账号：
密码：
CTIMES / 矽穿孔
科技
典故		 电子工业改革与创新者 - IEEE

IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
鉴往知来 洞察不同应用领域的DRAM架构（下） (2020.08.13)
本文上篇已回顾了各种DRAM的特色，下篇则将进一步探讨3D结构发展下的DRAM类型，并分享爱美科的DRAM发展途径。
GLOBALFOUNDRIES 晶圆8厂实现20奈米及3D芯片堆栈技术 (2012.06.18)
GLOBALFOUNDRIES日前宣布，其划时代的新技术将可为新一代的行动与消费性应用实现 3D 芯片堆栈。该公司位于纽约萨拉托加郡的晶圆 8 厂已安装一套特殊生产工具，可在半导体晶圆上建立硅穿孔 (TSV) 技术，作业于其最顶尖的 20奈米技术平台上

  十大热门新闻

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw