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Vishay新增两款第三代功率MOSFET产品 (2008.12.04)
Vishay推出两款20V和30V n信道组件，扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些组件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，大幅降低切换损耗及提高切换速度 |
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Vishay MicroTan芯片式钽电容器获EDN创新奖 (2008.12.04)
Vishay宣布其TR8模塑MicroTan芯片式钽电容器荣获EDN China无源组件、连接器及传感器类别的创新奖。
EDN China杂志的年度创新奖创立于2005年，该奖项旨在奖励在过去一年中塑造了半导体行业的人员、产品及技术 |
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Vishay新推采用SMD PLCC2封装红外线发射器 (2008.11.25)
Vishay推出采用PLLCC2封装的新型870nm SMD红外发射器，此发射器具低正向电压及高辐射强度。
新型VSMF4720具有±60º宽视角及16Mw/sr的高辐射强度（在100Ma时），其强度比其他采用PLCC2封装的发射器大150% |
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Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n信道器件，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与闸极极电荷乘积 |
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Vishay推出新型USB-OTG总线端口保护数组 (2008.11.17)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超薄ESD保护数组，该器件具有低电容和漏电流，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USB ESD保护，在工作电压为12V时提供单线VBUS保护 |
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Vishay推出新系列表面贴装铝电容器 (2008.11.07)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列表面贴装铝电容器，这些器件可实现+105°C的高温营运，具有低阻抗值以及高电容值及纹波电流。
新型ECL系列极化铝电解电容器可在高密度PCB上实现表面贴装，这些器件具有非故态、自修复的电解质 |
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Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积 |
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Vishay推出新型三输出降压控制器IC (2008.10.16)
Vishay宣布推出一款新型高性能三输出降压控制器IC，该器件可在机顶盒、基站、墙壁适配器、消费类电子设备及网络中间总线直流输入电源中实现高效的电源转换。
在DSP、ASIC及FPGA电源以及双电源微处理器及DSP内核等众多应用中，这款新型SiP12203为两个开关降压电源轨及一个线性电源输出提供所需要的控制电路及保护功能 |
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Vishay新型LDO稳压器可提供3 5 µA的低接地电流 (2008.10.13)
Vishay推出新型LDO稳压器，从而扩展了其LDO产品系列。该低成本器件采用可节省空间的超薄SOT23-5L封装，可在1mA负载时提供35µA 的低典型接地电流。此款的超低接地电流有助于延长电池供电系统及可擕式电子设备中相邻两次充电之间
的电池运行时间 |
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Vishay推出升级5V红外线接收器系列 (2008.10.08)
Vishay Intertechnology目前宣布，采用新一代集成电路升级5V红外线接收器的性能，可将器件敏感度提高15%，并增强脉冲宽度精度。
与光电二极管和光学封装本身一起，集成电路是决定红外线（IR）接收器性能的主要因素之一 |
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Vishay推出三款新型电磁干扰抑制薄膜电容器 (2008.09.30)
Vishay宣布推出三款最大电压可升至310 VAC的新型X2电磁干扰抑制（EMI）薄膜电容器，该电容器具有较宽的引脚脚距与电容质范围。
绝大部分标准电磁干扰抑制薄膜电容器的限定电压介于275至305VAC之间，而Vishay推出新型MKP 339 X2、MKP 338 2 X2与MKP 336 2 X2器件可为设计人员提供更高的限定电压，不但符合安全认证标准，且具有相同的小型尺寸 |
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Vishay推出30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 (2008.09.30)
Vishay宣布推出首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，其可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率 |
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Vishay推出高强度白光功率SMD LED (2008.09.23)
Vishay推出首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED，提供基于蓝宝石 InGaN/TAG技术、2240mcd至5600mcd的高光功率。
新型VLMW63..系列采用CLCC-6封装且具有低达50k/W的低热阻，而采用CLCC-6扁平封装的VLMW64.. 系列则具有40k/W低热阻及0.9mm超薄厚度，这两大系列都设计用于降低大容量应用的成本 |
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Vishay推出高强度新款黄色及黄色SMD LED (2008.08.28)
Vishay推出采用CLCC-2扁平陶瓷封装且具有400mA驱动电流的首个高强度淡黄色及黄色功率SMD LED系列。强大可靠且具有高光效率的VLMK82..与VLMY82..器件具有20K/W的低热阻以及5600mcd～14000mcd的高光功率，主要面向热敏应用 |
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Vishay推出新型1A输出电流整合功率光敏控制器 (2008.08.28)
Vishay推一款可输出1A电流开动抵抗和电感负载整合功率光敏整流控制器，并拓展其光电产品系列。
采用16脚位包含GaAs的垂度封印VO3526红外LED，这LED可轻易联结整体光敏非零横穿触发三极管探测器芯片，因而发动整合力量触发三极管 |
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Vishay推出新款p信道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出采用PowerPAK SC-75封装的p信道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于8V～30V的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。
日前推出的这些器件包括首款采用PowerPAK SC-75封装的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)单p信道功率MOSFET |
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Vishay推出高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻 (2008.08.18)
Vishay宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。此新器件可提供±0.05ppm/°C（当温度介于0°C至+60°C之间）或±0.2 ppm/°C（当温度范围在−55°C至+125°C）（参考温度为+25°C）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（“自身散热产生的R∆”）及±0.2%的容差 |
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Vishay扩展298D MicroTan产品系列 (2008.08.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已扩展其298D系列MicroTan固体钽芯片电容器，在模塑0402封装尺寸中提供业界最佳的额定电容电压值。
Vishay的298D MicroTan电容器充分利用已获专利的MAP（多数组封装）装配技术以扩展产品系列，现已可在面积为1.0mm×0.5mm、最大浓度为0.60mm的超薄小型0402 K封装中提供4.7μF-4V至10μF-4V的电容电压 |
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Vishay推出专业汽车用薄膜芯片电阻 (2008.08.14)
Vishay宣布推出采用0603封装尺寸的专业汽车用薄膜芯片电阻，该电阻结合了高达+175°C（1000小时）的高工作温度以及先进额定功率。大多数薄膜芯片电阻在+70°C的环境温度下额定功率为100mW，而MCT 0603 AT在+85°C时额定功率规定为150mW |
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Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面贴装电阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面贴装电阻。该器件采用0603芯片尺寸的产品，当温度范围在−55°C至+125°C（参考温度为+25°C）时，可提供±0.2 ppm/°C的军用级绝对TCR、±0.01%的容差以及1纳秒的快速响应时间（几乎不可测量），且无振铃 |
