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茂德产能提升 70奈米试产上看万片 (2007.03.15)
内存大厂茂德将中科一厂单月最大产能提升到60,000万片，今年总产量将较去年成长6.至7成。此外茂德兴建中的中科二厂，第三季可完工移入机台，并陆续导入量产设备。茂德也确定年底前单月能有10,000片的产出是直接采70奈米试产，至于竹科厂方面，虽然月产能仅20,000片，但已经开始着手进行95奈米的试产 |
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台积电成功为客户生产65奈米嵌入式DRAM (2007.03.15)
台积电成功为客户产出65奈米嵌入式动态随机存取内存（embedded DRAM）客户产品，此一产品的DRAM容量达数兆位级，并且首批产出芯片就通过功能验证。
台积电过去已于2006年第二季为客户量产65奈米产品 |
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南亚最快明年达成DRAM全球市占一成目标 (2007.03.12)
据南亚科技总经理连日昌表示，南亚首座十二吋厂三A厂明年底便将达到每月6万2000片的产能，到时候南亚将拥有超过一成的全球市占率，并且也将正式进军NAND Flash市场。而第二座十二吋厂三B厂也会在今年下半开始动工兴建 |
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奇梦达扩建苏州封测厂 (2007.03.09)
奇梦达（Qimonda）于2007年3月8日表示，未来的三年将投资2亿5000万欧元资金扩建位于苏州的封测厂，保守估计产能可扩增一倍。奇梦达的后端内存IC（DRAM）封装测试厂，在扩建过程中，奇梦达将建置第2座厂房，使其产能扩增1倍 |
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富士通推出256Mbit Mobile FCRAM产品 (2006.11.28)
香港商富士通微电子台湾分公司，宣布推出全新Mobile 256Mbit FCRAMTM(快速循环随机存取内存)。此款Mobile FCRAM采用富士通FCRAM核心技术，是一个拥有SRAM接口的虚拟静态随机内存(PSRAM)，具高速运算及低功耗，适用于手机等各种手持式装置之应用 |
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Hynix、ST在中国合资内存制造厂举行开业典礼 (2006.10.11)
意法半导体和海力士半导体正式为在中国江苏省无锡市合资建立的内存前端制造厂举行开业典礼。中国中央及地方政府的高阶官员皆出席了此盛大的典礼。将负责制造NAND闪存和DRAM内存产品 |
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Cypress推出地址/数据多路传输双埠RAM组件 (2006.09.22)
Cypress推出全新六款以异步双埠RAM系列组件为基础的跨处理器通讯解决方案，可应用于下一世代智能型手机。新款More Battery Life(MoBL)双埠RAM组件率先整合地址/数据多路传输(Address/Data Mulplexed；ADM)接口 |
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奇梦达与南亚科技获得75奈米DRAM技术之验证 (2006.09.19)
奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75奈米DRAM沟槽式（Trench）技术之验证，最小之制程尺寸为70奈米，第一个75奈米之产品将为512Mb DDR2内存芯片。此项新的技术平台和产品是双方共同在德国德勒斯登（Dresden）和慕尼黑（Munich）的奇梦达开发中心所开发的 |
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奇梦达正式公开发行股票 每股13美元 (2006.08.10)
英飞凌科技(Infineon Technologies AG)和奇梦达(Qimonda AG)公司与主办承办商，今天在纽约共同确定奇梦达公司首次公开发行(IPO)的价格及发行规模。首次公开发行的价格为每股美国存托股票(American Depository Share, ADS)13美元，每股ADS对应一股奇梦达普通股 |
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日本尔必达将在明年初决定新厂落脚何处 (2006.08.01)
根据路透社消息指出，全球第五大动态随机存取内存（DRAM）芯片制造商－日本尔必达内存（Elpida Memory）于2006年8月1号表示，将在明年初以前决定新芯片厂，在海外选择方面，考虑过税率和补贴事宜后，目标缩小到三个地方，考虑的建厂地点包括台湾、中国和新加坡 |
