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美光将与南亚科技合作50奈米DRAM的设计与开发 (2008.04.09)
美光科技（Micron Technology）和南亚科技（Nanya Technology）共同合资成立了50奈米级的DRAM设计开发公司。据了解，两公司已经交换备忘录，在往后几个月内将正式签定合作契约，双方未来将共同进行DRAM的设计与开发，以提高投资效率并强化市场竞争力 |
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力晶竹科P4/P5厂动土 总投资2500亿新台币 (2008.04.08)
力晶半导体于本月8日举行第四座与第五座十二吋晶圆厂（P4/P5厂）新厂动土典礼。于竹科兴建的两座十二吋晶圆厂，总投资额达新台币2500亿元，将创造逾3600个工作机会。力晶以具体行动展现积极投资台湾的决心，结合竹科既有三座十二吋晶圆厂和中科瑞晶电子的庞大先进产能，凸显力晶跻身世界级内存大厂的企图心 |
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寻找新投资者 中芯国际考虑出售股份 (2008.04.01)
外电消息报导，中国中芯国际(SMIC)日前表示，目前正与投资者洽谈出售股份的计划，若协议顺利达成，将有可能出售16%的股份。
由于受全球DRAM市场不景气的影响，中芯已连续2年的业绩都出现亏损，而目前该公司正积极的调整其营运计划，以因应亏损的状况 |
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茂德最快第二季将获海力士54奈米制程技术 (2008.03.17)
茂德与海力士间的次世代技术授权谈判近期将出现进展。据了解，由于南韩政府放行，海力士可将技术移转海外合作伙伴，因此茂德与海力士间的技术授权谈判已重新开启，未来茂德可望取得海力士先进的54奈米制程技转 |
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美光与南亚科技签约合作开发50奈米DRAM技术 (2008.03.05)
美光科技（Micron Technology）和南亚科技（Nanya Technology）宣布，共同合资成立了50nm级的DRAM设计开发公司。两公司已经交换备忘录，在往后的数个月内将正式签定合作契约。双方将共同进行设计开发DRAM产品，以提高投资效率并强化市场竞争力 |
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力晶与IMEC签约合作开发新世代制程技术 (2008.01.28)
力晶半导体宣布与比利时微电子研发中心（IMEC）合作，共同开发32奈米微影技术，以强化该公司在先进内存制程的研发动能。
据了解，IMEC产学合作研发绩效卓著，在半导体领域累积可观的科技能量，目前该中心所从事的研发工作，估计领先业界需求三至十年 |
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奇梦达开始供应首款512Mb XDRTM DRAM样品 (2008.01.18)
奇梦达宣布已开始向客户供应首款512Mb XDR DRAM的样品。XDR（Extreme Data Rate）内存解体决方案扩展了奇梦达的绘图RAM产品组合，以针对全球成长快速的计算机和消费性电子市场，提供更佳的高效能、高带宽应用 |
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分拆、分拆、再分拆 (2008.01.17)
最近有传闻，认为台湾的华邦电子（Winbond）有可能进行分拆，将逻辑性的芯片产品分立出去，而自身将专注于DRAM内存的研制业务。无论此传闻是否为真，但此一推论也确实有据，并非空穴来风，以下笔者将以其他国外先例来说明此一发展可能 |
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报告:06-11年亚洲半导体年复合成长率达10.8% (2007.12.11)
外电消息报导，市场研究公司In-Stat日前发表一份最新的研究报告表示，亚洲半导体的生产能力将持续增强，自2006年至2011年之间，年复合成长率将达到10.8%。
该篇研究报告指出，亚洲半导体制造业正持续且快速的提高其生产能力，而这种趋势在未来几年内还会继续下去 |
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广颖电通代理Elixir内存获2007年台湾精品奖 (2007.12.03)
国内闪存厂商广颖电通(Silicon Power)，独家代理全球DRAM大厂南亚科技台湾区Elixir品牌内存，旗下Elixir DDR2-1066内存模块首次参与经济部主办台湾精品奖评选，以高质量与高性能表现，深受评审青睐与肯定，荣获第15届台湾精品奖殊荣，突显出Elixir品牌内存之效能与创新设计 |
