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CTIMES / 高明哲
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
新世代记忆体技术展望 (2004.04.25)
非挥发性与速度是未来记忆体技术的两大诉求，轻薄短小、降低成本以及省电更成为系统设计所追求的目标，引进新的记忆体架构与新材料不仅是大势所趋，也是下一波竞赛的重要关键
浅谈磁性记忆体技术原理与前景 (2003.11.05)
新一代的磁性随机存取记忆体不仅​​拥有flash的非挥发特性，DRAM的高集积度以及SRAM的高速存取特性；同时MRAM还具有相当高的的读写次数寿命，几乎是兼具现有三大记忆体的优点，所以被称为下一代的梦幻记忆体

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