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安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置，适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能 |
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直接透过汽车电池输入进行DC-DC转换 (2021.01.19)
在严苛的汽车和工业环境中，通常会选择内建MOSFET功率切换开关的单晶片式降压稳压器，不仅可节省空间，同时更可实现低EMI和卓越的散热性能。 |
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ROHM推出第五代Pch MOSFET 超低导通电阻助装置节能与小型化 (2020.12.28)
半导体制造日商ROHM研发出共计24款Pch MOSFET产品，包括支援24V输入电压的耐压━40V和━60V单极型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和双极型「UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列」，适用於FA、机器人、空调装置等工控装置之风扇马达和电源管理开关，以及大型消费性电子装置用之风扇马达、空调和电源管理开关 |
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英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器，今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET，可实现被动冷却。相较於矽基解决方案，其损耗可降低达80%，因此不再需要冷却风扇与相关服务 |
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英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET 新添PQFN封装40V装置 (2020.11.03)
当代的电源系统设计需要高功率密度和精巧的外型尺寸，进而得到最高的系统级效能。英飞凌科技专注於强化元件级的系统创新，来应对上述挑战。继2月份推出25V装置後，英飞凌再推出OptiMOS 40V低电压功率MOSFET，采用源极底置(Source-Down；SD)的PQFN封装，尺寸为3 |
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贸泽供货Microchip AgileSwitch相脚功率模组 整合MOSFET和二极体优点 (2020.10.16)
半导体与电子元件、授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布即日起供货Microchip Technology最新的AgileSwitch相脚SiC MOSFET模组。此模组体积轻巧且具高整合度，整合了碳化矽(SiC)MOSFET和SiC二极体，将两种装置的优点结合到同一个解决方案之中 |
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ROHM推出1cm2超小型车电MOSFET 满足设备高密度需求 (2020.10.08)
近年来，随着汽车电子化加速，汽车电子和半导体元件数量也呈现增加趋势。因此，必须要在有限的空间里安装更多元件，使安装密度也能够越来越高。例如，1个车电ECU中的半导体和积层陶瓷电容的平均使用数量，预计将从2019年的186个，增加约三成至2025年的230个 |
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降低开关损耗 儒卓力供货Rohm节能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽闸结构(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件，提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35% |
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英飞凌推出全新马达系统IC 开拓汽车马达系统的整合新境界 (2020.07.21)
从电动尾门、天窗、电动座椅调整乃至燃油泵等各种应用，电动马达的数量越来越多，协助确保了现今汽车的安全与舒适性。
英飞凌科技推出全新马达系统IC系列产品，专为控制有刷及无刷马达所设计 |
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英飞凌推出62mm CoolSiC模组 开辟碳化矽全新应用 (2020.07.17)
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术，已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上（此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门 |
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ROHM推出第4代低导通电阻SiC MOSFET 加速车载动力逆变器的普及 (2020.06.17)
半导体制造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，适合用於动力逆变器等车电动力总成系统和工控装置电源。
对於功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短，两者之间存在着权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，也必须同时考虑如何兼顾短路耐受时间 |
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ST推出高整合度通用型车门锁控制器 简化设计并提升安全性 (2020.06.08)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）L99UDL01通用型车门锁IC整合6个MOSFET半桥输出和两个半桥闸极驱动器，以及电路保护和诊断功能，可提升方案安全性、简化设计并节省空间 |
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英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗 |
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英飞凌推出D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET MOSFET 瞄准电池供电应用 (2020.05.18)
英飞凌科技股进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET 产品阵容，推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新装置。这些新装置具有极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性 |
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英飞凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽车应用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
为满足电动车市场需求，英飞凌科技推出全新CoolMOS CFD7A产品系列。这些矽基高性能产品适用於车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器 |
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明纬：MOSFET代替二极体 满足LED显示屏市场冗馀应用 (2020.03.31)
近几年全彩LED显示屏兴起，其高亮度大萤幕吸睛的特点，被众多广告商、地产商所喜爱。为了提供更好的观赏体验，对於画面的清晰度和真实度要求越来越高，小间距LED显示屏不仅成为业界的新宠儿也将是未来的发展趋势 |
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SiC MOSFET适用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽车认证 (2020.03.18)
中高压变频器应用闸极驱动器技术厂商Power Integrations(PI)今日宣布推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效单通道闸极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver，该产品现已通过AEC-Q100认证，可供汽车使用 |
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安森美半导体推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增长应用 (2020.03.11)
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出另两个碳化矽(SiC)MOSFET系列，扩展了其宽能隙(WBG)元件系列。这些新元件适用於各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不断电电源设备(UPS)、伺服器电源和EV充电站，提供的性能水准是矽(Si)MOSFET根本无法实现的 |
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英飞凌推出低频应用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飞凌科技股份有限公司成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用推出600V CoolMOS S7系列产品，带来优异的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准 |
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英飞凌推出CoolSiC MOSFET评估板 适用於最高7.5kW马达驱动 (2019.11.14)
碳化矽(SiC)正逐渐成为太阳能光电和不断电系统等应用的主流。英飞凌科技股份有限公司正将这项宽能隙技术锁定另一组目标应用：EVAL-M5-E1B1245N-SiC评估板将有助於SiC在马达驱动的应用中奠定基础，并强化英飞凌在工业SiC市场的领先地位 |
IAB是Internet Activities Board的简称，意即美国网络广告组织，是一个专门管理与观察美国网络广告活动的一个机构。
