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NXP与台积电开发MEMS之low-k材料封装技术 (2008.01.22)
由恩智浦与台积电合资成立的研究中心（NXP-TSMC Research Center），日前成功开发出将先进CMOS LSI布线中所使用的材料用于MEMS组件封装的制程方法，并于美国MEMS 2008展会上展示相关技术 |
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65到45：半导体制程微细化技术再突破 (2006.11.27)
当半导体微细化制程从65奈米迈向45奈米、甚至晶片结构体尺寸将朝向32或是22奈米之际，我们将会面临什么未知的物理性质变化？为了追寻更微小体积、切割更多晶片的商业成本效益 |
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Low-K制程开启芯片生产新纪元 (2004.02.16)
据中央社报导，台积电于今年宣布迈入「低介电常数」（Low-K）制程新纪元，使得许多新的先进产品得以运用低介电常数薄膜当作隔离材料，藉由低介电材质提高速率，并且以更低的线路干扰减少耗电，增进效能 |
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台积电将把Low-K技术列为标准制程 (2004.02.04)
晶圆代工大厂台积电日前宣布该公司2004年将力推低介电系数制程技术（Low-K Technology）；该公司将把该技术列为12吋90奈米制程的标准配备，并预期全年将可以此技术将产能由2003年的1万片提升至10万片（以8吋晶圆计） |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
