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CTIMES / Egan
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
EPC基於eGaN的非隔离稳压式转换器开发板 (2018.07.10)
宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48V转换至12V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12A、最大输出电流为60安培，开发板的输出功率可以超过700W。该板具超高功率密度（每立方英寸大於1250W），其效率高於96%
宜普电源推出全新增?型氮化镓功率电晶体 (2015.08.27)
宜普电源（EPC）推出EPC2039功率电晶体。该产品是一种具备高功率密度的增?型氮化镓（eGaN）功率电晶体，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在闸极上施加5 V电压时的最大阻抗? 22 微欧姆

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