都有延缓设备交货情况 |
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完成90奈米认证 中芯将为尔必达代工DRAM (2006.06.20)
日本DRAM厂尔必达及中国晶圆代工厂中芯国际共同宣布，中芯北京十二吋厂已经完成了尔必达90奈米制程认证，将开始为尔必达代工512Mb DDR2产品。中芯国际总裁暨执行长张汝京说，中芯北京厂已开始进入为尔必达量产DRAM的代工工程，未来与尔必达间亦会针对先进制程继续合作 |
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DRAM厂锁定发展高毛利之利基型产品 (2006.06.15)
从2005年第四季起，全球前五大DRAM厂三星、美光、奇梦达（Qimonda）、海力士与尔必达等，已经明确对外表示，未来DRAM事业着重重点，将不再是标准型DRAM，而是锁定高毛利的利基型DRAM |
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DRAM与Flash 下半年市场需求将大增 (2006.06.07)
集邦科技于台北国际计算机展中，针对内存产业举办研讨会，会中除预估今年DRAM市场成长率达46％外，因应手机等通讯产品带起的Flash需求，集邦更看好Flash产业的成长性，也估算今年Flash的年成长率将达195％ |
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需求浮现 DRAM价格七月将上扬 (2006.06.06)
内存大厂南科召开法说会，副总经理白培霖表示，六月份的DRAM合约价见低点，DDRII约小跌3至5％，DDR方面则持平或小涨，然因大陆地区暑期计算机促销档期将开始，预期需求会在六月下半出现，因此DRAM合约价可望在七月小反弹 |
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Vista需求 为国内DRAM厂带来利多 (2006.05.08)
微软新操作系统VISTA预计将在明年上半年正式上市，面对需求面的强劲成长前景，国内外DRAM厂的着眼点却不太相同。以前五大厂三星、奇梦达、Hynix、美光、尔必达等业者来说 |
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DRAM价涨 厂商对下半年景气表乐观 (2006.05.04)
受到国际DRAM大厂将主产能调配生产NAND闪存及利基型DRAM影响，四月虽然进入传统市场淡季，但现货价及合约价均维持涨势，淡季不淡的现象十分明显，因此扩大参加台北国际半导体产业展的南亚科技及力晶半导体等二家国内DRAM厂 |
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受产能排挤影响 DRAM价格大幅上扬 (2006.04.19)
受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配，以及DRAM大厂的DRAM及NAND闪存的产能排挤等因素影响，四月以来DRAM现货价格明显向上拉高，其中又以DDR价格上涨动力最强，有效测试（eTT）256Mb DDR十八日单日就大涨逾5％收2.35美元 |
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集邦科技：DDR3预计2009年才会成为PC市场主流 (2006.03.30)
DDR2自2004年初开始在PC市场应用萌芽，但相继受到0.11微米制程不顺，DDR2 成本居高不下及Intel芯片组缺货影响下，直至2006年第二季才晋升成为主流的内存规格。DDR2成为主流的时程较厂商预期落差达一年左右 |
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DRAMeXchange下修2006年DRAM位成长率预测 (2006.03.22)
根据DRAMeXchange所调查的3月下旬合约价，DRAM厂已无进一步提高价格，不论DDR模块或DDR2模块，大致以持平成交。一些计算机系统大脑试图谈判更低的价格，但在3月下旬，DDR2缺货现象虽不若2月份严重，仍处吃紧状态 |
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DDR2内存下半年需求大增 (2006.03.20)
DRAM行情相对稳健，加上DDR2需求、行情增温，南亚、茂德以及模块厂宏连科二月份营收均较一月逆势增长，其中主攻OEM市场的南亚有逾6％的表现。
南亚科发言人白培霖表示，三月份DDR2合约价调涨10％，供需依然吃紧，到四月也还不错 |
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增加自有产能 南亚首座12吋厂动土 (2006.03.16)
内存大厂南亚科技的首座十二吋晶圆厂于十五日动土。这次南亚在台北县泰山乡的新厂，初步将耗资新台币400亿元，整体建厂完毕预计花费839亿元。公司准备在今年第四季大手笔筹资100亿元因应建厂所需资金缺口，目前则尚未决定以现金增资或发行海外存托凭证募资 |
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DDR2用CSP基板第二季需求提升 (2006.03.08)
看好DDR2将在今年中旬成为市场主流产品，国内外DRAM大厂已全力拉高DDR2产出比重。不过，DDR2封装制程由传统的超薄小型晶粒承载封装（TSOP）改为闸球数组封装（BGA），小型芯片尺寸基板（CSP）跃居成为重要关键材料 |
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12吋DRAM厂群聚中科 (2006.03.07)
在新竹科学园区用地取得愈趋困难之际，台中科学园区俨然成为国内DRAM厂十二吋厂建厂重镇，如今不仅茂德中科十二吋厂已经量产，华邦中科十二吋厂将于四月底正式落成启用，至于力晶则宣布将于三月底，于台中后里举行中科十二吋厂动土典礼 |
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美光将评估收购英飞凌内存事业 (2006.03.06)
全球第三大DRAM厂美光科技总裁爱波顿（Steve Appleton）指出，虽然至今仍没有任何人与美光接触，询问美光是否有意收购英飞凌内存事业，但是美光已做好准备，如果可能的话，将开始评估收购英飞凌内存事业 |
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2月下旬DRAM价格小跌 Flash则大跌18～25% (2006.02.26)
过去一周，DRAMeXChange指数由2月中的3078下降至3052，主要反应DDR价格仍持续走跌。现货市场方面，DDR与DDR2近期交易清淡，DDR2部分，Elpida在现货市场有降价动作，DDR2 533MHz 512Mb价格由5.28美元小幅下跌至5.27美元 |
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力晶将再盖四座12吋厂 迈向市占前三大 (2006.02.23)
鉴于DDR2主流世代加速推展，力晶巩固十二吋厂领先地位动作不停歇，12C、12D兴建计划加速推展，加上今年因采购旺宏十二吋厂，进行产能扩充，力晶年度资本支出将由300亿元提高为600亿元 |
