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赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索 (2021.04.20) 在SiC MOSFET问世10周年之际,作者回顾科锐公司十年历史所经历的关键时刻,并认为未来的发展会比过去曾经历的增长还要巨大,也为下一步即将增长的产业曲线提出卓见。 |
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意法半导体推出新一代车用数位音效功率放大器晶片 (2016.01.05) 意法半导体(STMicroelectronics;ST)扩大其在车用数位音效技术领域的优势,推出第二代车用数位音效功率放大器晶片,不仅可协助汽车音响系统厂商简化功率放大设计,更为驾乘及乘客带来更出色的听觉飨宴,而且音质不受车厢空间大小的影响 |
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宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27) 宜普电源(EPC)推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓(eGaN)功率电晶体,其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆 |
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沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻 (2015.08.14) ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗 |
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宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15) 具备4奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
宜普电源(EPC)推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度 |
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报告: 2010年光电半导体销售将达195亿美元 (2009.04.09) ICInsights日前公布了2009年光电、传感器及OSD组件的分析报告。报告中指出,虽然2008年下半年的经济情势严峻,但去年光电器件、MEMS加速计、CMOS影像传感器、功率晶体管和OSD组件的半导体销售仍然创新高纪录,达到了430亿美元 |
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恩智浦半导体突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16) 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L(S)-130基地台功率晶体管,这是恩智浦应用第七代横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;LDMOS)技术的首款产品,专为高功耗和Doherty放大器应用进行优化 |
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英飞凌推出900 V的Superjunction MOSFET (2008.02.28) 英飞凌科技公布业界第一款900V的Superjunction(超级结)MOSFET,专门用于高效能SMPS(交换式电源供应)、工业及再生能源转换。英飞凌推出新型节能CoolMos 900V功率MOSFET家族,突破功率晶体管制造上的"硅限制",提供使用标准型TO(晶体管管型)封装即具高电压设计的替代方案 |