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Broadcom为移动电话推出突破性的65奈米单芯片 (2008.06.06)
Broadcom（博通公司）宣布,推出下一代的Bluetooth 2.1+EDR单芯片解决方案。此方案除了在效能上有重大的升级突破外，并具有更低功耗、更小芯片尺寸和射频效能提升等多项强化的特性 |
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Broadcom推出单芯片802.11n USB解决方案 (2008.06.05)
全球有线及无线通信的半导体厂商Broadcom（博通公司）宣布，全世界第一个为USB无线网络卡设计的单芯片双频802.11n解决方案上市，成为Broadcom Intensi-fi XLR WLAN家族最新一员 |
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TI推出16位40-MSPS及80-MSPS数据转换器 (2008.05.14)
德州仪器(TI)宣布推出16位单信道40MSPS及80 MSPS模拟数字转换器(ADC)，能够以极低耗电达到最高的讯号噪声比(SNR)。本装置的超低噪声可提升测试与测量的准确度、无线通信的接收器灵敏度，以及医疗、工业与军事等应用的影像质量 |
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IBM与特许合作公布32nm代工服务蓝图 (2008.04.18)
IBM与特许半导体共同发表了32nm制程代工服务的发展规划蓝图。根据了解，两公司已于4月4日开始提供设计使用的制程设计工具（PDK），而2008年9月起也将开始提供IP试制用的Shuttle Service（低价少量的芯片设计服务） |
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美光Aptina成像部门发表高解析CMOS传感器 (2008.04.10)
美光科技（Micron Technology）的Aptina成像部门发表了用于监控摄影镜头、动态范围可达80～120dB的CMOS影像传感器MT9V033。据了解，该传感器最大特色在于能够以WVGA（720×480画素）的分辨率，以及60幅/秒的速度拍摄影像 |
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克服超低价手机的设计挑战 (2008.03.25)
ULC手机市场独特，只有采用特殊的市场策略才能成功，必须兼顾ULC消费者习惯以及电信营运商ARPU获利模式。因此ULC手机晶片组必须顺应市场脉动，IOT测试提高电信服务互通性、确保城乡频谱分配下的射频灵敏度、控制理想的温度与电压环境、降低功耗等功能都需具备 |
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OmniVision新感测架构提高相机模块光灵敏度 (2008.02.18)
在全球移动大会（Mobile World Congress）上，CMOS影像传感器供货商豪威科技（OmniVision Technologies）宣布，其OmniPixel3—HSTM架构应用了最新画素设计，使OmniPixel3TM 1.75微米的敏感度提升一倍，至960毫伏/勒克斯秒 |
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Cypress CMOS影像传感器运用于电影艺术创作 (2008.02.04)
Cypress Semiconductor宣布ARRI的ARRIFLEX D-20摄影机与ARRISCAN电影影片扫瞄器采用Cypress的OSCAR客制化CMOS影像传感器。此款600万画像素传感器尺寸大小相当于Super 35mm底片孔径，能让D-20相机在拍摄高画质（HD）影片时，使用和35厘米摄影机相同的定焦、变焦、以及特殊镜头 |
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ST将针对样品试制用途提供45奈米CMOS制程技术 (2008.01.24)
意法半导体（STMicroelectronics）与CMP (Circuits Multi Projects）共同宣布，将提供由意法半导体所开发的45nm CMOS制程给样品试制之用的厂商与单位。透过样品制造与少量生产用途的IC代理商CMP，可向大学、研究机构以及企业提供用于新一代系统级芯片（SoC）的45nm CMOS制程 |
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NXP与台积电开发MEMS之low-k材料封装技术 (2008.01.22)
由恩智浦与台积电合资成立的研究中心（NXP-TSMC Research Center），日前成功开发出将先进CMOS LSI布线中所使用的材料用于MEMS组件封装的制程方法，并于美国MEMS 2008展会上展示相关技术 |
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IBM与东芝将合作研发32nm Bulk CMOS制程 (2007.12.20)