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尔必达考虑于台湾设立DRAM新厂 (2006.07.20)
根据报导，日本DRAM制造厂尔必达（Elpida）考虑将计划中的先进工厂设在台湾。该公司将和在日本国内设厂的优劣进行比较之后，再作出最后决定。
据了解，尔必达计划的新厂设备可制造加工宽度只有70奈米的DRAM半导体回路线，预定月产10万片，同时也计划生产下一代的半导体PRAM |
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中国IP侵权第一案可望落幕 (2006.06.20)
根据赛迪网站消息指出，深圳朗科与华旗信息关于闪存的知识产权（IP）官司可望达成和解，双方近日已经传出达成和解协议。
深圳朗科与华旗信息之间的官司由来已久，被称为中国IT知识产权第一案 |
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DRAM厂锁定发展高毛利之利基型产品 (2006.06.15)
从2005年第四季起，全球前五大DRAM厂三星、美光、奇梦达（Qimonda）、海力士与尔必达等，已经明确对外表示，未来DRAM事业着重重点，将不再是标准型DRAM，而是锁定高毛利的利基型DRAM |
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需求浮现 DRAM价格七月将上扬 (2006.06.06)
内存大厂南科召开法说会，副总经理白培霖表示，六月份的DRAM合约价见低点，DDRII约小跌3至5％，DDR方面则持平或小涨，然因大陆地区暑期计算机促销档期将开始，预期需求会在六月下半出现，因此DRAM合约价可望在七月小反弹 |
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Cypress推出QDR II+ 与 DDRII+ SRAM组件样本 (2006.04.23)
Cypress Semiconductor宣布已经开始供应业界首款四倍数据传输率（Quad Data Rate II+, QDR II+）与双倍数据传输率（Double Data Rate II+, DDRII+）的SRAM组件样品。此款全新内存芯片比市面上其他竞争产品，多出高达50%的系统带宽，因此可提供业界最高密度与最高带宽的效能 |
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受产能排挤影响 DRAM价格大幅上扬 (2006.04.19)
受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配，以及DRAM大厂的DRAM及NAND闪存的产能排挤等因素影响，四月以来DRAM现货价格明显向上拉高，其中又以DDR价格上涨动力最强，有效测试（eTT）256Mb DDR十八日单日就大涨逾5％收2.35美元 |
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力晶中科新厂动土 总投资额3000亿元 (2006.04.02)
首家进驻中科后里园区的力晶半导体与中部科学工业园区开发筹备处共同举行联合动土典礼。力晶将斥资300亿元，兴建四座十二吋晶圆厂（Fab 12C/ D/E/F）并创造逾五千个工作机会，结合新竹科学园区既有三座十二吋晶圆厂的庞大产能，更凸显力晶跻身世界级内存大厂的企图心 |
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集邦科技：DDR3预计2009年才会成为PC市场主流 (2006.03.30)
DDR2自2004年初开始在PC市场应用萌芽，但相继受到0.11微米制程不顺，DDR2 成本居高不下及Intel芯片组缺货影响下，直至2006年第二季才晋升成为主流的内存规格。DDR2成为主流的时程较厂商预期落差达一年左右 |
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DRAMeXchange下修2006年DRAM位成长率预测 (2006.03.22)
根据DRAMeXchange所调查的3月下旬合约价，DRAM厂已无进一步提高价格，不论DDR模块或DDR2模块，大致以持平成交。一些计算机系统大脑试图谈判更低的价格，但在3月下旬，DDR2缺货现象虽不若2月份严重，仍处吃紧状态 |
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DRAMeXchange：淡季DDR价格底部即将浮现 (2006.03.21)
DRAMeXchange指数(DRAM总产值综合指数)于本月份7号到13号，由3007下降至3000，反映DDR与DDR2现货市场的价格均微幅走跌。现货市场方面，DRAM价格买气不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT价格维持在1.79美元并无太大变化 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
