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ROHM推出行动装置市场专用晶体管封装 (2008.11.03)
ROHM Co., Ltd.特别推出体积为全球最小的晶体管封装「VML0805」(0805(0302 inch)尺寸)，并预定自2008年11月依序开始进行适用于此一封装的通用型双载子晶体管与内建电阻型数字晶体管的样品出货(样品售价100日圆/个)，并自2009年3月起以月产1000万个的规模展开量产 |
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英飞凌推出700 MHz频段射频功率晶体系列 (2008.06.27)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术） |
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KEITHLEY新推自动特性分析套件(ACS)测试系统 (2008.05.20)
量测方案厂商美商吉时利仪器公司（Keithley Instruments）宣布为其Automated Characterization Suite（ACS）自动特性分析套件软件，加入选择性的晶圆级可靠性（WLR）测试工具，可支持各种半导体可靠度与使用期预测等应用 |
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恩智浦新推晶体管提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦的第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化 |
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Vishay推出新型VEMT系列硅NPN光电晶体管 (2008.04.13)
Vishay推出采用可与无铅(Pb)焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管。VEMT系列中的器件可作为当前TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅(Pb)焊接要求 |
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英飞凌推出新型LDMOS射频功率晶体管 (2008.04.07)
英飞凌科技(Infineon)发表两款新型LDMOS射频功率晶体管，适用于无线通信基础架构应用领域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。这两款新产品提供之输出功率峰值可达170瓦，进一步扩大英飞凌为WiMAX领域所提供射频功率晶体管之产品种类，现有产品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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Intel推出五款全新Intel Atom处理器 (2008.04.07)
英特尔公司宣布推出五款全新Intel Atom(凌动)处理器，以及针对移动联网装置(MID)与嵌入式运算解决方案设计的Intel Centrino Atom（Intel 迅驰 凌动）处理器技术。
该技术组合包括了Intel Atom处理器（代号Silverthorne） |
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Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (2008.03.17)
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率 |
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IR推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列 (2008.03.07)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，能够在最高3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器，减少高达30%的功率耗损。
这款新特定应用组件利用IR最新一代的场终止沟道技术降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提升UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率 |
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日本研发出3D晶体管 可有效提升处理器速度 (2007.12.10)
外电消息报导，日本科技研究公司Unisantis日前宣布，成功开发出一种新的3D晶体管，可使处理器的计算速度提升将进10倍。而该公司也将开始对市场销售此新的晶体管。
Unisantis表示，相较于传统的晶体管，新的3D架构缩短了电子传输的距离，且所产生的热量更少，同时制造成本也更为低廉 |
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Zetex高效能晶体管有效提升电源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP晶体管，满足新一代电源设备中的MOSFET闸驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是第一批采用SOT23FF封装的双极组件，占位面积为2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米 |
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安森美推出双载子接面晶体管系列新封装 (2007.07.11)
安森美半导体（ON Semiconductor）扩充低Vce(sat)双载子接面晶体管(BJT)产品系列，推出采用先进硅芯片技术的PNP与NPN产品。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET比较，不仅实现了能效的最大化，而且还可延长电池的使用时间 |
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瑞萨研发最新低成本制造技术提升晶体管效能 (2007.06.21)
瑞萨科技宣布开发适用于45 nm（奈米）及后续制程世代微处理器及SoC（系统单芯片）之低成本且可达成极高效能晶体管之制造技术。此新技术利用瑞萨科技独家开发且于2006年12月发表之混合架构，提升CMIS晶体管之效能 |
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Fairchild数字晶体管让可携式设备具性能/空间优势 (2007.04.12)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出两种全新200mW数字晶体管系列，它们将一个外接电阻偏置网络整合进目前市场上最小的封装中。FJY30xx（NPN）和FJY40xx（PNP）系列是专为开关、反相器、接口及驱动电路所量身定做的，且不需要外接电阻 |
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恩智浦半导体新一代双极晶体管提升能源效率 (2007.03.21)
恩智浦半导体（前身为飞利浦半导体）发布最新一代低VCEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（Breakthrough in Small Signal）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并有效减少可擕式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数字相机）的热能产生 |
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Zetex 推出低电压双极晶体管 (2006.05.09)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors，推出一系列新型低电压双极晶体管。新组件可扩大SOT23封装的电流处理效能，设计人员可用以取代体积更大的SOT89和SOT223零件，进而缩减产品尺寸 |
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高可靠度高效能非晶硅薄膜晶体管的制作研讨会(假日班) (2006.04.26)
由于非晶硅技术具有低温制程与低成本制造等优点，使得氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)被广泛的利用在平面显示应用上，用来控制画面灰阶的变化，更可以被应用在主动式有机发光显示器中，作为驱动OLED组件的驱动组件 |
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ST射极开关双极晶体管为电源供给应用设新标准 (2005.10.18)
功率晶体管市场技术领导者ST，发布一系列混合式射极开关双极晶体管（EBST），特别适合工业照明应用中之功率因子预调节的工业用三相辅助电源供应器与单端初级电感转换器（SEPIC）等应用 |
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ST射极开关双极晶体管为电源供给应用设新标准 (2005.10.18)
功率晶体管市场技术领导者ST，发布一系列混合式射极开关双极晶体管（EBST），特别适合工业照明应用中之功率因子预调节的工业用三相辅助电源供应器与单端初级电感转换器（SEPIC）等应用 |
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打造一个友善的「无所不在」资讯世界 (2004.02.05)
电晶体的发明至今不过半个世纪，但它已经被广泛应用在人类工作与生活上的许多角落。在过去，当一个技术普及之后，往往也象征着这项技术将成为传统产业，然而以电晶体为基础的电子／资讯工业却仍如日当中，甚至可说是还在一个起步的阶段而已 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