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为提升获利 DRAM厂纷导入70奈米制程 (2007.11.12)
DRAM以70奈米制程生产时，测试时间将增加40％。据了解，512Mb的DDR2毛利下跌，因此DRAM厂商为了降低生产成本，纷纷将制程导入70奈米，而产品线也开始转向生产价格较高的1Gb DDR2 |
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联电跨足内存 与尔必达交互授权技术 (2007.10.25)
联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利 |
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短暂的复苏之后 DRAM市场将再度减弱 (2007.09.04)
根据市场研究公司iSuppli发表报告指出，DRAM内存市场在今年第2季短暂的反弹后，将在9月再度转弱，2007年DRAM内存市场约可成长1.97％。
iSuppli 认为，DRAM内存因生产过剩而造成持续地过度供给，价格将自9月开始下跌 |
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奇梦达提供华邦75奈米和58奈米DRAM制程技术 (2007.07.06)
德国奇梦达（Qimonda AG）将提供台湾厂商华邦电子（Winbond Electronics）75奈米和58奈米制程之DRAM制造技术。据了解，华邦将在台湾的12吋晶圆厂生产在线导入75奈米和58奈米制程技术，并生产提供给奇梦达的DRAM芯片 |
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Renesas推出适用汽车导航系统之单芯片电源供应IC (2007.07.02)
瑞萨科技宣布推出适用于汽车导航系统之R2S25402FT单芯片电源供应控制IC，预计于2007年9月起在日本开始提供样品。
R2S25402FT是瑞萨科技第一款汽车导航系统专用的的电源供应IC，可为执行汽车导航主要运算及DRAM数据储存之处理器提供电源供应电路，并透过64-pin QFP封装之单芯片实现DRAM终端电阻电压供应电路 |
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RAMBUS XDR内存架构获德州仪器DLP投影机系统采用 (2007.06.20)
全球高速芯片设计技术授权公司Rambus宣布XDR内存架构已经获得德州仪器技术采用。由应用XDR内存架构的DLP芯片所驱动的投影机，能带来高度的鲜艳色彩和影像质量，非常适合播放电影、运动节目、游戏以及数码相片 |
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2010年两岸DRAM产量将超越南韩 (2007.05.31)
台湾和中国的DRAM总产量，将在2010年之前超过南韩。根据iSuppli预测，台湾和中国的DRAM厂陆续扩产，相较之下南韩仅有三星电子（Samsung Electronics）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）为主要DRAM生产商，且该两厂商未来也会将生产的重心移向NAND闪存 |
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PQI多样新款内存于Computex 2007同步亮相 (2007.05.30)
2007 Computex Taipei将于2007年6月5日~6月9日于台北世贸展览中心隆重登场，劲永国际（PQI）于世贸一馆D330~435将展出全线产品，完整呈现USB旅行碟、Flash记忆卡、Intelligent Stick智能棒、DRAM模块、DOM及MP3六大产品线，满足来自各国的参观者 |
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微软认为DRAM是导致当机的主因 应升级ECC (2007.05.21)
外电消息报导，依据一份微软外流的机密数据显示，微软认为导致计算机系统当机的主要原因是DRAM的数据读写错误，而为了降低当机的机率，微软建议厂商应该使用具有ECC功能的内存 |
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DRAM导入90奈米制程 八吋厂寻找新出路 (2007.04.30)
由于标准型DRAM纷纷导入90奈米制程，因此为了解决八吋厂成本竞争力不足的问题，DRAM厂有意将八吋厂产能转为逻辑芯片代工之用途，对于此举是否影响晶圆代工厂之产能利用，部份晶圆代工厂认为将不会有所影响 |
