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力旺电子和联电合作22奈米RRAM可靠度验证 对应AIoT和行动通讯市场需求 (2023.03.28)
力旺电子与联华电子今（28）日宣布，力旺的可变电阻式记忆体（RRAM）矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案 |
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把发光与储存整合成一个元件！台师大团队研发可发光记忆体技术 (2021.09.22)
光与电，在电子系统里一直被视为两个独立分开的元件功能。而来自台湾师范大学光电工程研究所的跨国研究团队，却打破了这个疆界，他们发现了透过整合可变电阻式记忆体（RRAM）和量子点钙钛矿，成功实现了一种同时具备储存与发光功能的电子元件，为科技应用开启了新的视野 |
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物联网与AI将推升次世代记忆体需求 (2017.12.25)
经过十多年的沉潜，次世代记忆体的产品，包含FRAM（铁电记忆体），MRAM（磁阻式随机存取记忆体）和RRAM（可变电阻式记忆体），在物联网与智慧应用的推动下，开始找到利基市场 |
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[Tech Spot]四大闪存替代技术 (2012.12.06)
闪存仍如日中天，智能手机消费型设备，例如平板计算机和智能手机，强劲地推动了闪存及整个半导体市场。未来几年，平板计算机的市占率将不断增加，目前最常见的闪存类型是 NAND，一位市场分析师预测：2011 至 2015 年之间， NAND的市场复合年增长率将达到 7% |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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电阻式记忆体技术研发现况 (2008.11.05)
电阻式记忆体的元件结构相当简单；同时所采用的材料并不特殊，元件所需制程温度不高，因此相当容易与相关元件或电路制程相整合。本文将介绍电阻式记忆体的元件操作特性 |
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工研院RRAM研发成果获国际电子组件研讨会肯定 (2008.09.22)
工研院研发的电阻式非挥发性内存(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研发成果，获选在2008国际电子组件会议(International Electron Devices Meeting, IEDM)，向全球电机电子研发菁英发布最新技术进展 |
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快闪IC「RRAM」发展动向 (2005.09.05)
随着各种可携式电子产品的记忆容量不断扩张，传统的Flash Memory已很难满足市场需求。虽然FeRAM曾经是各半导体厂商嘱目的焦点，不过随着RRAM的出现，也代表着非挥发性内存即将进入崭新的纪元 |
