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Vishay提供63V额定电压固体钽芯片电容器 (2008.08.11)
Vishay宣布，该公司已扩展了其Tantamount Hi-Rel COTS T97系列，可提供具有63V额定电压的固体钽芯片电容器，从而能够满足+28V电源设计中的额定值降低要求。
由于缺乏面向+28V应用的替代产品，在此之前，设计人员不得不依赖50V钽电容器，这种电容器无法满足50%额定电压的降级要求（军事及最佳商业实践） |
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Vishay推出无线通信的新型小型编/译码器 (2008.08.11)
Vishay Intertechnology, Inc推出用于串行红外(IrDA)无线通信的新型小型编码器/译码器TOIM5232，进一步扩大其光电产品组合。
此新型器件可为串行红外(SIR)IrDA收发器提供适当的RS-232数据信号脉波波形，并支持1.2kbit/s至115.2kbit/s的数据速率 |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔电阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C的温度范围内具有±0.05 ppm/°C的工业级绝对TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的范围内具有±0.2ppm/°C的绝对TCR、在+25°C时具有8W的额定功率（按照 MIL-PRF-39009规范，在自由空气中为1 |
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Vishay扩展了140CRH系列SMD铝电容器功能 (2008.08.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已扩展了其140CRH系列表面贴装铝电容器的功能，从而可提供极高的电容值及纹波电流。
140CRH为具有非故态自恢复电解质的极化铝电解电容器，其非常适用于环境温度高达125°C的汽车及工业系统中的滤波、平滑、缓冲及电压退耦应用 |
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Vishay推出改进的S系列高精度Bulk Metal箔电阻 (2008.07.31)
Vishay宣布推出改进的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)电阻，这些电阻在-55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有±2 ppm/°C的军用级典型TCR、±0.005%的容差，以及超过10,000小时的±0.005%负载寿命稳定性 |
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Vishay与Yosun签订经销协议 (2008.07.29)
Vishay非常高兴地宣布，该公司已与亚洲主要电子组件经销商Yosun签订经销协议。正式签字仪式于 6月18日在位于台湾台北的Yosun办事处举行。在该协议条款下，Yosun将经销除箔电阻以外的全部 Vishay半导体与无源组件 |
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Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻 (2008.07.17)
为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求，Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C参考温度）的温度范围内分别具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm 的出色PCR（“R，由于自加热”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的负载寿命稳定性 |
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Vishay 推出微型面板电位计 (2008.07.14)
Vishay宣布推出具有长久使用寿命、温度系数低至±150ppm/°C且具有9.6mm小型尺寸的新型低成本面板电位计。标准低成本面板电位计的寿命为50,000个周期，而P10L具有500,000个周期的长久使用寿命 |
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Vishay针对车用工业扩展表面贴装铝电容器尺寸 (2008.07.11)
日前，Vishay宣布已扩展其150CRZ系列表面贴装铝电容器的功能，使该系列器件能够提供低阻抗值、高电容与纹波电流，以及可实现高振动功能的4针脚版本。
150CRZ器件采用五种封装尺寸，以8mm×8mm×10mm，直至较大的12.5mm×12.5×16mm |
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Vishay推出新高强度白光功率SMD LED系列 (2008.07.11)
Vishay推出首款采用CLCC-2扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED系列。坚固耐用且具有高光效率的VLMW82..器件具有20K/W的低热阻以及9000mcd～18000mcd的高光功率，主要面向热敏应用 |
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Vishay推出新高强度白光功率SMD LED系列 (2008.07.11)
Vishay推出首款采用CLCC-2扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED系列。坚固耐用且具有高光效率的VLMW82..器件具有20K/W的低热阻以及9000mcd～18000mcd的高光功率，主要面向热敏应用 |
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Vishay推出Bulk Metal表贴装Power Metal Strip电阻 (2008.06.30)
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面贴装Power Metal Strip电阻，该电阻可在限定功率及+70ºC的条件下保持2,000小时的±0.05%负载寿命稳定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC参考温度条件下实现±15 PPM/ºC的绝对TCR，以及具有±0.1%的容差 |
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Vishay推出新型IHLP超薄、髙电流电感器 (2008.06.30)
Vishay宣布推出采用2020封装尺寸的新型IHLP超薄、髙电流电感器。这款小型IHLP-2020BZ-01具有5.18mm×5.49mm的占位面积、2.0mm的超薄厚度、较高的最大频率，以及 0.1µH～10µH的标准电感值 |
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Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔电阻 (2008.06.30)
为满足高可靠性应用中对性能的长期稳定性的需求，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔电阻。这款新型器件在0°C～+60°C（+25°C参考温度）范围内具有±0.05 ppm/°C的低绝对TCR、额定功率时±5 ppm的出色功率系数（"ΔR，由于自加热"）、±0.001%(10 ppm)的容差，以及±0.002%(20 ppm)的负载寿命稳定性 |
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Vishay推出新型高功率、高速850 nm红外发射器 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.推出采用5 mm带引线封装的新一代850 nm红外发射器，从而拓宽了其光电子产品系列。 TSHG5210与TSHG6210具有±10°视角，而TSHG5410与TSHG6x10器件具有±18°视角 |
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Vishay推出新型D2TO35 35W浓膜功率电阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型35W浓膜功率电阻，该器件采用易于安装的小型TO-263封装(D2PAK)，并且具有广泛的电阻值范围。
该新型D2TO35浓膜电阻为无电感器件，具有0.01Ω～550kΩ的宽泛电阻范围 |
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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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Vishay推出新小型双二极管ESD保护数组 (2008.06.05)
Vishay宣布推出新小型双二极管ESD保护数组，旨在保护两个高速USB埠或最多两条其他高频信号线不受瞬态电压信号干扰。
VBUS052BD-HTF采用无铅LLP75封装，尺寸为1.6 mm×1.6 mm，厚度为0.6 mm |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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Vishay推出增强型PowerBridge整流器系列器件 (2008.05.30)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出增强型高电流密度PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为10A至25A，最大额定峰值反向电压为600V至1000V。
与市面上体积更大的桥式整流器相比，PowerBridge器件更为先进的热构造可提升散热效率 |
