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CTIMES / 内存/储存管理
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简介几个重要的Bus规格标准

总的来说,一系列与时俱进的Bus规格标准,便是不断提升在计算机主机与接口设备之间,数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
恒忆推出新系列相变内存解决方案 (2010.04.30)
恒忆(Numonyx)日前宣布正式推出全新系列 PCM(Phase Change Memory)产品。该系列产品采用被称为 PCM 的新一代内存技术,具备更高的效能、耐写次数且设计更为简易,适用于有线及无线通信、消费电 子、个人计算机和其他嵌入式应用
三星正式量产20奈米级NAND Flash内存 (2010.04.27)
三星电子(Samsung)宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND芯片,可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案,可提供智能型 手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择
台积电0.25微米车用嵌入式闪存广受好评 (2010.04.27)
台积电日前宣布该公司符合汽车电子AEC-Q100第一级(AEC-Q100 grade1)高规格要求之0.25微米嵌入式闪存制程,在2009年,部分客户产品的实际行车故障率(field failure rate)已达到低于千万分之一( 考虑每个产品在测试筛选过程中
LSI推出全新高效能PCI Express固态储存解决方案 (2010.04.22)
LSI日前宣布为OEM客户提供PCI Express固态储存(SSS)解决方案之样品。这款SSS卡采用业界标准的SAS协议和被广泛使用的LSI SAS软件,可提供简易的系统整合与管理作业。全新的解决方案专为众多及应用提供最大I/O效能而设计,包括Web服务、数据仓储、数据探勘、在线事务处理作业、以及高效能运算等
宇瞻发表HP彩色激光打印机专用内存模块 (2010.04.16)
宇瞻科技(Apacer)近日宣布,全新发表HP彩色激光打印机Color LaserJet Enterprise CP4020/CP4520系列所设计的DDR2内存模块。宇瞻此次推出之DDR2 200pin x32 DIMM内存模块,拥有256MB与512MB两种容量,用户除了使用原本内建的512MB标准内存外,也可透过插槽将容量扩充,以满足企业大量打印的需求
Microchip扩充UNI/O EEPROM产品系列 (2010.04.08)
Microchip日前宣布,单一I/O总线接口的UNI/O EEPROM组件已开始供货。除了采用3接脚的SOT-23封装,Microchip也提供微型、晶圆级的封装形式和TO-92的封装。0.85 mm × 1.38 mm的晶圆级封装形式(WLCSP)约为一颗晶粒大小,并能支持使用标准取放机的制造流程;长引线(long-leaded)、3接脚的TO-92封装则支持手工组装的制造流程或适合直接安装于电缆组件
Kilopass一次性可编程内存完成TSMC认证 (2010.04.07)
Kilopass Technology于日前宣布,该公司的XPM嵌入式一次性可编程非挥发性内存技术,已在TSMC™ 40nm及45nm低功率制程技术中,完成TSMC IP-9000 Level 4认证与偏差鉴定。此外,Kilopass 40/45nm一次性可编程技术的早期采用客户,已成功完成设计定案
ST推出新款工业标准内存监控保护组件 (2010.04.07)
意法半导体(ST)近日宣布,推出串行式存在侦测(Serial Presence Detect,SPD)EEPROM与温度监测二合一芯片:STTS2002模块。这款保护组件符合最新的JEDEC TSE2002标准中有关从终极行动设备(Ultra Mobile Device,UMD)到高性能服务器等各种计算机产品所用DDR3 DRAM模块的要求
Spansion推出90奈米256Mb MirrorBit SPI多重I/O产品 (2010.04.01)
