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CTIMES / 肖特基二極體
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研究网络工程的团队 - IETF

IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织,其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商,以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体 (2024.07.01)
威世科技(Vishay Semiconductors)推出16款新型第三代1200 V碳化??(SiC)肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流,有助於提升开关电源设计能效和可靠性
Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽(SiC)肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q,并采用真正的双引脚(R2P) DPAK (TO -252-2)封装,适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外,为了扩展 SiC 二极体产品组合,Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性
东芝推出最新低热阻及低逆向电流之肖特基二极体 (2018.07.16)
东芝电子元件及储存装置株式会社推出新型肖特基障壁二极体产品CUHS10F60,主要用於电源电路整流和回流预防等应用。 CUHS10F60在其新开发的US2H封装中采用105。C/W低热阻,封装代码为SOD-323HE,该封装的热阻较传统USC封装降低约50%,散热效果更隹
英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相,该款肖特基二极体已准备就绪,可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用
安森美推出碳化矽二极体 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二极体(Schottky diode)系列产品,扩展SiC二极体产品组合。这些二极体的先进碳化矽技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗,并轻松实现元件并联
Littelfuse推出经扩展的碳化矽肖特基二极体产品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四个隶属於其第2代产品家族的1200V碳化矽(SiC)肖特基二极体系列产品,该产品家族最初於2017年5月发布。 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A,并采用主流的TO-220-2L封装
英飞凌第六代 650 V CoolSiC肖特基二极体可快速切换 (2017.10.02)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出650 V CoolSiC肖特基二极体G6。这项 CoolSiC二极体系列的最新发展以G5的独特特性为基础,提供可靠性、高品质及更高的效率。CoolSiC G6二极体让600 V与650 V CoolMOS 7系列的功能更臻完善,适用於伺服器、PC电源、电信设备电源及PV变频器等目前与未来的应用
Diodes推出新款可程式化调光LED驱动器 (2016.10.21)
Diodes公司推出AL3050电流模式升压型LED驱动器,为携带型设备的LED背光提供可程式化亮度功能。这款产品具有先进的调光特点、小尺寸、低BOM成本和高效率的优点,适合带有小型LCD面板的单锂电池设备,例如多功能/智慧手机、携带型媒体播放机、GPS接收器以及其他高移动性装置
Littelfuse将于2016年PCIM Europe展示市场应用解决方案 (2016.05.10)
全球电路保护领域的企业 Littelfuse公司,将出席2016年5月10-12日在德国纽伦堡举行的2016年PCIM Europe展。该展会是展示电力电子领域最新发展的世界盛会之一。本次展会上,Littelfuse将在7-140展台(7厅)展示两个全新的电源半导体系列:碳化矽(SiC)肖特基二极体和矽IGBT技术
Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管 (2008.12.17)
Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET+肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装,其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合
Vishay推出30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 (2008.09.30)
Vishay宣布推出首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管,其可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装,可提升高电流、高频运用的效率
Vishay推出高性能45V肖特基二极管 (2008.07.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出最大结温高达+175°C的业界首款新型第五代(Gen. 5.0)高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,从而可使设计人员提升汽车及其他高温应用中的功率密度

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