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英飞凌SiC MOSFET新技术 让功率转换设计效能再创高峰 (2016.05.11)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本 |
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英飞凌SiC MOSFET新技术 让功率转换设计效能再创高峰 (2016.05.11)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本 |
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英飞凌全新高功率模组平台 免权利金授权业界封装设计 (2014.12.16)
英飞凌科技（Infineon）推出两款全新功率模组平台，提升1200V 至6.5kV 电压等级中高压 IGBT 的效能。为让更多厂商享有此全新模组的效益，英飞凌以免权利金的方式，授权此设计给所有 IGBT 功率模组供应商 |
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英飞凌全新高功率模组平台免权利金授权业界封装设计 (2014.12.16)
英飞凌科技（Infineon）推出两款全新功率模组平台，提升1200V 至6.5kV 电压等级中高压IGBT 的效能。为让更多厂商享有此全新模组的效益，英飞凌以免权利金的方式，授权此设计给所有IGBT 功率模组供应商 |
