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宜鼎推出DDR5 6400记忆体，具备同级最大64GB容量及全新CKD元件，助力生成式AI应用稳定扎根 (2024.10.30)
全球AI解决方案与工业级记忆体领导品牌宜鼎国际（Innodisk）领先推出DDR5 6400记忆体模组，具备单条64GB的业界最大容量。产品采用全新的CUDIMM与CSODIMM规格，增设CKD晶片（用户端时脉驱动器）以提升传输讯号稳定性，并透过TVS（瞬态电压抑制器）防止因电压不稳造成元件毁损，为边缘应用提供至关重要的高稳定度 |
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宜鼎推出 iCAP Air 智慧物联空气品质管理解决方案 透过即时空品数据自主驱动决策 (2024.05.02)
全球智慧应用高速发展，如何运用科技辅助ESG环境永续，亦成为产业关注焦点。全球AI解决方案与工业级储存领导品牌宜鼎国际 （Innodisk）推出全新「iCAP Air 空气品质管理解决方案」，促进空品、永续与健康福祉 |
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宜鼎发布全球首款Ultra Temperature极宽温DRAM模组 (2021.10.27)
近来全球记忆体市场话题不断，DRAM新品持续在容量、频宽及速度上力求突破；看似面面俱到，却始终不见耐受温度向上提升，使得严苛的高温应用情境备受挑战。为此，宜鼎国际正式推出全球首款「Ultra Temperature」极宽温DDR4记忆体模组 |
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Computex 2015─宇瞻锻造全方位工控加值SSD (2015.05.27)
全球内存品牌宇瞻科技（Apacer）连续三年蝉连全球工控SSD营收市场份额第一名，反映出全球市场对于宇瞻科技信赖创新精神的高度肯定。今年于台北国际计算机展（COMPUTEX TAIPEI 2015）展出全新升级工控SSD解决方案 |
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RAMBUS实现内存讯号处理再突破 (2011.02.22)
Rambus近日宣布，已实现SoC至内存接口的突破性20 Gbps先进差动讯号处理，并开发出创新技术，将单端内存讯号处理推展到12.8Gbps，实属空前。Rambus同时开发出能够将内存架构从单端无缝转换为差动讯号处理的创新技术，数据速率可获提升，以满足下世代绘图及游戏系统的效能需求 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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电阻式记忆体技术研发现况 (2008.11.05)
电阻式记忆体的元件结构相当简单；同时所采用的材料并不特殊，元件所需制程温度不高，因此相当容易与相关元件或电路制程相整合。本文将介绍电阻式记忆体的元件操作特性 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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飞思卡尔成立新公司推动MRAM业务 (2008.06.11)
飞思卡尔半导体宣布，将与几个顶尖创投公司集资成立一间以MRAM(磁性随机存取内存)为主要产品的独立新公司。这间新公司名为EverSpin Technologies，将持续提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品 |
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科统科技推出中高阶容量手机用内存MCP产品 (2008.05.19)
为满足手持式行动装置在低耗电、低成本与多功能的需求, 科统科技(MemoCom)成功开发出16Mb、32Mb与64Mb市场最低消耗电流之Pseudo SRAM产品, 并整合65nm先进制程的Numonyx NOR Flash,推出I-Combo与S-Combo系列之中高阶MCP产品 |
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Spansion完成对Saifun的收购 (2008.03.21)
Spansion与非挥发性内存（NVM）知识产权(IP)授权供货商Saifun宣布，Spansion根据双方分别于2007年10月8日和2007年12月12日签署的收购协议书及修正条款完成对Saifun的收购。
透过收购Saifun，Spansion得以拓展其产品线，快速实现进入技术授权的业务领域，大为增加Spansion的市场机会 |
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Intel和ST共同推出PCM相变内存原型 (2008.02.21)
英特尔和意法半导体开始为客户提供未来内存的原型样品，此样品采用创新的相变内存（Phase Change Memory,PCM）技术，因此可说是为内存产业划下了一个重要的里程碑。这是市场上首次有具PCM功能的原型样品能提供给客户进行评估测试，此举让相变内存技术向商业化的目标更迈进了一步 |
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非挥发性内存的竞合市场 (2007.10.24)
内存本身就具有通用与中介的性质，所以发展出来的各类内存组件，多能通用于不同系统之间。新一代的内存为了更通用之故，所发展的都是非挥发性的内存，这样才能既做为系统随机存取之用，又能组成各类的储存装置，例如嵌入在便携设备中的储存容量、弹性应用的记忆卡或固态硬盘等 |
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奥地利微电子进一步扩增其数字电位器产品阵容 (2007.08.17)
奥地利微电子公司宣布推出AS1506，进一步扩增其数字电位器产品阵容，这款以256- tap SPI接口的非挥发性数字电位器，提供10、50 及100k奥姆等电阻。
AS1506适用于各种低功耗环境，在待机模式下最高耗电率为500nA，在运作模式时，包括CMOS写入电流在内，耗电量仅需200µA（最大值） |
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凌力尔特推出1.1A LDO可简易并联不需热点 (2007.07.25)
凌力尔特(Linear Technology Corporation )发表一款1.1A、3接脚LDO LT3080，其可轻易并联以进行散热，同时亦可透过单一电阻进行调整。此新架构的稳压器透过电流参考，在多个稳压器之间以短PC布线作为稳流器进行分享，因此能在所有表面黏着系统上达到多安培的的线性稳压，而不需散热片 |
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ST再度成为全球第一大EEPROM芯片供货商 (2007.05.11)
意法半导体宣布，市场研究公司iSuppli的研究指出，ST再度成为2006年全球第一大序列EEPROM芯片供货商，ST已连续三年排名第一。iSuppli的研究报告指出，2006年ST的市占率为25%，远远高于排名第二的竞争对手；此外，虽然EEPROM价格不断降低，但是ST的销售额却增加了17.8% |
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内存技术竞赛 Intel看好PRAM (2007.04.17)
英特尔（Intel）在英特尔开发商论坛（IDF）上首次公开演示其PRAM技术。PRAM是由英特尔和数家其他公司联合开发的一种相变随机内存，被认为可能取代Flash，甚至是DRAM。与DRAM不同的是，Flash等非挥发性内存不会因没电而丢失存储的信息 |
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因应市场需求 巨景进军手机MCP市场 (2007.03.29)
根据Portelligent最近发布的一项报告，目前手机、数字相机和MP3播放器等可携式多媒体产品，采用Memory MCP（多芯片封装内存整合组件）的比例几乎已达到巅峰。其中手机采用MCP的比例在2004年就达到了90%，现正朝着采用2个或更多MCP方向发展，以达到产品薄型化与多功能化之目标 |
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Intel推出以NAND闪存为基础系列产品 (2007.03.14)
英特尔宣布推出Intel Z-U130 Value Solid-State Drive产品，进入solid state drive(SSD)市场。该装置以NAND闪存为基础，透过业界标准USB接口，为各式运算和嵌入式平台提供具成本效益及高效能的储存功能 |
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巨景科技全系列MCP解决方案到位 (2006.12.11)
ChipSiP(巨景科技)为协助客户达到数字相机/手机等产品薄型化之需求，推出全系列MCP解决方案。MCP为复合式内存(combo memory)，将二种以上内存芯片透过整合与推迭设计封装在同一个BGA包装，比起二颗TSOP，可节省近70%空间 |
USB的沿革历史充满曲折，其中各大厂商从本位主义的相互对抗，到尝尽深刻教训后的Wintel合作，能否给予后进有意「彼可取而代之」者一些深思与反省？
