 |
ROHM推出100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构 (2024.01.31)
半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。
二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用 |
 |
新款200V耐压萧特基二极体有效降低功耗并实现小型化设计 (2019.08.27)
近年来，在48V轻度混合动力驱动系统中，将马达和周边零件集中在一个模组内的「机电一体化」已成为趋势，而能够在高温环境下工作的高耐压、高效率超低IR[1]萧特基二极体[2]（简称SBD）之需求也日益增加 |
 |
美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
|
美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款产品 40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之配合的1200 V SiC萧特基阻障二极体(SBD)，进一步扩大旗下日益增长的 SiC 离散器件和模组产品组合 |
|
东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体 (2017.01.13)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD)，该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动 |
IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度，便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