IBM和东芝将合作研发32nm Bulk CMOS制程。据了解，IBM和东芝宣布，已经就合作研发32nm Bulk CMOS制程技术达成了协议。未来这两家厂商将持续在位于美国纽约州Yorktown和Albany的研究机构内，共同发展32nm之后的半导体制程技术基础研究 |
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Akustica CMOS MEMS数字麦克风销售突破两百万 (2007.11.12)
电子零组件代理商益登科技所代理的系统单芯片声学系统开发商Akustica宣布，其数字麦克风产品销售量已突破两百万大关，这是该公司继三个月前突破百万销售量后的另一重要里程碑 |
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Linear新款CMOS运算放大器具1pA偏压电流 (2007.09.26)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表两款CMOS运算放大器LTC6081及LTC6082;透过3.5MHz增益带宽可达到极致的精准度，在整个-40°C至+125°C温度范围内拥有低于90uV的偏移量。双组LTC6081及四组LTC6082具备轨对轨输入及输出步阶，能达到仅1.3uVp-p的低频率噪声，及于25°C时最大值为1pA的低输入偏压电流，使此放大器成为精准仪器应用的理想选择 |
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NEC0.25微米制程门阵列CMOS-10HD开始供货 (2007.09.06)
NEC电子发表2款可使用闸数为6,793闸及2款闸数21,118闸的产品，其可采用0.25微米制程的门阵列CMOS-10HD系列产品。可实现接口电路及输入输出控制电路等IC化。
NEC电子指出，门阵列是指由半导体厂商准备出已在硅片形成被称为基本单元逻辑闸的母板，按照客户所需的电路进行布线，在母板上形成电路的半客制化芯片 |
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Avago推出采用65nm CMOS制程的SerDes (2007.08.30)
安华高科技Avago Technologies宣布，已经在65nm CMOS制程技术上取得17 Gbps SerDes的效能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位，Avago最新一代的制程技术能够节省高达25%的耗电与空间 |
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茂德将进军CMOS影像传感器领域 (2007.08.08)
茂德将进军CMOS影像传感器领域。茂德对外宣布，已经获得日商凸版印刷的CMOS影像传感器后段晶圆制程技术授权，预计将在十月初进行工程片产出认证，未来将在第四季开始进行小量生产 |
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ST与IBM携手开发新世代半导体制程技术 (2007.07.26)
ST与IBM已经签约，将携手开发新世代半导体制程技术，这也是芯片业者近来纷纷结盟，以分担高昂成本与风险的最新例子。ST最近已采取一些措施来降低成本结构，ST表示将与IBM合作开发32与22奈米CMOS制程技术，并且开发可以改善12吋晶圆生产的先进技术与设计 |
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新力公开展示最新CMOS传感器生产线 (2007.07.20)
新力展示其在九州岛熊本技术中心（熊本TEC）的CMOS传感器工厂最新生产线。该生产线是在2007年春季开始使用12吋晶圆量产CMOS传感器的2号厂房。由于CMOS传感器、CCD等影像感测组件直接关系到新力的产品性能，而且能够在制程上有别于竞争对手，因此被定位于强化生产设备的重点领域 |
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Cypress与InPhase聯手开发全像资料储存光盘 (2007.07.18)
Cypress公司宣布与全像资料储存領域厂商InPhase Technologies公司合作，为InPhase提供运用于其Tapestry全像资料储存系统中的CMOS影像传感器解决方案。Cypress与InPhase于2005年开始合作开发超靈敏及超快速的CMOS 影像传感器，以因应高速讀取储存于InPhase Tapestry光驱资料的需求 |
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ST推出下一代低功耗45nm CMOS设计平台 (2007.06.22)
半导体制造厂商意法半导体（ST）公布该公司的45nm（0.045微米）CMOS设计平台技术的相关信息，此平台可用来开发强调低功耗的无线与可携式消费性应用的下一代系统单芯片（SoC）产品 |