Spansion周三(3/31)宣布,该公司为机顶盒、数字电视、工业设计,以及芯片组的制造商等客户,推出90奈米256Mb的MirrorBit多重I/O序列式外围接口(SPI)闪存装置最新样品。 新的消费与工业应用需要密度更高的序列式内存
储存商机!Atom平台进攻家用市场最新捷报 (2010.03.24)
Intel似乎始终觉得Atom处理器的应用领域窄小了些,在Atom推出一年之际,尝试以合作或推出新品的方式打开Atom新窗口。本月初(3/5)推出针对家用与小型办公室储存装置的节能平台,就是以Atom作为基础架构,包括了Intel Atom处理器D410单核心或D510双核心芯片,以及Intel 82801IR I/O控制芯片
力旺与韩商美格纳合作建构0.11um之NVM制程平台 (2010.03.11)
力旺电子(eMemory)与韩商美格纳(MagnaChip)昨日(3/10)宣布,由力旺电子开发之Neobit嵌入式非挥发性内存技术,已建构于美格纳0.11um 高压先进制程平台,并将于2010年Q1进入量产
ST推出全新射频EEPROM芯片系列新产品 (2010.03.09)
意法半导体(ST)于昨日(3/9)宣布,推出全新射频EEPROM芯片系列的首款产品M24LR64,样品已正式上市。该新产品能够让客户在供应链中任何环节、产品周期的任何时间无线设置或更新电子产品参数,设备制造商无需连接程序设计,甚至无需打开产品包装,即可更新产品参数、设置软件码或启动软件
恒忆推出新款串行式闪存解决方案 (2010.03.09)
恒忆(Numonyx)近日宣布,推出首款65奈米多路输入输出串行式闪存(serial flash memory)系列产品,满足嵌入式市场严格编码和数据储存的可靠性要求。新的Numonyx Forté N25Q系列串行式闪存可为当今计算机、机顶盒和通讯设备的主流嵌入式应用提供最高的读写效能、设计灵活性和应用可靠性
力浦电子推出新款刻录器系列产品 (2010.03.09)
力浦电子于日前宣布,推出新款刻录器系列SU-600及SU-6000。该新产品特别针对大容量NAND FLASH组件为主,1Gb刻录时间仅需26.1秒,并可针对组件的特殊应用,提供Bad Block Skip刻录/核对、母带读取和组件分析功能
GSA将在台湾举办Memory Conference (2010.03.02)
全球半导体联盟(GSA)正式宣布,GSA Memory Conference将于2010年3月16日星期二于台北晶华酒店盛大举行。本活动为业界首次以结合Memory及Logic IC达到更佳系统效能为活动主轴的研讨会
科统科技MCP芯片已通过联发科平台验证 (2010.02.25)
科统科技(memocom)于昨日(2/24)宣布,其MCP产品-KIX2832已通过联发科新款GSM/GPRS手机单芯片MT6253平台验证,该款产品并已正式量产。 科统表示,该款KIX2832 MCP符合JEDEC LPC标准,是国内首家通过联发科MT6253平台验证,也是率先采用ADMUX技术并量产的手机用MCP
ST退出闪存业务 恒忆并入美光科技 (2010.02.11)
意法半导体(ST)今(11)日宣布,意法半导体、英特尔(Intel)及Francisco Partners三方,与美光科技(Micron Technology Inc.)签署正式并购协议。根据协议,美光将以全额股票形式收购恒忆控股公司(Numonyx Holding B.V.)
RAMBUS推出行动XDR内存架构 (2010.02.10)
Rambus宣布推出新一代行动产品适用的行动XDR内存架构。乃延续Rambus去年所发表的行动内存技术,能够提供高带宽且低功耗的内存架构,进而使装置的功耗与效能充分满足新一代行动产品的需求
服务器虚拟化与DAS储存 (2010.02.04)
本文焦点放在服务器虚拟化的尖端技术,包括如何建构、如何解决储存I/O的问题,以及当前的各种优势与限制。另外,各种虚拟化I/O解决方案,包括如何协助解决大多数的问题,以及完成从独立服务器转移至完全虚拟化平台的流程,亦为主要探讨重点
Apacer发表新款双信道DDR3超频内存模块 (2010.02.01)
宇瞻科技(Apacer)推出全新「第二代Giant系列双信道DDR3超频内存模块」,帮助游戏玩家打造极速超快感的桌面计算机游戏平台。宇瞻此款「第二代Giant系列双信道DDR3超频内存模块」除延续Giant系列巨型散热片的设计

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