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Fairchild全新SuperFET II MOSFET与高压整流器加速电动汽车设计 (2015.04.02)
快捷半导体（Fairchild）推出全新符合汽车认证的SuperFET II MOSFET与高压整流器产品系列，致力于解决汽车制造商及其零件供应商的更高阶需求，这两款新产品整体均符合更清洁、更智慧的汽车设计要求，也是提高混合动力、插电式混合动力与纯电动汽车中所使用的车载充电器与DC-to-DC 转换器之额定功率的 |
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安森美半导体获微星颁发2014年最佳合作伙伴奖 (2015.03.18)
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）在微星科技（MSI）最近的年度供货商大会上获其颁发「2014年最佳合作伙伴奖」。安森美半导体是从全球超过120家供货商中获选授此荣誉 |
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并购Enpirion有成 Altera让电源设计有更多想象 (2015.03.12)
FPGA大厂Altera在两年前并购了电源芯片供货商Enpirion后，便致力于FPGA系统整体电源设计的优化，尽管过去FPGA本身的发展本就在降低功耗与提升效能上有相当多的努力，但Altera此举，无疑是希望在功耗表现上能更加出色 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通导电阻与广泛封装范围 (2015.03.10)
高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻（Rdson）与输出电容（Coss）。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案，改善效率、成本效益与可靠度，更减少了组件数量，精简机板空间，为设计人员带来更大的弹性 |
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凌力尔特新款切换涌浪抑制器可针对达200V以上的瞬变提供保护 (2015.03.05)
凌力尔特（Linear）日前发表一款高效率切换涌浪抑制器LTC7860，可针对高可用性系统提供过压和过电流保护。在正常操作下，LTC7860 可连续开启外部P信道MOSFET，以最小的导通损耗将输入电压传送至输出 |
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Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积 (2015.02.26)
Diodes公司推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品透过减少组件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化马达驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用马达驱动应用的要求；30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相位风扇应用 |
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Diodes微型场效晶体管节省40%空间 (2015.02.13)
Diodes公司为提供空间要求严格的产品设计，扩充了旗下超小型分立组件产品系列。新推出的3款小讯号MOSFET包括20V和30V额定值的N信道晶体管，以及30V额定值的P信道组件，产品全都采用DFN0606微型封装 |
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英飞凌新一代功率MOSFET具备低导通电阻 (2015.02.10)
英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下80V和100V两款新产品。最新一代的功率MOSFET针对高切换频率所设计，适用于电信及伺服器电源供应器等同步整流，以及其他如太阳能、低压马达和变压器等工业应用 |
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德州仪器推出NexFET N信道功率MOSFET实现低电阻功效 (2015.01.22)
采用5公厘x 6公厘QFN封装并具极低Rdson的25 V和30 V装置
德州仪器（TI）推出NexFET产品线的11款新型N信道功率MOSFET，包括拥有低导通电阻（Rdson）且采用QFN封装的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其适合热插入和ORing应用 |
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安茂微电子推出高效率2A同步升压转换器 (2015.01.19)
安茂微电子推出一系列DC-DC升压转换器─AME5125，采用电流控制同步技术以及整合MOSFET，有效提供高效率的电源。 输入电压为2.7V~5.5V，提供最大5.5A的输出电流，主要应用于携带式电源、蓝牙音箱等单电池供电的便携设备相关产品，适用于以碱性电池、镍氢电池或锂电池 |
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Diodes全新MOSFET闸极驱动器提升转换效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一对1A额定值的40V轻巧闸极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式电源以及马达驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和 ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩短MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率 |
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麦瑞半导体新款小尺寸负荷开关提供7A安恒电流 (2015.01.08)
麦瑞半导体（Micrel）推出 MIC95410 7A 负荷开关，封装尺寸紧凑，仅仅为1.2mm x 2.0mm。该器件可用于有功率分配需求的系统，能够透过斜率控制来控制加电顺序，这种功能通常会用在工业计算、服务器主板、医疗设备、平板计算机、笔记本和固态硬盘等应用中 |
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Diodes推出40V额定值动态OR'ing控制器 (2014.12.24)
Diodes公司推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升电讯系统、资料中心及伺服器不断电供应系统的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而取代耗能的萧特基（Schottky）阻断二极体，有效降低运作温度并加强不断电供应系统的完整性 |
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IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装 (2014.12.17)
国际整流器公司（International Rectifier；IR）推出采用高效能4×5 PQFN功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。此项新的封装选择使IR的功率模块产品系列效能得以延伸至更低功率的设计 |
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凌力尔特涌浪抑制器解决方案符合MIL-STD-1275D标准 (2014.12.11)
凌力尔特（Linear Technology）日前推出符合MIL-STD-1275D标准的涌浪抑制器解决方案，并展示于评估板DC2150A。 MIL-STD-1275D是由美国国防部（United States Department of Defense）建立的标准，其规定了军用地面车辆的28V直流电源之稳态和瞬变电压特性 |
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凌力尔特新款j微型模块稳压器可高效转换 (2014.12.05)
凌力尔特（Linear）日前发表20A DC/ DC降压 uModule（微型模块）稳压器LTM4639，能够以优化效率转换2.5V至7V主电源系统电源端至低至0.6V的负载点电压。在复杂的机架安装系统中，更高的电压转换效率将可节省能源消耗、热管理和设备尺寸 |
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IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02)
国际整流器公司 (International Rectifier；IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件，包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET备有极低的导通电阻，藉以大幅减少导通损耗，提供20V和30V N信道及P信道组态组件 |
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凌力尔特发表60V同步升降压控制器 (2014.12.02)
凌力尔特( Linear)日前发表同步升降压DC/DC控制器LT3790，可以单一IC提供超过250W的功率。其4.7V至60V输入电压范围适合广泛的汽车、工业应用。输出电压可以设定于0V至60V，因此适合电压稳压器或电池/超级电容充电器 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
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IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻 (2014.11.13)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)为工业应用扩充StrongIRFET MOSFET系列，为多种工业应用包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流马达驱动器、锂离子电池组保护、热插入及开关模式电源二次侧同步整流推出75V组件 |
