 |
Diodes Incorporated离线式变压器专用小型同步整流MOSFET驱动器 (2018.07.18)
Diodes Incorporated推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器，可将 AC 电源转成 DC 电源，提供 5V 至 20V 的电压，提升离线式变压器的效率。
APR346 可运作於连续导通模式 (CCM)、不连续导通模式 (DCM) 与准共振模式 (QR)，旨在驱动外部 MOSFET，充分发挥同步整流 (SR) 效益 |
 |
宜特跨攻MOSFET晶圆後段制程整合服务 (2018.06.30)
随着电子产品功能愈来愈多元，对於低功耗的要求也愈来愈高， MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率元件，而在目前市面上产能不足，客户庞大需求下，宜特科技宣布正式跨入「MOSFET晶圆後段制程整合服务」 |
|
安森美推出新多晶片模组PWM降压稳压器系列 (2018.06.27)
安森美半导体（ON Semiconductor）推出3款新的高能效中压脉宽调变（PWM）降压转换器。
安森美半导体新的FAN6500X 降压转换器系列支援4.5 V至65 V的宽输入电压范围，输出电流高达10 A，输出功率为100 W，结合经历时间测试的固定频率控制方法与灵活的Type III补偿和稳健的故障保护 |
|
Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
|
美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率 |
|
美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
|
英飞凌CIPOS Mini IPM提高低功率马达效率 (2018.05.25)
全球能源效率标准通常禁止制造商进囗或销售未符合标准的产品，为了满足特定的基本要求，必须透过使用最新技术减少能源损耗，英飞凌科技股份有限公司CIPOS Mini系列新增IM512及IM513产品 |
|
东芝推出2款车用新封装40V N-channel沟槽功率MOSFET IC (2018.04.18)
东芝电子元件及储存装置株式会推出2新款小型低电阻SOP Advance (WF)封装的MOSFET产品。新IC- TPHR7904 & TPH1R104PB皆是车用40V N-channel沟槽功率MOSFET的最新Lineup。
此2款MOSFET IC采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽制程及小型低电阻封装，具备低导通电阻有助於降低导通损耗，与东芝上一代产品(U-MOS IV)相比，此ICs设计实现了更低的开关杂讯，帮助降低EMI |
|
大联大品隹集团推出英飞凌1200 V碳化矽MOSFET技术 (2018.04.17)
致力於亚太区市场的领先零组件通路商大联大控股今日宣布，旗下品隹集团将推出英飞凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技术。
此次推出的新技术可提升产品设计的功率密度和效能表现，并有助电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热需求，进一步提升可靠性和降低系统成本 |
|
东芝针对输出型光耦合器推出新封装选项SO6L(LF4) (2018.04.03)
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布为扩大原输出型光耦合器阵容，即日起为SO6L系列推出全新封装类型；新封装SO6L(LF4)为宽引脚间距封装，SO6L(LF4)封装爬电距离为8mm，其符合产业规格标准 |
|
东芝推出搭载高效率、静电放电保护、小型封装MOSFET IC (2018.04.03)
东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出搭载高效率静电放电保护的双MOSFET IC － SSM6N813R，此新产品适用於需耐高压及小尺寸的车用产品或装置，包括LED头灯驱动IC，并於4月开始量产出货 |
|
APEC 2018Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司与从事碳化矽技术开发的美商Monolith Semiconductor推出两款1200V碳化矽(SiC) n通道增强型MOSFET，进而扩展第一代电源半导体元件组合。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体 |
|
美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款产品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC萧特基阻障二极体(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的 SiC 离散器件和模组产品组合 |
|
东芝针对继电器驱动器推出新款小型双通道MOSFET IC (2018.02.08)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出小型双通道MOSFET SSM6N357R，此款新产品在漏极(Drain)和闸极端子(Gate terminals)之间有内建二极体(Diode)。此IC适用於驱动机械继电器(Mechanical relays)等电感负载 |
|
贸泽电子供应ON Semi FDMF8811 110V桥式功率级模组 (2018.02.05)
贸泽电子开始供应ON Semiconductor的FDMF8811桥式功率级模组。FDMF8811模组适用於半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模组，其采用高效能的PowerTrench MOSFET技术，可减少转换器应用的开关振铃 |
|
东芝新一代600V平面MOSFET系列 结合高效率及低杂讯 (2018.01.22)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量产出货於即日起启动。
- 第九代π-MOS系列采用最隹化的晶片设计，与现有的第七代系列相比，其EMI杂讯峰值低5dB[1]，但同时又保持了相同水准效率 |
|
英飞凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飞凌科技发表新款高电压超接面(SJ) MOSFET 技术产品 600 V CoolMOS CFD7，让CoolMOS 7 系列更为完备。
新款 MOSFET 产品满足高功率 SMPS 市场的谐振拓朴需求，为 LLC 和 ZVS PSFB 等软切换拓扑提供领先业界的效率与可靠度，最适合像是伺服器、电信设备电源和电动车充电站等高功率 SMPS 应用 |
|
TDSC推出中压、高容量、小型封装的光继电器 (2017.11.16)
[东京讯](BUSINESS WIRE)东芝电子元件及储存装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, TDSC)推出一款采用小型2.54SOP4封装的新型光继电器TLP3145，该光继电器关闭状态输出端电压达200V，导通电流为0.4A |
|
东芝推出小型封装N-channel MOSFET驱动IC (2017.10.27)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出两款TCK401G（高电位作动）和TCK402G（低电位作动）N-channel MOSFET驱动IC，该产品支援最高可达28V的输入电压，适合快速充电和需要大电流电源的其他应用 |
|
Littelfuse碳化矽MOSFET可在电力电子应用实现超高速切换 (2017.10.20)
Littelfuse(利特)公司推出了首个碳化矽（SiC）MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化矽技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
