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格罗方德与Soitec达成RF-SOI晶圆供应协议 满足5G射频需求 (2020.11.10) 特殊工艺半导体商格罗方德(GF)近日与梭意科技(Soitec)宣布一项300mm射频绝缘上覆矽(RF-SOI)晶圆的供货为期多年的协议。梭意科技在设计和制造创新半导体材料领域同样身为全球市场的尖端 |
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Diodes Incorporated 推出讯号切换器、时脉产生器和时脉缓冲器 (2018.06.11) Diodes Incorporated於加州圣塔克拉拉举办的 PCI-SIG开发人员大会上,推出一系列的讯号切换器、时脉产生器和时脉缓冲器产品,适用於PCI Express(PCIe) 4.0 技术应用。
在PC、伺服器、嵌入式应用中不同通讯协定之间的讯号传递 |
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FDX技术良性回圈的开端 (2018.03.20) 格芯的22奈米和12奈米 FDX制程适合于低功率、移动和高度结合而成的SoC应用,对于很多客户来说,这是最佳市场。 |
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中国宣布成功开发出8吋的SOI晶圆 (2008.11.28) 外电消息报导,中国科学研究院日前表示,已成功开发出第一片使用8吋晶圆的SOI芯片,该芯片的研发成功,意味着中国的芯片生产技术更往前迈进了一个里程碑。
据报导,中国科学研究院上海微系统与信息技术研究所,突破了清洗、键合(Bonding)、研磨和抛光等关键技术 |
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IBM的45奈米SOI技术将使用Rambus的SerDes IP (2008.05.05) 美国Rambus公司正式宣布,IBM已经采用了Rambus的SerDes IP内核。据了解,IBM将在其45nm的SOI制程技术中使用此种IP内核。
Rambus的SerDes IP内核采用可延展结构(Scalable Architecture),并支持1.25Gbps~6.4Gbps的数据传输速度 |
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半导体料材技术动向及挑战 (2006.11.23) 半导体制造技术能否持续突破,材料一直扮演着重要的角色,从过去最早初的锗(Germanium;Ge),到之后普遍运用的硅(Silicon;Si),而近年来又有更多的新样与衍生,以下本文将针对此方面的新用材、新趋势发展,以及现有的技术难度等,进行一番讨论 |
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以Smart Cut技术站稳全球薄型SOI市场 (2006.09.06) 绝缘层上覆硅(Silicon on Insulator;SOI)是一种基板技术。传统的硅晶圆正逐渐被含有三层结构的工程基板所取代,采用以SOI为基板的设计,芯片制造商可在半导体制程中,继续使用传统的制程与设备 |
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日立宣布成功研发最小IC芯片 (2006.02.08) 根据外电消息报导,日立(Hitachi)对外宣布已成功开发世界最小的IC芯片。这将更加激化与东芝在先进半导体制造工艺的竞争态势。
Hitachi制作所在6日于旧金山举办的国际固体电路会议中宣布,麾下所属的中央研究所已开发出世界上最小最薄的非接触型IC芯片,并已成功确认此芯片的实用功能 |
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SOI制程让摩尔定律不失效 (2003.10.05) 近两年台湾晶圆双雄的表现越来越出色,包括台湾的亚太地区也逐渐成为全球般导体制造中心,所以Soitec相当看好台湾半导体市场在SOI制程上的发展潜力,Michael Wolf认为,尽管目前台湾半导体制造业者采用SOI制程的比重仍低 |
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Honeywell/Cypress合作SOI技术 (2002.12.19) 根据外电消息,为因应技术的不断演进,Honeywell与Cypress将针对绝缘体矽片(SOI)技术,合作开发应用于卫星、导弹以及其它空间运载设备之晶片。该产品将使用Honeywell专利的辐射硬化SOI技术,以使用绝缘层保护晶片不受辐射的损害 |
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SOI制程技术深受各大厂青睐 (2000.10.17) 国际商业机器公司(IBM)22日推出一批伺服器电脑,首次内建以先进「绝缘层晶片」(silicon-on-insulator,简称SOI)制程技术生产的微处理器,据称效能可比现有技术提升20%到30% |
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IBM推出SOI铜制程新款AS/400e系列服务器 (2000.08.08) IBM表示,为因应企业在电子商业时代对服务器高效能的庞大需求,IBM日前推出运用SOI(silicon-on-insulator, 硅绝缘层)铜制程技术的新款AS/400e系列,效能较既有产品提高至少30% |
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飞利浦CAN收发器销售1亿只 (2000.07.21) 飞利浦半导体(Philips)日前宣布,到目前为止,该公司已经销售了1亿只CAN收发器。飞利浦表示,随着车内网络(IVN)市场的增长,CAN收发器迅速成为汽车控制网络的世界标准。
飞利浦指出,随着汽车制造商日益重视开发先进的IVN网络,CAN收发器市场预计在未来数年内呈现巨大增长 |