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CTIMES / Cfet
科技
典故		 电子工业改革与创新者 - IEEE

IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
imec展示单片式CFET功能元件 成功垂直堆叠金属接点 (2024.06.21)
於本周举行的2024年IEEE国际超大型积体电路技术研讨会（VLSI Symposium）上，比利时微电子研究中心（imec）首次展示了具备电性功能的CMOS互补式场效电晶体（CFET）元件，该元件包含采用垂直堆叠技术形成的底层与顶层源极／汲极金属接点（contact）
评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。
迈向1nm世代的前、中、后段制程技术进展 (2020.12.08)
为了实现1nm技术节点与延续摩尔定律，本文介绍前、中、后段制程的新兴技术与材料开发，并提供更多在未来发展上的创新可能。

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