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ROHM推出4引脚封装SiC MOSFET SCT3xxx xR系列 (2019.09.24)
半导体制造商ROHM推出6款沟槽闸结构SiC MOSFET「SCT3xxx xR系列」产品（耐压650V／1200V），适用於有高效率需求的伺服器电源、太阳能变流器及电动车充电站等应用。
此次新研发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分发挥SiC MOSFET本身的高速开关性能 |
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锁定新一代导弹制动系统的无电刷直流马达 (2019.07.05)
现代马达在无电刷直流马达（BLDC）在内所达致各方面的进步，使得业界已经能做出更小、更轻、更廉价、更有效率的CAS设计。为了要驱动BLDC的三个相位，导致系统复杂度提高 |
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您的电动汽车充电系统具有适当的安全性，有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市场上不同类型的电动汽车充电站，展示了常见的结构以及如何将安全性，效率和可靠性整合到最佳设计中。 |
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稳健的汽车40V功率 MOSFET提升汽车安全性 (2019.04.01)
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足电动助力转向系统（EPS）和电子驻车制动系统 （EPB）等汽车安全系?的机械、环境和电器要求。 |
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600V超接合面MOSFET PrestoMOS系列具有快速反向恢复时间 (2019.03.21)
在全球的功率需求中，近50%用于马达驱动，随着生活家电在新兴国家的普及，马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。 |
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安森美半导体推出全新工业级和符合车规的SiC MOSFET (2019.03.19)
安森美半导体推出了两款全新碳化矽（SiC）MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽能带隙（WBG）技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不断电系统（uninterruptable power supply；UPS）及伺服器电源 |
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系统复杂度升级 数位电源让供电难题迎刃而解 (2018.11.28)
数位电源可让系统设计人员节省PCB空间，来增加更多功能电路。除了可以缩短开发时间、降低成本之外，还能快速将产品推向市场。 |
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EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量，以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。 |
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技术领先同业 罗姆半导体摊位两大明星商品吸睛 (2018.10.24)
18日于集思台大会议中心柏拉图厅举行的「车联网技术趋势研讨会」，场外多家厂商的展示摊位纷纷推出主力产品，与会者莫不驻足观赏。 |
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Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充碳化矽MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化矽MOSFET和萧特基二极体的强有力补充 |
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宜特FSM化镀服务本月上线 无缝接轨BGBM晶圆薄化制程 (2018.09.20)
电源管理零组件MOSFET在汽车智慧化崛起後供不应求，为填补供应链中此一环节的不足，在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技，正式跨攻「MOSFET晶圆的後段制程整合服务」，其中晶圆薄化-背面研磨/背面金属化(简称BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)制程，在本月已有数家客户稳定投片进行量产，线上生产良率连续两月高於99.5% |
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英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用於 PFC 与返驰拓扑 (2018.09.07)
英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) CoolMOS? P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新产品，符合最为严格的设计要求：适用於照明、智慧电表、行动充电器、笔电电源供应器、辅助电源供应器，以及工业 SMPS 应用 |
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东芝推出新一代Superjunction功率MOSFET (2018.08.31)
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出新一代650V Superjunction功率MOSFET － TK040N65Z其用於资料中心的伺服器电源、太阳能(PV)功率调节器、不断电系统(UPS)及其他工业应用 |
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东芝推出散热效果更隹40V Nch功率MOSFETs 符合AEC-Q101标准 (2018.08.21)
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出两款可应用於车用相关设计最新40V Nch MOSFET － TPWR7904PB & TPW1R104PB，可应用於电动辅助转向系统、负载开关、电动帮浦。
此款IC为U-MOS第九代晶片采用沟槽式结构，其确保高散热及低电阻的特性 |
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意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半导体（STMicroelectronics）的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，能让使用者选择独立的导通／关断输出或内部主动米勒钳位功能，其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率电晶体 |
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东芝推出功率MOSFET闸极驱动智慧功率元件 (2018.08.06)
东芝电子元件及储存装置株式会社（东芝）推出针对车用三相无刷马达应用的小型化功率MOSFET闸极驱动智慧功率元件(IPD)。此款IC可应用於12V电动辅助转向系统(EPS)、油/水泵、风扇马达和电动涡轮增压器等相关车用马达驱动产品 |
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ADI高效率N通道切换开关涌浪抑制器 对150V瞬变提供保护 (2018.07.27)
亚德诺半导体(ADI)宣布推出Power by Linear LTC7862，该元件为一款具有过压和过电流保护的高效率切换开关涌浪抑制器，适於高可靠性系统应用。
LTC7862 可驱动一N 通道功率 MOSFET 级 |
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搭载整合型MOSFET的最佳化降压稳压器将功率密度提升至新水准 (2018.07.26)
整合是固态电子产品的基础，理想的方案是将所有降压转换器功能整合到一个单一、小型及高能效的元件中，以提供更强大的整体系统优势。 |
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英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案 |
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意法半导体高功率电子式保险丝 提供整合型保护功能 (2018.07.20)
意法半导体（STMicroelectronics）STEF01可程式设计电子式保险丝，整合低导通电阻RDS(ON)的VIPower MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，不仅损耗低，还能将动作快速超载保护之优势延续到额定功率更高的应用产品 |
