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自我保护型 MOSFET提供高可靠性 (2017.09.18)
汽车业需要具有成本效益与完全可靠的解决方案，但这种潜在的破坏性环境，对现代汽车常见的大量控制功能所需的功率半导体装置带来巨大的挑战。 |
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电动车时代加速来临 (2017.09.05)
至2025年，新能源车占全球车市的比重将来到两成，这个数据看起来微小，但相较2016年不到3%的占比，已有相当大的成长幅度。 |
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凌力尔特推出具快速60V保护的高压侧N通道MOSFET驱动器 (2017.07.14)
美国亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology Corporation) 日前推出高速、高压侧N通道MOSFET驱动器 LTC7003，该元件可采用高达60V的电源电压操作。其内部充电泵全面增强了外部N通道MOSFET开关，使其能无限期保持导通 |
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快速trr性能的600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS (2017.06.22)
新加入可达到低ON电阻与低QG的R60xxMNx系列产品，将可大幅提升马达驱动应用装置，如搭载变流器的空调设备之节能效果。 |
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D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定 (2017.06.20)
D3 Semiconductor与贸泽电子签署全球分销协定
D3 Semiconductor宣布贸泽电子 (Mouser Electronics) 现已成为其全球分销合作伙伴。根据协定，贸泽电子目前储备D3 Semiconductor 的完整650 伏额定电压超结金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET) +FET产品线 |
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意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET (2017.06.08)
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET
意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率电晶体，可用于汽车马达控制、电池极性接反保护和高性能功率开关 |
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意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体 (2017.06.02)
意法半导体新MDmesh MOSFET内建快速恢复二极体
此系列为超接面MOSFET电晶体技术，新产品额定电压范围涵盖950V至1050V，开关性能、导通电阻（RDS(ON)）和矽单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET电晶体 |
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皇晶新品100MHz 高压差动探棒上市 (2017.05.16)
皇晶(Acute)新推出ADP1100/2100频宽100MHz的高压差动探棒，主要应用于高压浮接 / 不共地的测量。
100MHz 的频宽可抓住切换式电源愈来愈高频的 MOSFET 讯号，拥有良好的 CMRR 与低底噪特性，业界最小的体积，能工作在更狭窄的空间 |
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英飞凌全新封装StrongIRFET MOSFET 适用于电池供电应用 (2017.04.18)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出采用 D2PAK 7pin+封装的40 V MOSFET，让 StrongIRFET系列产品更臻完备。全新MOSFET系列提供极低的 0.65 mΩ RDS(on)以及高电流输送能力，因此提升耐用性与可靠性，适用于需要高效率与可靠性的高功率密度应用 |
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英飞凌推出适用于高密度应用的整合型MOSFET稳压器 (2017.03.08)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出新款易于使用、完全整合、具备高效率的DC-DC 稳压器IR3883，专为高密度负载点(PoL)应用而设计，满足高效率、高稳定性和良好散热特姓的要求，非常适合网路通讯、电信、伺服器和储存解决方案 |
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凌力尔特双向电子断路器针对电流和电压故障提供全面保护 (2017.03.03)
凌力尔特 (Linear Technology) 日前推出电路保护控制器 LTC4368，在电池供电式汽车、工业和可携式系统中，该元件可针对2.5V 至 60V 电子线路确保安全的电压和电流水准。 LTC4368 能替代熔断器、暂态电压抑制器和分立电路，以实现用于避免电子线路遭受有害的过电流及过压、欠压和反向电压状况之损坏的精小全面解决方案 |
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东芝推出新款600V/650V超接面N沟道功率MOSFET (2017.02.06)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。
该新系列拥有与东芝当前的「DTMOS IV系列」相同水准的低导通电阻、高速开关性能，同时，其最佳化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB |
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英飞凌700 V CoolMOSTM P7系列适用于准谐振反驰式拓朴 (2017.01.25)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）针对现今及未来的准谐振反驰式拓朴趋势，推出全新700V CoolMOS P7系列。相较于目前所用的超接面技术，全新MOSFET的效能适用于软切换拓墣应用，包括智慧型手机、平板电脑充电器，还有笔记型电脑电源供应器 |
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东芝推出800V超结N沟道功率新MOSFET (2017.01.23)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司宣布针对高效率电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET。 「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的「π-MOSVIII系列」相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79% |
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凌力尔特推出新款多相 60V 同步升压控制器 (2017.01.11)
凌力尔特 (Linear) 日前推出多相同步升压 DC/DC 控制器 LTC3897，该元件具备输入涌浪抑制器和理想二极体控制器。升压控制器异相可驱动两个 N 通道功率 MOSFET 级，以降低输入和输出电容要求，因而能使用比同类单相方案更小的电感器 |
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东芝全新MOSFET系列产品实现低导通电阻与高速表现 (2016.12.23)
东芝半导体(Toshiba)推出全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品，其具备低导通电阻和高速之优良表现，U-MOS9系列MOSFET产品阵容提供更多样化产品选择，以满足制造商各式需求 |
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高耐压风扇马达驱动器评估专用公板系列 (2016.12.07)
ROHM开发了针对能够极为简单，且高效率做到室内空调装置、密封式风扇等家电产品变频化的高耐压风扇马达驱动器所使用的评估专用公板BM620xFS-EVK-001系列。 |
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英飞凌闸极驱动 IC 1EDN提供低功耗和高稳定度 (2016.11.09)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出 1EDN EiceDRIVER 系列产品。该款 1 通道的低侧闸极驱动 IC 适用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。其脚位输出与封装方式完全相容于业界标准，便于直接在现有设计中作替换 |
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凌力尔特推出38V输入同步升压控制器 (2016.11.08)
凌力尔特（Linear Technology）日前推出 H 等级版本的 LTC3786，该元件为一款同步升压 DC/DC 控制器，可保证于接面温度高达摄氏150度的操作。 LTC3786 采用 N 通道 MOSFET 取代升压二极体以提高效率并降低功耗 |
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Diodes推出新款可程式化调光LED驱动器 (2016.10.21)
Diodes公司推出AL3050电流模式升压型LED驱动器，为携带型设备的LED背光提供可程式化亮度功能。这款产品具有先进的调光特点、小尺寸、低BOM成本和高效率的优点，适合带有小型LCD面板的单锂电池设备，例如多功能/智慧手机、携带型媒体播放机、GPS接收器以及其他高移动性装置 |
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