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CTIMES / 工業電源控制
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
英飞凌SiC MOSFET新技术 让功率转换设计效能再创高峰 (2016.05.11)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本
英飞凌全新高功率模组平台免权利金授权业界封装设计 (2014.12.16)
英飞凌科技（Infineon）推出两款全新功率模组平台，提升1200V 至6.5kV 电压等级中高压IGBT 的效能。为让更多厂商享有此全新模组的效益，英飞凌以免权利金的方式，授权此设计给所有IGBT 功率模组供应商

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